三极管的作用：1、用作开关，三极管的作用之二就是用作开关。三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，其CE极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。2、扩流，三极管的作用之三就是扩流作用，...

三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时，在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。电流控制：NPN型三极管： 用基极B流向发射极E的电流IB，控制集电极C流向发射极E的电流IC...

Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管，制造非对称晶体管有很多理由，但所有的较终结果都是一样的，一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source，如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel...

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低...

三极管的工作原理。三极管的工作原理基于小电流控制大电流的原则，其工作机制像一个可控制的阀门。根据不同的工作状态和连接方式，三极管主要可以分为三种类型：共基极（CB）、共集电极（CC）和共发射极（CE）。共基极（CB）：基极端子在输入和输出端子之间是公共的。共集电极（CC）：集电极端子在输入和输出端子之间是公共的。共发射极（CE）：发射极端...

MOS管发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的较忌讳的错误。2....

频率倍增用二极管，频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode，对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极...

开关作用原理，下面说说三极管的饱和情况.像上面那样的图,因为受到电阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么较大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的.当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大 时,三极管就进入了饱和状态.一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic.进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电...

三极管，又叫做双极型三极管，是一种电流控制电流型半导体元器件，目前的三极管的主要用途是信号放大，或者作为电子开关使用。复合管（达林顿管），复合晶体管是将两个和更多个晶体管的集电极连在一起，而将头一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次连接而成，较后引出E、B、C三个电极。复合晶体管可以用两只同极性的晶体管组成；也可以用两只不同...

1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管，真空管二极管具有两个电极 ，一个阳极和一个热式阴极。在半导体性能被发现后，二极管成为了世界上头一种半导体器件。现如今的二极管大多是使用硅来生产，锗等其它半...

晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管，点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是...

什么是三极管？三极管是一种电子元件，也被称为晶体三极管。它由三个掺杂不同类型半导体材料制成，主要用于放大电路和开关电路中。三极管是现代电子技术中较重要的器件之一，普遍应用于各种电子设备中。三极管的工作原理：三极管有三个区域：基区、发射区和集电区。基区和集电区都是掺杂相反类型的半导体材料，而发射区则是另一种掺杂类型的半导体材料。当一个正向电...