氧化铝陶瓷和氧化锆陶瓷耐磨性比较
一、天然氧化铝是刚玉,莫式硬度为9 ,立方氧化锆的莫式硬度为8.5 。因此就纯氧化铝和氧化锆来说氧化铝的硬度更高,也就更耐磨。
二、但是氧化铝陶瓷是混合体,它人工经过配料然后烧结而成的,并非纯脆的刚玉。因此要看陶瓷的氧化铝含量,有的厂家有95%氧化铝陶瓷,97%氧化铝陶瓷,99%氧化铝,99.7%氧化铝陶瓷等多种陶瓷。
三、而氧化锆陶瓷硬度也非常高。
四、氧化锆增韧后的性能也非常好,应用非常之广。
五、如果在离心作用力下工作的研磨介质材料比较好选用氧化锆,其单斜晶型密度为5.85。而氧化铝的密度只有3.9-4.0。因此选氧化锆做研磨介质会产生更大的剪切力,提高研磨效率。
六、如果做为研磨罐,或轴承等部件的材料,则选择硬度更高的高纯氧化铝陶瓷效果会更好 纺织陶瓷是用一些高速转运的一些机械来将纤维进行混合,这样就能达到他所需要的耐高温、耐磨损的特性。广东氧化铍陶瓷品牌
目前导热陶瓷行业常用的陶瓷基板主要有氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板两大类。那么什么是氮化铝陶瓷,什么是氧化铝陶瓷,这两种陶瓷基板有哪些不同的,下面豪麦瑞为您总结:
首先我们分析介绍下氮化铝陶瓷基板:
1、氮化铝陶瓷英文:AluminiumNitrideCeramic,是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以(AIN4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料,热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。 广东氧化铍陶瓷品牌氧化铝陶瓷主要组成物为Al2O3,一般含量大于45%.氧化铝陶瓷具有各种优良的性能。
氧化铝陶瓷基板:
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于厚膜集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度,具有优良的耐磨性能。
5、适用范围广,应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备,强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
采用特殊烧成工艺降低瓷体烧结温度
采用热压烧结工艺,在对坯体加热的同时进行加压,那么烧结不仅是通过扩散传质来完成,此时塑性流动起了重要作用,坯体的烧结温度将比常压烧结低很多,因此热压烧结是降低Al2O3陶瓷烧结温度的重要技术之一。
目前热压烧结法中有压力烧结法和高温等静压烧结法(HIP)二种。HIP法可使坯体受到各向同性的压力,陶瓷的显微结构比压力烧结法更加均匀。
就氧化铝瓷而言,如果常压下普通烧结必须烧至1800℃以上的高温,热压20MPa烧结,在1000℃左右的较低温度下就已致密化了。热压烧结技术不仅***降低氧化铝瓷的烧结温度,而且能较好地***晶粒长大,能够获得致密的微晶**的氧化铝陶瓷,特别适合透明氧化铝陶瓷和微晶刚玉瓷的烧结。此外,由于氧化铝的烧结过程与阴离子的扩散速率有关,而还原气氛有利于阴离子空位的增加,可促进烧结的进行。因此,真空烧结、氢气氛烧结等是实现氧化铝瓷低温烧结的有效辅助手段。
在实际的生产工艺中,为获得比较好综合经济效益,上述低烧技术往往相互配合使用,其中加入助烧添加剂的方法相对其它方法而言,具有成本低、效果好、工艺简便实用的特点。在中铝瓷、高铝瓷和刚玉瓷的生产中被***使用。 利用碳化硅陶瓷的导热性可制作高温下的热交换器材料。
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陶瓷材料是工程材料中刚度比较好、硬度比较高的材料,其硬度大多在1500HV以上。广东氧化铍陶瓷品牌
热膨胀系数是考评印制电路板时常提到的数据,它的缩写是CTE,主要描述物体受热或者冷却时形变的百分率。
世界上每种材料都会随着温度的变化产生膨胀或者收缩,这种变化可能并不能由人们直接看到,但确实存在。虽然不乏一些材料反其道而行之,温度下降时反而膨胀,但大多数材料还是遵循常识,在受热后会产生小幅度的膨胀,这种膨胀一般是用每摄氏度每百万分之几来描述的,即ppm/C。
CTE是如何影响电路板的呢?
目前的主流PCB基板,其CTE平均导热率在14~17ppm/C,而焊接到PCB上的硅芯片的CTE是6ppm/C,这样就存在了不可忽视的膨胀率差异——当PCB和芯片同时受热,PCB会比芯片封片封装膨胀得更剧烈,从而导致焊点从芯片上脱落。 广东氧化铍陶瓷品牌