石墨烯宏观体材料的形状可通过改变不同的制备方法、反应基底及反应容器等对其进行调控,但其微观结构的可控性和重复性差。具有相同宏观形貌的石墨烯相关理化性能也不尽相同,甚至相差很大。因此,对于实现宏观体石墨烯材料微观结构的控制是今后研究的一个难点。当前制备石墨烯宏观体材料大部分都是以氧化石墨、氧化石墨烯以及还原氧化石墨烯等石墨烯氧化物为原料,但这些石墨烯氧化物在电学性能和力学性能等方面都略有减弱,制备出来的石墨烯宏观体材料的结构性能也就与理论研究结果差距较大,因而对石墨烯宏观体制备原料的开发以及结构性能的提高是至关重要的。尽管石墨烯宏观体材料较大的比表面积和良好的电学性能可应用于环境治理和电子器件等领域,但石墨烯良好的透光和导热性能仍待进一步的研究应用。导热型石墨烯,外观为黑色粉末。标准氧化石墨烯措施

石墨烯薄膜具有优异的面内热导率和良好的柔钿性,因此经常在可穿戴设备、电子设备等领域被用作散热材料使用。刘忠范院士团队[78]通过等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在蓝宝石衬底上生长石墨烯纳米壁,得到的纳米壁具有独特的结构和出色的热导率。在输入电流为350mA的情况下,基于石墨烯纳米壁组装的LED在光输出功率方面提高了37%左右,而温度却降低了3.8%,说明石墨烯纳米壁可用作LED应用中增强散热的良好材料。Kim[79]等人使用球磨法将氟化石墨剥落为氟化石墨烯溶液,然后通过真空抽滤得到10pm厚的超薄氟化石墨烯薄膜(EGF),显示出242Wm-1K-1的优异面内热导率。Guo_等人通过涂布法制备了一种厚度可控的可拉伸石墨烯薄膜。这种石墨烯薄膜具有良好的柔韧性和优异的导热性能,在施加3.2V电压时,薄膜可以在6s内从室温快速升温至45°C。而去除外加电压后,石墨烯薄膜可在5s内迅速冷却至室温,实验结果显示其既具有快速的电加热响应,又具有高效的散热能力。河北氧化石墨烯导热氧化石墨烯未来可以应用于水泥复合材料。

氧化石墨烯一般由石墨经强酸氧化而得。主要有三种制备氧化石墨的方法:Brodie法,Staudenmaier法和Hummers法。其中Hummers法的制备过程的时效性相对较好而且制备过程中也比较安全,是目前**常用的一种。它采用浓硫酸中的高锰酸钾与石墨粉末经氧化反应之后,得到棕色的在边缘有衍生羧酸基及在平面上主要为酚羟基和环氧基团的石墨薄片,此石墨薄片层可以经超声或高剪切剧烈搅拌剥离为氧化石墨烯,并在水中形成稳定、浅棕黄色的单层氧化石墨烯悬浮液。由于共轭网络受到严重的官能化,氧化石墨烯薄片具有绝缘的特质。经还原处理可进行部分还原,得到化学修饰的石墨烯薄片。虽然***得到的石墨烯产物或还原氧化石墨烯都具有较多的缺陷,导致其导电性不如原始的石墨烯,不过这个氧化−剥离−还原的制程可有效地让不可溶的石墨粉末在水中变得可加工,提供制作还原氧化石墨烯的途径。而且其简易的制程及其溶液可加工性,考虑量产的工业制程中,上述工艺已成为制造石墨烯相关材料及组件的极具吸引力的工艺过程。
从化学结构可以看到,石墨烯具有垂直于晶面方向的大π键,此结构决定了其具有优异的电化学性能,在室温下的导热系数可高达5300W·(m·K)-1,能够比肩比较好的碳纳米管导热材料。常温下其电子迁移率甚至高于碳纳米管和硅晶体,属于世界上电阻率**小的材料。此外,石墨烯还具有完全敞开双表面的结构特性,也就是说它类似于不饱和有机分子,能够进行一系列的有机反应,能够与聚合物或无机物结合,从而提升材料的机械性和导电导热性。深入这方面的研究,对石墨烯进行官能团修饰,能够使其化学活性更加丰富[3-4]。由于石墨烯具有上述的结构特性,越来越多的研究者开始着眼于以石墨烯为基底的合成材料。氧化石墨烯的精确结构还无法得到确定。

涂膜法是一种操作简单、效率相对较高的制备方法,常见的涂膜法可分为喷涂法和旋涂法两种。3〇^0山6[46]等人将00悬浮液喷涂在预热后的51/3丨02基材上,待溶剂完全蒸发后得到石墨烯薄膜。在喷涂过程中,可通过调节喷雾持续时间和分散液浓度来精确地控制GO片的厚度及密度,进一步还原后所得到的石墨烯薄膜可作为P型半导体,并表现出良好的场效应响应。除了普遍使用的喷涂法之外,Lian[47]等人将电喷雾沉积法与卷对卷工艺相结合,经过机械压实和2200°C高温处理后得到***石墨烯薄膜,热导率比较高可达1434Wnr1K-1,并且可实现大面积生产。Bao[4]等人将GO分散液沉积在强氧化剂处理过的玻璃基材表面,并使基材分别以500rpm、800rpm和1600rpm的速度旋转30s,石墨烯复合材料可用于注射和挤出成型制件,作为粒子材料应用于矿用管、给水管及汽车电器配件等领域。标准氧化石墨烯措施
石墨烯可应用于橡胶、塑料、树脂、纤维等高分子复合材料领域,从而提高复合材料的机械性能。标准氧化石墨烯措施
智能手机、平板电脑等便携式设备的普及为人们的生活带来了极大的便利。但是,其中的高速处理器等电子组件会产生不良的电磁能量,这不仅会损害电子组件自身的使用寿命、干扰其他组件的功能,还会对人体健康带来危害。石墨烯薄膜具有优异的电学性能及热学性能,被认为是相当有发展前景的超薄电磁屏蔽材料。郑**教授团队[56]通过蒸发自组装法制备了大面积GO薄膜。经过石墨化处理后,所得石墨烯薄膜具有出色的性能,其电磁屏蔽性能和面内热导率分别可达20dB、1100WFengW等人通过叠层热压技术成功制备了含有石墨烯纳米片(GNP)和Ni纳米链的复合膜(HAMS)。通过将Ni纳米链和GNP选择性地分布在不同的层中,其比较好电导率、屏蔽效果和面内热导率分别可以达到76.8Sm'51.4dB和8.96WH1-1K-1。标准氧化石墨烯措施