1、芯片技术：从芯片的技术角度看，现阶段MicroLED晶圆的波长一致性不满足量产化需求。而且随着芯片尺寸的缩减，发光效率急速降低。在器件构造过程中，感应耦合等离子体刻蚀会造成芯片侧壁的损伤，进而影响芯片发光特性和可靠性。2、背板技术：消费电子领域MicroLED技术使用的背板有两种：印刷电路板和玻璃基板。由于刷电路板的膨胀收缩比率较大，且容易翘曲，会造成巨量转移效果不良。玻璃基板的尺寸稳定性好，但其横向和纵向尺寸变化非等向，对加工工艺要求高。与传统的LED显示屏相比，Micro LED显示屏的功耗降低了50%以上，降低了能源消耗和碳排放。湖北虚拟拍摄Microled显示屏
OLED通过非常微小的有机自发光二极管元件，成为了组成光源数量较多的平板显示技术，也因此在纯色表现、响应时间、对比度等方面与采用各种传统LED光源的液晶技术相比取得了压倒性的优势，在高亮度表现上个略差一筹，以及多少有一些类似等离子屏的烧屏问题在改进中。LED光源显示器也不是没有在光源数量上做文章，无论是FALD还是miniLED，都把液晶显示器的调光区域提高到了1152区，但由此带来的成本实在是巨大，而且依然和OLED有不小的差距。而MicroLED有望超越OLED，成为更好的显示技术。成都商业显示Microled显示屏MicroLED显示屏的亮度可以根据环境光线自动调节，非常智能。
MicroLED技术工艺按照实现方式的不同，可以分为芯片级焊接、外延级焊接和薄膜转移三种：①芯片级焊接（chipbonding）将LED直接进行切割成微米等级的MicroLEDchip，再利用SMT技术或COB技术，将微米等级的MicroLEDchip一颗一颗键接于显示基板上。该方法每次拿取一部分MicroLED做贴装，并重复这个动作，有时需要借用载体。对于大尺寸显示面板而言,此方法更为适用。②外延级焊接（waferbonding）在LED的外延薄膜层上用感应耦合等离子离子蚀刻(ICP)，直接形成微米等级的MicroLED外延薄膜结构，再将LED晶圆(含外延层和基板)直接键接于驱动电路基板上，然后使用物理或化学机制剥离基板，剩4~5μm的Micro-LED外延薄膜结构于驱动电路基板上形成显示划素。优点是具有批量转移能力，但是不可以调节转移间距。该方法适用于高ppi的小屏。
全彩化技术：MicroLED的全彩化技术主要有3种：三色RGB法、UV/蓝光LED+发光法、透镜合成法。RGB三色LED法（也称All-in-oneRGBMicroLED）RGB-LED全彩显示显示原理主要是基于三原色（红、绿、蓝）调色基本原理。众所周知，RGB三原色经过一定的配比可以合成自然界中绝大部分色彩。同理，对红色LED、绿色LED、蓝色LED，施以不同电流即可控制其亮度，从而实现三原色的组合，达到全彩色显示的效果，从原理上说是实现彩色显示质量较好的方案。目前在MicroLED大屏显示中应用较多。但是，三色RGB用于大像素显示构造时，巨量转移的芯片数量多、难度大，且红光LED效率不高。 与LCD显示技术不同，Micro LED显示上表面没有滤光片，抗环境光能力差。
硅基Micro-OLED是Micro-LED主要的竞争对手。MicroOLED是一种微型显示器件，它以单晶硅半导体为基底，在其上集成了CMOS驱动电路和OLED有机发光二极管。这种显示器件具有许多好的特性，如自发光、厚度薄、质量轻、视角大、响应时间短和发光效率高等。与此同时，MicroOLED还具备高分辨率和微小尺寸的特点，因此非常适合用于微型显示设备。MicroOLED的比较大竞争对手是硅基Micro-LED。两者都采用类似的技术构造，但各自有着独特的优势。硅基Micro-LED在亮度和色彩上具有更高的品质，而MicroOLED则更具有易制造、体积小和功耗低的优势。通过使用MicroOLED，可以实现高像素密度和小尺寸的显示屏，这对于需要高清图像和便携性的产品非常重要。此外，MicroOLED的发光效率高，可以呈现出更鲜艳、细腻的图像，使得观看体验更加出色。总之，MicroOLED是一种具有自发光、薄、轻、屏幕视角广、响应快和发光效率高等特点的微型显示器件。它的特殊结构使其能够实现高分辨率、小尺寸和低功耗，因此非常适合用于微型显示设备中。 MicroLED显示屏可以实现更大的屏幕尺寸和更高的像素密度。江苏城市大脑Microled显示屏
MicroLED显示屏的色彩还原度非常高，可以呈现出真实的色彩。湖北虚拟拍摄Microled显示屏
人眼睛极其敏感，2nm波长差异，人的眼睛可以非常清晰的捕捉到，因此对于整个MicroLED生产过程中，对外延的均匀性提出了更高的要求。普遍业界认为，外延的均匀性要做到2nm以内无分选，并且满足后续巨量转移的要求。此外，对衬底的翘曲率、颗粒、缺陷也要严格的卡控，这是为后续的芯片工艺所考虑。目前的主流GaN外延技术有两种，一种是基于蓝宝石衬底，还有一种是基于硅衬底，这也与上文提到的两种衬底路线相对应。基于蓝宝石衬底外延GaN的技术已经比较成熟，适用性也广，但由于硅衬底外延片可以将封装、巨量转移等新技术更好的串联，业内也把该技术认作未来MicroLED发展技术。但是目前，基于硅衬底的GaN外延仍然不是业内的主流，目前主要原因有以下几点：GaN与Si的晶格常数有17%的差异，造成高错位密度（蓝宝石为5*108，Si为107），这种差异容易导致GaN表面产生缺陷；GaN和Si有超过56%热膨胀系数的差异，导致应力无法释放，造成翘曲、龟裂；GaN中的Ga原子本身与Si会发生刻蚀反应。如果把GaN直接长到Si上面，就会被刻蚀反应掉；Si吸收可见光会降低LED的外量子效率。 湖北虚拟拍摄Microled显示屏
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