在半导体设备国产化替代的浪潮中，中清航科始终坚持自主创新，中心技术 100% 自主可控。其晶圆切割设备的关键部件如激光发生器、精密导轨、控制系统等均实现国产化量产，不仅摆脱对进口部件的依赖，还将设备交付周期缩短至 8 周以内，较进口设备缩短 50%，为客户抢占市场先机提供有力支持。展望未来，随着 3nm 及更先进制程的突破，晶圆切割将面临更小尺寸、更高精度的挑战。中清航科已启动下一代原子级精度切割技术的研发，计划通过量子点标记与纳米操控技术，实现 10nm 以下的切割精度，同时布局晶圆 - 封装一体化工艺，为半导体产业的持续发展提供前瞻性的技术解决方案，与全球客户共同迈向更微观的制造领域。中清航科提供切割工艺认证服务，助客户通过车规级标准。盐城12英寸半导体晶圆切割刀片
中清航科IoT平台通过振动传感器+电流波形分析，提前72小时预警主轴轴承磨损、刀片钝化等故障。数字孪生模型模拟设备衰减曲线，备件更换周期精度达±5%，设备综合效率（OEE）提升至95%。机械切割引发的残余应力会导致芯片分层失效。中清航科创新采用超声波辅助切割，高频振动（40kHz）使材料塑性分离，应力峰值降低60%。该技术已获ISO 14649认证，适用于汽车电子AEC-Q100可靠性要求。Chiplet架构需对同片晶圆分区切割。中清航科多深度切割系统支持在单次制程中实现5-200μm差异化切割深度，精度±1.5μm。动态焦距激光模块配合高速振镜，完成异构芯片的高效分离。
中清航科创新性推出“激光预划+机械精切”复合方案：先以激光在晶圆表面形成引导槽，再用超薄刀片完成切割。此工艺结合激光精度与刀切效率，解决化合物半导体（如GaAs、SiC）的脆性开裂问题，加工成本较纯激光方案降低35%。大尺寸晶圆切割面临翘曲变形、应力集中等痛点。中清航科全自动切割机配备多轴联动补偿系统，通过实时监测晶圆形变动态调整切割参数。搭配吸附托盘，将12英寸晶圆平整度误差控制在±2μm内，支持3D NAND多层堆叠结构加工。
为提升芯片产出量，中清航科通过刀片动态平衡控制+激光辅助定位，将切割道宽度从50μm压缩至15μm。导槽设计减少材料浪费，使12英寸晶圆有效芯片数增加18%，明显降低单颗芯片制造成本。切割产生的亚微米级粉尘是电路短路的元凶。中清航科集成静电吸附除尘装置，在切割点10mm范围内形成负压场，配合离子风刀清理残留颗粒，洁净度达Class 1标准（>0.3μm颗粒<1个/立方英尺）。中清航科设备内置AOI（自动光学检测）模块，采用多光谱成像技术实时识别崩边、微裂纹等缺陷。AI算法在0.5秒内完成芯片级判定，不良品自动标记，避免后续封装资源浪费，每年可为客户节省品质成本超百万。切割粉尘在线监测中清航科传感器精度达0.01μm颗粒物检测。
随着半导体市场需求的快速变化，产品迭代周期不断缩短，这对晶圆切割的快速响应能力提出更高要求。中清航科建立了快速工艺开发团队，承诺在收到客户新样品后 72 小时内完成切割工艺验证，并提供工艺报告与样品测试数据，帮助客户加速新产品研发进程，抢占市场先机。晶圆切割设备的操作安全性至关重要，中清航科严格遵循 SEMI S2 安全标准，在设备设计中融入多重安全保护机制。包括激光安全联锁、急停按钮、防护门检测、过载保护等，同时配备安全警示系统，实时显示设备运行状态与潜在风险，确保操作人员的人身安全与设备的安全运行。晶圆切割应急服务中清航科24小时响应，备件储备超2000种。温州碳化硅半导体晶圆切割测试
晶圆切割后分选设备中清航科集成方案，效率达6000片/小时。盐城12英寸半导体晶圆切割刀片
针对小批量多品种的研发型生产需求，中清航科提供柔性化切割解决方案。其模块化设计的切割设备可在 30 分钟内完成不同规格晶圆的换型调整，配合云端工艺数据库，存储超过 1000 种标准工艺参数，工程师可快速调用并微调，大幅缩短新产品导入周期，为科研机构与初创企业提供灵活高效的加工支持。晶圆切割后的检测环节直接关系到后续封装的质量。中清航科将 AI 视觉检测技术与切割设备深度融合，通过深度学习算法自动识别切割面的微裂纹、缺口等缺陷，检测精度达 0.5μm，检测速度提升至每秒 300 个 Die，实现切割与检测的一体化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪费。盐城12英寸半导体晶圆切割刀片
