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添加特殊字符（1）靠近器件管脚摆放网络名，摆放要求同器件字符，（2）板名、版本丝印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位号丝印大（常规丝印字符宽度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名丝印，方便识别。添加特殊丝印（1）条码：条码位置应靠近PCB板名版本号，且长边必须与传送方向平行，区域内不能有焊盘直径大于0.5mm的导通孔，如有导通孔则必须用绿油覆盖。条码位置必须符合以下要求，否则无法喷码或贴标签。1、预留区域为涂满油墨的丝印区。2、尺寸为22.5mmX6.5mm。3、丝印区外20mm范围内不能有高度超过25mm的元器件。2）其他丝印：所有射频PCB建议添加标准“RF”的丝印字样。对于过波峰焊的过板方向有明确规定的PCB,如设计了偷锡焊盘、泪滴焊盘或器件焊接方向，需要用丝印标示出过板方向。如果有扣板散热器，要用丝印将扣板散热器的轮廓按真实大小标示出来。放静电标记的优先位置是PCB的元件面，采用标准的封装库。在板名旁留出生产序列号的空间，字体格式、大小由客户确认。原理图：可生成正确网表的完整电子文档格式，并提供PCB所需的布局和功能；湖北高速PCB培训教程

关键信号布线（1）射频信号：优先在器件面走线并进行包地、打孔处理，线宽8Mil以上且满足阻抗要求，如下图所示。不相关的线不允许穿射频区域。SMA头部分与其它部分做隔离单点接地。（2）中频、低频信号：优先与器件走在同一面并进行包地处理，线宽≥8Mil，如下图所示。数字信号不要进入中频、低频信号布线区域。（3）时钟信号：时钟走线长度＞500Mil时必须内层布线，且距离板边＞200Mil，时钟频率≥100M时在换层处增加回流地过孔。（4）高速信号：5G以上的高速串行信号需同时在过孔处增加回流地过孔。武汉高效PCB培训功能大格点的精度有利于器件的对齐和布局的美观。

多层板（Multi-LayerBoards）为了增加可以布线的面积，多层板用上了更多单或双面的布线板。多层板使用数片双面板，并在每层板间放进一层绝缘层后黏牢（压合）。通常层数都是偶数，并且包含外侧的两层。大部分的主机板都是4到8层的结构，不过技术上可以做到近100层的PCB板。大型的超级计算机大多使用相当多层的主机板，不过因为这类计算机已经可以用许多普通计算机的集群代替，超多层板已经渐渐不被使用了。因为PCB中的各层都紧密的结合，一般不太容易看出实际数目，不过如果您仔细观察主机板，也许可以看出来。

5V一般可能是电源输入，只需要在一小块区域内铺铜。且尽量粗(你问我该多粗——能多粗就多粗，越粗越好)；1.2V和1.8V是内核电源(如果直接采用线连的方式会在面临BGA器件时遇到很大困难)，布局时尽量将1.2V与1.8V分开，并让1.2V或1.8V内相连的元件布局在紧凑的区域，使用铜皮的方式连接，如图：总之，因为电源网络遍布整个PCB，如果采用走线的方式会很复杂而且会绕很远，使用铺铜皮的方法是一种很好的选择!4、邻层之间走线采用交叉方式：既可减少并行导线之间的电磁干扰又方便走线。培训机构还会邀请一些行业内的企业，与学员分享他们的经验和实践。

DDR的PCB布局、布线要求1、DDR数据信号线的拓扑结构，在布局时保证紧凑的布局，即控制器与DDR芯片紧凑布局，需要注意DDR数据信号是双向的，串联端接电阻放在中间可以同时兼顾数据读/写时良好的信号完整性。2、对于DDR信号数据信号DQ是参考选通信号DQS的，数据信号与选通信号是分组的；如8位数据DQ信号+1位数据掩码DM信号+1位数据选通DQS信号组成一组，如是32位数据信号将分成4组，如是64位数据信号将分成8组，每组里面的所有信号在布局布线时要保持拓扑结构的一致性和长度上匹配，这样才能保证良好的信号完整性和时序匹配关系，要保证过孔数目相同。数据线同组（DQS、DM、DQ[7:0]）组内等长为20Mil，不同组的等长范围为200Mil，时钟线和数据线的等长范围≤1000Mil。一些元器件或导线有可能有较高的电位差，应加大他们的距离，以免放电引起意外短路。深圳设计PCB培训哪家好

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存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。湖北高速PCB培训教程