人眼睛极其敏感，2nm波长差异，人的眼睛可以非常清晰的捕捉到，因此对于整个MicroLED生产过程中，对外延的均匀性提出了更高的要求。普遍业界认为，外延的均匀性要做到2nm以内无分选，并且满足后续巨量转移的要求。此外，对衬底的翘曲率、颗粒、缺陷也要严格的卡控，这是为后续的芯片工艺所考虑。目前的主流GaN外延技术有两种，一种是基于蓝宝石衬底，还有一种是基于硅衬底，这也与上文提到的两种衬底路线相对应。基于蓝宝石衬底外延GaN的技术已经比较成熟，适用性也广，但由于硅衬底外延片可以将封装、巨量转移等新技术更好的串联，业内也把该技术认作未来MicroLED发展技术。但是目前，基于硅衬底的GaN外延仍然不是业内的主流，目前主要原因有以下几点：GaN与Si的晶格常数有17%的差异，造成高错位密度（蓝宝石为5*108，Si为107），这种差异容易导致GaN表面产生缺陷；GaN和Si有超过56%热膨胀系数的差异，导致应力无法释放，造成翘曲、龟裂；GaN中的Ga原子本身与Si会发生刻蚀反应。如果把GaN直接长到Si上面，就会被刻蚀反应掉；Si吸收可见光会降低LED的外量子效率。 Micro LED的接合技术主要分3种：预置锡膏技术、金属共晶键合技术、微管技术。济南Microled显示屏规格
Micro LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在50um以内，每一个LED像素都能自发光。微缩化使得Micro LED具有更高的发光亮度、分辨率与色彩饱和度，以及更快的显示响应速度，预期能够应用于对亮度要求较高的增强现实(AR)微型投影装置、车用平视显示器(HUD)投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品，并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实(VR)、光通讯/光互联、医疗探测、智能车灯、空间成像等多个领域。辽宁城市大脑Microled显示屏Micro LED显示中每个红绿蓝像素配置一个驱动Micro-IC。
1、芯片技术：从芯片的技术角度看，现阶段MicroLED晶圆的波长一致性不满足量产化需求。而且随着芯片尺寸的缩减，发光效率急速降低。在器件构造过程中，感应耦合等离子体刻蚀会造成芯片侧壁的损伤，进而影响芯片发光特性和可靠性。2、背板技术：消费电子领域MicroLED技术使用的背板有两种：印刷电路板和玻璃基板。由于刷电路板的膨胀收缩比率较大，且容易翘曲，会造成巨量转移效果不良。玻璃基板的尺寸稳定性好，但其横向和纵向尺寸变化非等向，对加工工艺要求高。
而MicroLED的设计采用了OLED的所有优点，如自发光技术、完美的黑色和出色的色彩。与此同时，MicroLED还抛弃了有机化合物，使得其发光元件尺寸比miniLED更小。这使得MicroLED面板非常薄，并且能够提供出色的视角。此外，由于不依赖有机化合物，MicroLED面板的生产成本应该比OLED更低。重要的是，MicroLED在技术上能够提供比OLED更明亮的画面。这些特点使得MicroLED成为一种值得期待的新一代显示技术。未来，我们可以期待MicroLED在各种显示设备中的广泛应用，从智能手机到电视，甚至可能延伸到虚拟现实设备和自动驾驶汽车中。MicroLED的出现将为用户带来更加精彩绚丽的视觉体验，并且为显示技术的发展带来新的突破和可能。随着科技不断进步，我们可以对未来的显示技术充满期待，MicroLED的出现是一个重要的里程碑，它将为我们带来更加逼真和震撼的画面，为我们的生活带来更多乐趣和便利。 Micro LED是采用全倒装COB技术的LED显示屏。
OLED通过非常微小的有机自发光二极管元件，成为了组成光源数量较多的平板显示技术，也因此在纯色表现、响应时间、对比度等方面与采用各种传统LED光源的液晶技术相比取得了压倒性的优势，在高亮度表现上个略差一筹，以及多少有一些类似等离子屏的烧屏问题在改进中。LED光源显示器也不是没有在光源数量上做文章，无论是FALD还是miniLED，都把液晶显示器的调光区域提高到了1152区，但由此带来的成本实在是巨大，而且依然和OLED有不小的差距。而MicroLED有望超越OLED，成为更好的显示技术。MicroLED显示屏具有更快的响应速度和更短的像素切换时间。苏州城市大脑Microled显示屏
MicroLED显示屏的亮度均匀性非常好，可以呈现出非常平滑的图像。济南Microled显示屏规格
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