合理的热设计余量,这个就不多说了,各个企业都有自己的降额规范,严格执行就可以了,不行就加散热器。MOSFET发热原因分析,做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来...
查看详细 >>二极管的诞生得益于半导体技术,从原理上讲它涉及到微观电子学,所以它的底层原理是比较复杂的,但我们实际运用时主要在于根据我们电路的特点选择合适的二极管型号,所以底层原理这里没有说明,之后在实际电子设计中再将进一步了解。你是否还记得,很多时候你妈妈兴冲冲的走到你面前,眉飞色舞的要和你说点啥,可是话到嘴边却给忘了!然后她会拍拍脑袋尴尬的说:我这...
查看详细 >>N沟道耗尽型MOSFET场效应管的基本结构:a.结构:N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。b.区别:耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。c.原因:制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MO...
查看详细 >>用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表):a.先选量程:R﹡100或R﹡1K档位。b.判别半导体三极管基极:用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极,红表笔分别接半导体三极管另外两各电极,观察指针偏转,若两次的测量阻值都大或是都小,则改脚所接就是基极(两次阻值都小的为NPN型管,两次阻值都大的为PNP型管),若两次测量阻值一大一...
查看详细 >>二极管是电路中经常用的一种电子元器件看,它的英文名称是Diode,又称晶体二极管,是用P型和N型半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。二极管引脚是有正负极性区分的,A(Ano...
查看详细 >>场效应管与晶体管的比较:(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管...
查看详细 >>二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和...
查看详细 >>场效应管主要参数:1、漏源击穿电压。漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的较大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。2、较大耗散功率。较大耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。...
查看详细 >>常见到的是发红光、绿光或黄光的发光二极管,翠绿色是人眼感觉较舒服的颜色,所以发翠绿光的发光二极管使用的较多,同时价格也就较便宜,比如手机上的按键灯颜色大多是翠绿色的。每种颜色的发光二极管内阻是不同的,这就造成了同样电压和电流情况下,发出的光线强度不同,比如电路中使用绿色的发光二极管,光线就很亮,但换成红色的发光二极管,发出的红光就很暗。因...
查看详细 >>三极管能够放大信号的理解,三极管具有电流放大作用,它是一个电流控制器件。所谓电流控制器件是指,它用很小的基极电流来控制比较大的集电极电流和发射极电流。三极管电路中,三极管输出电流(集电极电流、发射极电流)是由直流电源提供的,基极电流则是一部分由所要放大的信号源电路提供,另一部分也是由直流电源提供。基极电流分为两部分:直流电源提供的静态偏置...
查看详细 >>什么是三极管?三极管是一种电子元件,也被称为晶体三极管。它由三个掺杂不同类型半导体材料制成,主要用于放大电路和开关电路中。三极管是现代电子技术中较重要的器件之一,普遍应用于各种电子设备中。三极管的工作原理:三极管有三个区域:基区、发射区和集电区。基区和集电区都是掺杂相反类型的半导体材料,而发射区则是另一种掺杂类型的半导体材料。当一个正向电...
查看详细 >>LED 灯具的驱动。设计LED灯具的时候经常要使用MOS管,对LED恒流驱动而言,一般使用NMOS。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,设计时必须注意栅极驱动器负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容...
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