为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。微型芯片封装难度大，中清航科微缩技术，实现小体积承载强性能。浙江to-220封装
芯片封装的基础概念：芯片封装，简单来说，是安装半导体集成电路芯片的外壳。它承担着安放、固定、密封芯片的重任，能有效保护芯片免受物理损伤以及空气中杂质的腐蚀。同时，芯片封装也是沟通芯片内部与外部电路的关键桥梁，芯片上的接点通过导线连接到封装外壳的引脚上，进而与印制板上的其他器件建立连接。中清航科深谙芯片封装的基础原理，凭借专业的技术团队，能为客户解读芯片封装在整个半导体产业链中的基础地位与关键作用，助力客户从源头理解相关业务。浙江mems传感器封装中清航科专注芯片封装，通过材料革新让微型化与高效能兼得。
面向CPO共封装光学，中清航科开发硅光芯片耦合平台。通过亚微米级主动对准系统，光纤-光栅耦合效率＞85%，误码率＜1E-12。单引擎集成8通道112GPAM4，功耗降低45%。中清航科微流控生物芯片封装通过ISO13485认证。采用PDMS-玻璃键合技术，实现5μm微通道密封。在PCR检测芯片中，温控精度±0.1℃，扩增效率提升20%。针对GaN器件高频特性，中清航科开发低寄生参数QFN封装。通过金线键合优化将电感降至0.2nH，支持120V/100A器件在6GHz频段工作。电源模块开关损耗减少30%。
针对MicroLED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。中清航科深耕芯片封装，与上下游协同，构建从设计到制造的完整生态。
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112GPAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。中清航科聚焦芯片封装，用环保材料替代，响应绿色制造发展趋势。江苏封装sot
穿戴设备芯片需轻薄，中清航科柔性封装，适配人体运动场景需求。浙江to-220封装
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。浙江to-220封装
