晶闸管移相调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
晶闸管移相调压模块企业商机

总要先关掉照明灯。可如果灯开关不在门口,那么关上灯再摸黑走到门口,十分不方便。本文介绍的一种开关只用9个元件,可方便地加在原来的开关上,使您的灯在关掉后延时几十秒钟,让您有充足的时间离开房间,免受摸黑之苦。工作原理:电路原理如下图所示。A、B分别接在原开关两端。合上开关S时,交流电的正半周经D6、R2、R1、D1和可控硅控制极,触发可控硅导通;交流电的负半周经D4、R2、R1、D1和可控硅控制极,触发可控硅导通。可控硅导通后,相当于短路C、D两点,因而A、B两点也经过二极管和导通的可控硅闭合起来。此时照明灯亮。断开开关S后,由于电容C1经R1、D1和可控硅控制极放电,使可控硅仍有触发电流维持导通。放电电流逐渐减小,一段时间后,可控硅截止,灯灭。此电路延时时间约为40~50秒。元件选择:可控硅选大电流1A、耐压400V的。D1、D3~D6可用1N4004。C1用耐压630V、35μF的彩电电容。如果合上开关S灯不亮,可适当减小R1的阻值。6:声控音乐彩灯彩灯控制器的电路如下图,R1、R2、D和C组成电阻降压半波整波电路,输出约3V的直流电供SCR的控制回路用。压电陶瓷片HTD担任声-电换能器,平时调W使BG集电极输出低电平,SCR关断,彩灯不亮。当HTD接收到声波信号后。我公司生产的产品、设备用途非常多。天津交流晶闸管移相调压模块

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晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,方便地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流——可变直流二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波,出现了一种过零触发,实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以减少损耗。河南三相晶闸管移相调压模块组件淄博正高电气生产的产品受到用户的一致称赞。

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因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。可控硅主要参数有:1、额定通态平均电流在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。3、反向阴断峰值电压当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。4、控制极触发电流在规定的环境温度下,阳极---阴极间加一定电压,使可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。5、维持电流在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。采用可控硅技术对照明系统进行控制具有:电压调节速度快,精度高,可分时段实时调整,有稳压作用,采用电子元件,相对来说体积小、重量轻、成本低。但该调压方式存在一致命缺点,由于斩波,使电压无法实现正弦波输出,还会出现大量谐波,形成对电网系统谐波污染,危害极大,不能用在有电容补偿电路中。。

使其导通,通过电抗器L使电风扇M获得不同的电压以实现调速的目的。VL6V比分别为强风、中风、弱风指示灯。当5脚受到低电平触发时,11一13脚均无输出,电风扇停转,芯片处于静止状态,即关机。在关机状态时,1脚兼作起动端,可使电风扇起动运转。15脚受到低电平触发,可使风类在正常风与自然风之间进行切换,VI5为风类指示灯,熄灭时为正常风,闪烁麦光时为自然风。14脚反复受到低电平触发时,可使电路处于不定时-0.5h-1h-2h-4h一不定时一……,7一10脚所接的VU一VL4分别为4h、2h、lh、0.5h定时显示指示灯。由于TWH9238(ICl)数据输出端有效输出为高电平,故通过反相器反相将其转换为低电平,以分别触发IC3的1、15、14和5,所以通过遥控发射机A一D4个按键就能方便地控制电风扇的风速、风类、定时及关机。元器件选择ICl与发射器选用广东中山达华电子厂生产的TWH9236/9238系列无线电发射与接收模块;IC2的4个反相器可选用一块CD4069六反相器数字集成电路中任意4个完好的反相器,另2个不用的反相器应将其输人端进行接地处理而不要悬空,可消除不必要的干扰。IC3选用LC901电风扇调速所用集成电路。VTH1-VTH3可用MAC97A6(IA/600V)小型塑料封装双向晶闸管。VS选、6V稳压二极管。淄博正高电气秉承团结、奋进、创新、务实的精神,诚实守信,厚德载物。

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图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT和可控硅区别IGBT与晶闸管1.整流元件(晶闸管)简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管。淄博正高电气过硬的产品质量、优良的售后服务、认真严格的企业管理,赢得客户的信誉。山西大功率晶闸管移相调压模块批发

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当电容C被充足电后,使三极管V由截止转为导通状态,将可控硅SCR关断,电灯也就熄灭了。本电路关灯延时期间,延时时间由R1、C的取值来确定,读者也可根据各自需要自行确定。本电路中的可控硅,笔者选用的为单向可控硅,在关灯延时期间电灯的亮度约为开灯时亮度的一半,以适合人们的视觉上的需要,同时又可节能。电路制作:图中单向可控硅SCR选用MCR100-8,耐压须为600V以上。灯泡的功率不大于100W为宜。二极管VD为1N4007,V为C1815。电阻均为1/8W碳膜电阻。制作时,用一小块电路板将图中虚线框内各元器件焊装上。好将本电路装在拉线开关底部凹槽内,用胶水粘牢并将引线接至开关两接线端即可。8:单键自锁开关单键自锁开关说明1、上电不动作。2、按钮按下后再释放,继电器吸合。3、按钮长按时,继电器释放,松开后继电器吸合。4、按钮点按时:继电器释放←→吸合循环动作。5、因为47Ω电阻有压降,继电器可以用DC9V的。9:简单的停电自锁开关电网供电正常时,它象普通开关一样使用。按一下K1,220V交流电经R1和R2分压给双向可控硅提供一触发电压,使双向可控硅导通。可控硅导通后,在电源电压正半周期间,少量电流经R4、D向C充电,同时经R3、R2分压触发可控硅。天津交流晶闸管移相调压模块

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