本公司技术力量雄厚，基础设施齐全，新品开发能力强，本说明以外的相近产品能快速研制生产，满足您的要求。本说明如不能满足您的要求，可来函索取更详细资料，更欢迎您光临本公司商榷、洽谈、指导。使用条件：环境条件：1、自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；2、空气相对湿度≤85%；3、空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；4、气压86—106Kpa；5、无剧烈震动或冲击；6、若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。冷却条件：1、强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；2、水冷：流量≥4L/mm，压强±。水温≤35℃.水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；3、其它冷却方式应进行相应的试验证明工作可靠方可使用。注意事项：1、选择电流电压时要留有适当的余量；2、线路中须有过压过流保护措施，串并联使用时必须有均流措施。3、用万用表简单判断器件是否损坏：门阴极间电阻，应有十几或几十Ω，否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻，应大于1MΩ，（整流管正向除外），电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良，电阻近零时表明器件已击穿。经我公司鉴定，确定质量问题的产品，保退保换。退换时须携带原产品合格证。淄博正高电气公司狠抓产品质量的提高，逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。浙江小功率可控硅调压模块生产厂家
用指针式万用表电阻档测量可控硅阳极和阴极之间是否短路，一般情况下双向可控硅阳极和阴极之间的电阻在数十千欧以上，如用万用表测量时已短路或电阻已小于10千欧以下，可判断可控硅已击穿损坏。2.用万用表分别测量双向可控硅触发极与阴极之间的电阻值，一般再几欧至百十欧以内的正常，触发极与阳极之间的电阻值，一般再十千欧以上为正常。晶闸管(可控硅)要导通，必须满足以下条件：双向晶闸管导通条件：一是晶闸管(可控硅)阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通状态。另外，晶闸管(可控硅)一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于小维持电流以下。东营单向可控硅调压模块淄博正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。
当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。■可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通。
双向可控硅MAC97A6的电路应用MAC97A6为小功率双向可控硅（双向晶闸管），多应用于电风扇速度控制或电灯的亮度控制，市场上流行的“电脑风扇”或“电子程控风扇”，不外乎是用集成电路控制器与老式风扇相结合的新一代产品。这里介绍的电路就是利用一块市售的所用集成电路RY901及MAC97A6，将普通电扇改装为具有多功能的电扇，很适宜无线电爱好者制作与改装。这种新型IC的主要特点是：（1）集开关、定时、调速、模拟自然风为一体，外面围元件少、电路简单、易于制作；（2）省掉了体积较大的机械定时器和调速器，采用轻触式开关和电脑控制脉冲触发，因而无机械磨损，使用寿命长。（3）各种动作电脑程序具备相应的发光管指示，耗电量少，体积小，重量轻，显示直观，便于操作；（4）适合开发或改造成多路家电的定时控制等。RY901采用双列直插式16脚塑封结构，为低功耗CMOS集成电路。其外形、引出脚排列及各脚功能如图1所示。在刚接通电源时，电脑控制器暂处于复位（静止）状态，面板上所有发光二极管VD1－VD8均不亮，电风扇不转。用以控制它的导通与截止，再经电抗器L进行阻抗变换，即可按强风、中风、弱风、强风……的顺序来改变其工作状态，并且风速指示管VD1－VD3。以客户至上为理念，为客户提供咨询服务。
晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护晶闸管从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2．交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。措施：在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时，因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时，初级拉闸，因变压器激磁电流的突变，在次级感生出很高的瞬时电压，这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。淄博正高电气企业文化：服务至上，追求超越，群策群力，共赴超越。浙江小功率可控硅调压模块生产厂家
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设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以。过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。3.电流上升率、电压上升率的保护（1）电流上升率di/dt的可控硅初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若可控硅开通时电流上升率di/dt过大，会导致PN结击穿，必须限制可控硅的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在可控硅的阳极回路串联入电感。如下图:（2）.电压上升率dv/dt的加在可控硅上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图：4.为什么要在可控硅两端并联阻容网络在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。可控硅有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下。浙江小功率可控硅调压模块生产厂家
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