软启动器可控硅降温的重要性软启动器中可控硅模块是比较重要的一环，所以保护好可控硅模块能够的延长软启动器的使用寿命。可控硅模块与其它功率器件一样，工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化，直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。正常工作情况的软启动器设备有，主要以热量的形式散失在环境当中，所以我们要先解决软启动器工作环境的温度问题，若工作环境的温度过高则将危害到软启动器的工作，导致软启动器过热保护跳闸。保证软起动器具有良好的运行环境，须对变频器及运行环境的温度控制采取相应的措施。给软启动器预留一定的空间，定期给软启动器进行清灰处理，都是能够有效降低可控硅温度的方式。淄博正高电气热忱欢迎新老客户惠顾。安徽双向晶闸管调压模块功能
晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管模块的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。四、晶闸管模块在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管模块基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管模块导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。淄博整流晶闸管调压模块结构淄博正高电气多方位满足不同层次的消费需求。
晶闸管模块的应用非常广，大到电气行业设备中的应用，小到日常生活中的应用，但是如果有使用不当的时候就会造成晶闸管模块烧坏的情况，下面正高来介绍下晶闸管模块被烧坏的原因有哪些？晶闸管模块烧坏都是由温度过高造成的，而温度是由晶闸管模块的电特性、热特性、结构特性决定的，因此保证晶闸管模块在研制、生产过程中的质量应从三方面入手：电特性、热特性、结构特性，而且三者是紧密相连、密不可分的，所以在研制、生产晶闸管模块时应充分考虑其电应力、热应力、结构应力。烧坏晶闸管模块的原因很多，总的说来还是三者共同作用下才致使晶闸管模块烧坏的，某一单独的特性下降很难造成品闸管烧坏，因此我们在生产过程中可以充分利用这个特点，就是说如果其中的某个应力达不到要求时可以采取提高其他两个应力的办法来弥补。从晶闸管模块的各相参数看，经常发生的参数有：电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关断时间等，甚至有时控制极也可烧坏。由于晶闸管模块各参数性能的下降或线路问题会造成晶闸管模块烧损，从表面看来每个参数所造成晶闸管模块烧损的现象是不同的，因此通过解剖烧损的晶闸管模块就可以判断出是由哪个参数造成晶闸管模块烧坏的。
选择可控硅模块时不能只看表面，应参考实际工作条件来选择，选用可控硅模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。1.可控硅模块的冷却及环境条件:(1)强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；(2)水冷：流量≥4L/mm，压强±。水温≤35℃.水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；(4)空气相对湿度≤85%；(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；(6)气压86—106Kpa；(7)无剧烈震动或冲击；(8)若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。2、可控硅模块选购注意事项:(1)注明您需要的产品的型号、结构（螺栓、凹台、凸台）、配置散热器型号。(2)注明您关注的参数要求。(3)选择电流电压时要留有适当的余量；3、可控硅模块使用注意事项：(1)线路中须有过压过流保护措施，串并联使用时必须有均流措施。(2)用万用表简单判断器件是否损坏：门阴极间电阻，应有十几或几十Ω，否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻，应大于1MΩ，（整流管正向除外），电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良。淄博正高电气以诚信为根本，以质量服务求生存。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管模块承受正向电压的每半个周期内，发出个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角和导通角都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管模块承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。十、怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意。我公司将以优良的产品，周到的服务与尊敬的用户携手并进！淄博整流晶闸管调压模块结构
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直流控制交流可以用可控硅模块来实现吗？可控硅模块的功能很强大，因此在电气行业以及生活中的应用都比较普遍，但是直流控制交流可以用可控硅模块来实现吗？想要知道就来看看接下来正高电气分享的这篇文章吧。可控硅模块可以用在交流电路中，也可以用在直流电路中。用于直流电路时使用直流下可关断可控硅，可控硅模块主回路的在导通情况下关断时，要满足主回路电流小于其维持电流的条件才能被关断，一般可控硅的维持电流在几毫安——几十毫安范围内。控制交流电路时，由于交流电流有过零时刻，可控硅主回路电流小于维持电流，因此能够满足关断条件。直流电路中也可以采用产生反向电流的电路使主回路电流瞬间小于维持电流，而被关断。用可控硅模块控制交流的应用很广，单结晶体管交流调压电路就是一种典型的交流调压电路。调压原理是：通过改变单结晶体管发出触发脉冲的导通角度来控制可控硅的导通时间，来实现交流调压。此电路中，单结晶体管是接在交流电路中的，通过半波整流和降压获取工作电源。可控硅模块通常在调压电路中，触发电路由控制电路产生，控制电路工作在直流电路中。其实，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控硅模块的控制原理就行了。安徽双向晶闸管调压模块功能
