半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下:1、较大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA...
查看详细 >>三极管的作用:1、用作开关,三极管的作用之二就是用作开关。三极管在饱和导通时,其CE极间电压很小,低于PN结导通电压,CE极间相当于短路,“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时,其CE极间电流很小,相当于断路,“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能,且其开关速度极快,控制灵敏,且不产生电火花。2、扩流,三极管的作用之三就是扩流作用,...
查看详细 >>在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS...
查看详细 >>二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。均压电阻要取阻值比二极管反向电阻值小的电阻器,各个电阻器的...
查看详细 >>三极管能够放大信号的理解,三极管具有电流放大作用,它是一个电流控制器件。所谓电流控制器件是指,它用很小的基极电流来控制比较大的集电极电流和发射极电流。三极管电路中,三极管输出电流(集电极电流、发射极电流)是由直流电源提供的,基极电流则是一部分由所要放大的信号源电路提供,另一部分也是由直流电源提供。基极电流分为两部分:直流电源提供的静态偏置...
查看详细 >>对于PNP型三极管,分析方法类似,不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反,因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的...
查看详细 >>恒流二极管 ( 英语 : Constant Current Diode ) (或称定电流二极管,CRD、Current Regulative Diode),被施加顺方向电压的场合,无论电压多少,可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极管,但是构造、动作原理都与接合型电场效应晶体管相似。变容二极管,施加反...
查看详细 >>在1884年,爱迪生被授予了此项发明的专业技术。由于当时这种装置实际上并不能看出实用价值,这项专业技术更多地是为了防止别人声称较早发现了这一所谓“爱迪生效应”。20年后,约翰·弗莱明(爱迪生前雇员)发现了这一效应的实用价值,它可以用来制作精确检波器。1904年11月16日,头一个真正的热离子二极管——弗莱明管,由弗莱明在英国申请了专业技术...
查看详细 >>发光二极管,发光二极管名称名称为Light-emitting diode,简称LED。是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有普遍的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。在PN结中注入的少数载流子与多数载流子复合时...
查看详细 >>三极管的 3 种工作状态,分别是截止状态、放大状态、饱和状态。接下给大家讲一下这三种状态情况:1、截止状态,三极管的截止状态,这应该是比较好理解的,当三极管的发射结反偏,集电结反偏时,三极管就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头,水龙头里的水是流不出来的。三极管工作原理-截止状态,截止状态下,三极管各电极的电流几乎为0,集电极和发...
查看详细 >>绝缘栅场效应管:1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控...
查看详细 >>场效应晶体管:截止区:当 UGS 小于开启电压 UGSTH时,MOS 不导通。可变电阻区:UDS 很小,I_DID 随UDS 增大而增大。恒流区:UDS 变化,I_DID 变化很小。击穿区:UDS 达到一定值时,MOS 被击穿,I_DID 突然增大,如果没有限流电阻,将被烧坏。过损耗区:功率较大,需要加强散热,注意较大功率。场效应管主要参...
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