MiniLED为点间距在50-200um之间的小间距LED产品。相比点间距小于50um的Micro LED，MiniLED显示一方面可作为液晶显示直下式背光源获得主流市场应用，如手机、电视、车用面板及记本电脑等;另一方面，MiniLED有望衍生出背光机型，与OLED机型相抗衡。据LEDinside估算，相同对比度条件下，采用MiniLED背光的液晶面板价格约为OLED面板的70-80%，可以大幅提升现有液晶画面效果。由于具有性能和成本优势，近年来MiniLED在视频会议、会展广告、虚拟现实、监控调度等领域得到快速应用，逐渐侵蚀LCD和DLP拼接屏应用市场，有望成为市场主流。Micro LED显示中每个红绿蓝像素配置一个驱动Micro-IC。济南指挥监控Microled显示屏
MicroLED技术具备了惊人的发光单元数量，例如一台4K电视就拥有2500万个MicroLED，即使是稍小的4K显示器也有着829万个MicroLED。然而，这也带来了两个挑战。首先是如何提高产品的良品率和质量检测的难度；其次是需要校准所有这些微小的LED，以确保它们都能提供相同的亮度和颜色控制，而这正是出厂调校所面临的重大挑战。然而，一旦成功地经过调校，MicroLED显示设备的成品质量将会是惊人的。MicroLED优势这么大，为啥现在很难买到消费级的显示器产品呢？因为成本利润要求限制。由于MicroLED在一个屏幕上的巨大数量，巨量转移技术的复杂，以及出厂一致性调校，因此目前MicroLED的成本还是非常高的，普通的消费级显示器用户暂时难以承受。所以目前这个显示技术虽然号称具有历史意义的，但主要是大屏使用多，包括户外大屏、巨型平板电视，以及一些细分领域的小屏，比如豪车的车机显示器。因为这些用户为了显示效果，是掏的起钱的。 cob封装Microled显示屏制作Micro LED的接合技术主要分3种：预置锡膏技术、金属共晶键合技术、微管技术。
MicroLED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在50um以内，每一个LED像素都能自发光，以矩阵形式高密度地集成在一个芯片上的显示器件。与传统LED显示屏相比，MicroLED具有两大特征，一是微缩化，其像素大小和像素间距从毫米级降低至微米级:二是矩阵化和集成化，其器件结构包括CMOS工艺制备的LED显示驱动电路和LED矩阵阵列。MicroLED显示一般采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例，MicroLED像素单元结构从下往上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。像素单元加正向偏电压时，P型GaN接触层的空穴和N型GaN层的电子均向有源层迁移，在有源层电子和空穴发生电荷复合，复合后能量以发光形式释放。
无论是早期的LED还是现在的Micro LED，衬底材料难以承受沉积、蒸镀等高温工艺而极易损伤变形一直是柔性器件制造技术中的共性问题，需要在制造前期以各类刚性材料为搭载基底，再通过后期的剥离工艺完成器件向柔性基底的转移。蓝宝石是目前Micro LED的主流衬底材料，尺寸越大，厚度越厚。但是其不导电的特性、差异热性会影响Micro LED器件的发光效率。为寻找更好的解决方案，国际上这一领域也有一些实际的动作，比如法国的Aledia已经在12英寸硅晶圆上尝试生产硅衬底纳米线Micro LED工艺。MicroLED显示屏的亮度可以根据环境光线自动调节，非常智能。
普通LED、miniLED和MicroLED是三种不同尺寸的LED类背光光源。在普通LED显示模块与更小的MicroLED模块的对比图中，我们可以明显看到背光阵列的数量有所不同。MicroLED，作为字面意义上的微小LED，是一种由50微米以下的LED芯片和有源驱动阵列组成的显示像素阵列。它是传统LED的微缩化和阵列化的产物。简单来说，MicroLED将微型发光二极管焊接到液晶基板上。我么可以从一个全彩MicroLED显示屏像素单元的配置示意图中看到，这样的单元只有长130微米、宽30微米。这种微小尺寸的MicroLED技术带来了明显的优势。首先，由于微小LED芯片的尺寸减小，显示屏的像素密度得以提高，因此显示效果更为清晰细腻。其次，通过将MicroLED焊接到液晶基板上，不仅降低了LED的功耗，还提高了能源利用效率。重要的是，由于MicroLED的尺寸小，可靠性更高，耐用性更强，且更加灵活适应各种显示屏形态。 Micro LED显示屏以其出色的图像质量、更高的亮度和更广的视角，让人眼前一亮。cob封装Microled显示屏制作
由于Micro LED显示终端多为多块拼接的，所以很难保证每一块显示单元上的所有芯片波长都能满足此要求。济南指挥监控Microled显示屏
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