SiC陶瓷不只具有优良的常温力学性能，如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨损以及低的摩擦系数，而且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中较佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度较好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中较好的。别名金刚砂。稀土氧化物如Y2O，同样可以作为碳化硅陶瓷的烧结助剂，通过液相烧结的途径获得致密的碳化硅。由于其液相烧结是通过玻璃相的形成来降低孔隙率，提高致密度的。碳化硅陶瓷制成的的散热片有防腐蚀，抗氧化，抗冷热冲击等优点。耐磨SiC陶瓷成型方法
实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等较强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是由于烧结体中含有一定量的游离Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。甘肃碳化硅陶瓷厂家SiC的反应烧结法较早在美国研究成功。
近年来，为进一步提高SiC陶瓷的力学性能，研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在1900℃便获得高密度SiC烧结体。更进一步，通过该工艺，在2000℃和138MPa压力下，成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。研究表明：当SiC粉末的粒径小于0.6μm时，即使不引入任何添加剂，通过热等静压烧结，在1950℃即可使其致密化。如选用比表面积为24m2/g的SiC超细粉，采用热等静压烧结工艺，在1850℃便可获得高致密度的无添加剂SiC陶瓷。
氮化硅陶瓷材料还能够制造集成电路中的绝缘体以及化学屏障。它比二氧化硅要好的多，对水分子和钠离子能够起到更好的扩散阻挡的作用。如果是较好的电子产品，大都会使用它制造相关需要的材料。由于氮化硅是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化，并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀，但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀。常压碳化硅陶瓷，常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅。
实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等较强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高;当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。重庆碳化硅陶瓷结构
气相法主要包括以下几种：气相反应沉积法（CVD）、等离子体法、激光诱导气相法。耐磨SiC陶瓷成型方法
碳化硅陶瓷的用途：1、能源环保，将煤气在高温下直接净化，可充分利 Hexolov热交换器用煤气的显热，比之常温净化可较大程度上提高热效率，将高温净化后的煤气直接用于燃气轮机发电，可以较大程度上提高供电效率，减低有害物的排量，节约用水。现代燃煤发电系统中燃气轮机设备的使用与环境保护的标准都要求实现高温燃气直接除尘。2、工业窑炉，轻工、建材、电子等行业大量使用各种工业窑炉，采用不同材质碳化硅窑具的组合，可以大幅度减少窑具重量及其所占据的空间，提高能量利用率，减轻工人劳动强度。耐磨SiC陶瓷成型方法
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