SiC陶瓷在石油、化工、微电子、汽车、航天、航空、造纸、激光、矿业及原子能等工业领域获得了普遍的应用，碳化硅已经普遍应用于高温轴承、防弹板、喷嘴、高温耐蚀部件以及高温和高频范围的电子设备零部件等领域。氮化硅陶瓷低密度的特点，使其重量上不会太重，在众多的生产领域中不会因为重量的缘故加重产品的负重，造成额外的压力。氮化硅陶瓷材料可用于高温工程的部件，冶金工业等方面的高级耐火材料，化工工业中抗腐蚀部件和密封部件，机械加工工业的刀具和刃具等。碳化硅重要的导电特性使得其是制造1000℃以上加热炉发热元件的较主要材料。云南SiC陶瓷结构
先进陶瓷是“采用高度精选或合成的原料，具有精确控制的化学组成，按照便于控制的制造技术加工、便于进行结构设计，并且有优异特性的陶瓷”。按其特性和用途，可分为2大类：结构陶瓷和功能陶瓷（详见表1）。结构陶瓷是指能作为工程结构材料使用的陶瓷，它具有强度高、高硬度、高弹性模量、耐高温、耐磨损、抗热震等特性；结构陶瓷大致分为氧化物系、非氧化物系和结构用陶瓷基复合材料。功能陶瓷是指具有电、磁、光、声、超导、化学、生物等特性，且具有相互转化功能的一类陶瓷。云南SiC陶瓷结构碳化硅陶瓷的4种烧结：1.热压烧结；2.反应烧结；3.无压烧结；4.热等静压烧结。
然而，日本研究人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加B和C的β-SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。以α-SiC为原料，同时添加B和C，也同样可实现SiC的致密烧结。研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2/g以上，且氧含量尽可能低。B的添加量在0.5%左右，C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。
高温碳化硅陶瓷基复合材料在官方工业中的应用航工业集团于2009年与西北工业大学合作建设航陶瓷基复合材料工程技术公司，这意味着历时十年自主研发的高温复合材料即将进入产业化阶段。这是新型航空材料国大飞机项目的关键技术之一。 这种新型复合材料将用于制造飞机发动机的关键部件，并有望“武装”C919国产大飞机。航空材料和发动机、机载设备并称为大飞机项目三大关键性技术。我国自主研发的高温复合材料技术获得突破，使我国一跃成为继法国和美国之后，整体掌握碳化硅陶瓷基复合材料技术的第三个国家。SiC的反应烧结法较早在美国研究成功。
技术及新产品工程转化极度匮乏：世界上开发了200多种陶瓷材料及2000多种应用产品。虽然我国同样能制备出性能良好的陶瓷材料，但绝大部分仍停留在实验室样品上，有的产品由于成本高及可靠性等问题，市场还不能接受，所以产品的销售额与发达国家相比相差甚远。制造装备加工技术落后：虽然我国引进了国外先进的工艺装备，像气压烧结炉、热等静压、注射成型机、流延机等来提高我国的技术装备水平，但因投资大，在经济上给企业造成了很大压力，从而限制了先进陶瓷的发展。通常意义上的碳化硅陶瓷是单相陶瓷材料，并不属于复合材料。云南SiC陶瓷结构
为进一步提高碳化硅陶瓷的力学性能，研究人员进行了碳化硅陶瓷的热等静压工艺的研究工作。云南SiC陶瓷结构
另外，工作人员一旦发现碳化硅旋流器沉沙嘴堵塞，必须打开备用旋流器，同时关闭堵塞的旋流器，进行清理。旋流器沉沙嘴堵塞后，旋流器剧烈的震动有可能将基础螺丝拉断，尤其是在高位安装的旋流器。因为涉及到设备的安全和人身的安全，工作人员应必须尽快处理。有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构，因而，其强度和韧性较大程度上改善。总之，SiC陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一般说来，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。云南SiC陶瓷结构
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