碳化硅陶瓷的制备方法:a、热压烧结碳化硅陶瓷,热压烧结即在烧结过程中施加一定的压力,压力的存在使原子扩散速率增大,烧结驱动力增加,从而加快烧结过程。然而,在高压条件下,烧结体中会出现垂直于压力方向定向生长的晶粒,为避免这种现象,可以选用热等静压烧结的方法。b、无压烧结碳化硅陶瓷,无压烧结被认为是SiC烧结较有前途的烧结方法,通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件。根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。碳化硅基复合材料以其高韧性、强度高和优异的抗氧化性能等在宇航领域的高温热结构方面得到了普遍的应用。江西异型SiC陶瓷
碳化硅多孔陶瓷材料具有如下特点:(1)气孔率高:碳化硅多孔陶瓷的重要特征是具有中较多的均匀可控的气孔。气孔有开口气孔和闭口气孔之分:开口气孔具有过滤、吸收、吸附、消除回声等作用,而闭口气孔则有利于阻隔热量、声音以及液体与固体微粒传递;(2)强度高:多孔陶瓷材料一般由金属氧化物、二氧化硅、碳化硅等经过高温煅烧而成,这些材料本身具有较高的强度,煅烧过程中原料颗粒边界部分发生融化而粘结,形成了具有较强度高的陶瓷; 精密陶瓷提供氧化铝陶瓷管、氧化铝陶瓷片、氧化锆陶瓷基板、精密氧化锆陶瓷加工,想了解更多详情,记得关注我们~黑龙江非标定制碳化硅陶瓷超细碳化硅粉体的制备方法主要归为三种:固相法、液相法和气相法。
先进陶瓷成型方法种类繁多,除了传统的干压成型、注浆成型之外,根据陶瓷粉体的特性和产品的制备要求,发展出多种成型方法。总的来说可以归纳为4类:干法压制成型、塑性成型、浆料成型和固体无模成型,其中每一类成形又可细分为不同成形方法。干法压制成型:干压成型、冷等静压成型;塑性成型:挤压成型、注射成型、热蜡铸成型、扎膜成型;浆料成型:注浆成型、流延成型、凝胶注模成型和原位凝固成型;固体无模成型:熔融沉积成型、三维打印成型、分层实体成型、立体光刻成型和激光选取烧结成型。
碳化硅陶瓷的应用:碳化硅基复合材料,由于陶瓷材料固有脆性,限制了其在宇航等高技术领域的应用,因此对碳化硅材料的增韧研究非常重视;采用碳化硅编织体增韧,不只可提高陶瓷材料的韧性,而且可不同程度地提高材料的强度和模量。碳化硅基复合材料以其高韧性、强度高和优异的抗氧化性能等在宇航领域的高温热结构方面得到了普遍的应用。以上是对碳化硅陶瓷的3种制备方法及应用的介绍,需要注意的是,纯碳化硅为无色,但工业生产的碳化硅由于其中存在一些杂质,例如游离的碳、铁、硅等,往往呈现出黄、黑、墨绿、浅绿等不同色泽,比较常见的是黑色和浅绿色。碳化硅陶瓷的4种烧结:1.热压烧结;2.反应烧结;3.无压烧结;4.热等静压烧结。
以α-SiC为原料,同时添加B和C,也同样可实现SiC的致密烧结。研究表明:单独使用B和C作添加剂,无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时,才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结,SiC粉料的比表面积应在10m2/g以上,且氧含量尽可能低。B的添加量在0.5%左右,C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低,通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。较近,有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3,在1850℃~2000℃温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构,因而,其强度和韧性较大程度上改善。碳化硅陶瓷强度高,导热系数大、抗震性好、抗氧化、耐磨损、抗侵蚀等优良的高温性能。江苏无压烧结SiC陶瓷
碳化硅陶瓷的烧结方法各有不同,也造就了其性能各有不同。江西异型SiC陶瓷
实验表明,采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说,热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多,反应烧结SiC相对较低。另一方面,SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力,但反应烧结SiC陶瓷对HF等较强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看,当温度低于900℃时,几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高;当温度超过1400℃时,反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。(这是由于烧结体中含有一定量的游离Si,当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致)对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷,其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。江西异型SiC陶瓷
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