RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源在超表面制造中的精密加工在光学超表面制造中,RPS远程等离子源通过SF6/C4F8远程等离子体刻蚀氮化硅纳米柱,将尺寸偏差控制在±2nm以内。通过优化刻蚀选择比,将深宽比提升至20:1,使超表面工作效率达到80%。实验结果显示,经RPS远程等离子源加工的超透镜,数值孔径达0.9,衍射极限分辨率优于200nm。RPS远程等离子源的技术演进与未来展望新一代RPS远程等离子源集成AI智能控制系统,通过实时监测自由基浓度自动调节工艺参数。采用数字孪生技术,将工艺开发周期缩短50%。未来,RPS远程等离子源将向更高精度(刻蚀均匀性>99%)、更低损伤(损伤层<1nm)方向发展,支持2nm以下制程和第三代半导体制造,为先进制造提供主要 工艺装备。为功率电子封装提供低热阻界面。山东晟鼎RPS厂家

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RPS远程等离子源在热电材料制备中的创新应用在碲化铋热电材料图案化中,RPS远程等离子源通过Cl2/Ar远程等离子体实现各向异性刻蚀,将侧壁角度控制在88±1°。通过优化工艺参数,将材料ZT值提升至1.8,转换效率达12%。在器件集成中,RPS远程等离子源实现的界面热阻<10mm²·K/W,使温差发电功率密度达到1.2W/cm²。RPS远程等离子源在超表面制造中的精密加工在光学超表面制造中,RPS远程等离子源通过SF6/C4F8远程等离子体刻蚀氮化硅纳米柱,将尺寸偏差控制在±2nm以内。通过优化刻蚀选择比,将深宽比提升至20:1,使超表面工作效率达到80%。实验结果显示,经RPS远程等离子源加工的超透镜,数值孔径达0.9,衍射极限分辨率优于200nm。山东半导体RPS推荐厂家适用于特种材料科研开发的超真空表面处理。

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远程等离子体源(Remote Plasma Source,RPS)是一种用于产生等离子体的装置,它通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。RPS 通过将气体输送到装置中,利用电场或者磁场产生等离子体,然后将等离子体传输到需要处理的表面区域。与传统等离子体源不同的是,RPS 通常不直接接触要处理的表面,而是在一定距离之外产生等离子体,并将等离子体输送到目标表面,因此被称为“远程等离子体源”。远程等离子体源RPS的主要优点在于它可以实现对表面的均匀处理,而且对于一些敏感的表面或者材料,由于远离等离子体,因此减少了对表面的热和化学损伤。此外,远程等离子体源RPS可以被集成到真空处理系统中,使得表面处理和材料改性的工艺更加灵活和高效。

远程等离子体源RPS反应原理:氧气作为工艺气体通入等离子发生腔后,会电离成氧离子,氧离子会与腔室里面的水分子、氧分子、氢分子、氮分子发生碰撞和产生化学反应。物理碰撞会让这些腔室原有的分子,电离成离子态,电离后氧离子和氢离子,氧离子和氮离子,氧离子和氧离子都会由于碰撞或者发生化学反应生成新的物质或者功能基团。新形成的物质或者功能基团,会更容易被真空系统抽走,从而达到降低原有腔室的残余气体含量。当然,氧等离子进入到腔室所发生的反应,比以上分析的状况会更复杂,但其机理是相类似的。用于医疗器械制造中生物相容性表面的活化处理。

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RPS远程等离子源在汽车电子中的可靠性保障针对汽车电子功率模块的散热需求,RPS远程等离子源优化了界面处理工艺。通过N2/H2远程等离子体活化氮化铝基板,将热阻从1.2K/W降至0.8K/W。在传感器封装中,采用O2/Ar远程等离子体清洗焊盘,将焊点抗拉强度提升至45MPa,使器件通过3000次温度循环测试(-40℃至125℃)。RPS远程等离子源在航空航天电子中的特殊应用为满足航空航天电子器件的极端可靠性要求,RPS远程等离子源开发了高真空兼容工艺。在SiC功率器件制造中,通过He/O2远程等离子体在10-6Pa真空环境下进行表面处理,将栅氧击穿电场强度提升至12MV/cm。在辐射加固电路中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在5×109/cm²·eV以下,确保器件在100krad总剂量辐射下保持正常工作。在文化遗产保护中实现文物无损清洁。浙江国产RPS型号

适用于生物芯片微流道表面的亲水化改性处理。山东晟鼎RPS厂家

RPS远程等离子源应用领域在半导体前道制程中尤为关键,特别是在高级 逻辑芯片和存储芯片的晶圆清洗环节。随着技术节点向5纳米乃至更小尺寸迈进,任何微小的污染和物理损伤都可能导致器件失效。传统的湿法清洗或直接等离子体清洗难以避免图案倾倒、关键尺寸改变或材料损伤等问题。而RPS远程等离子源通过物理分离等离子体产生区与处理区,只将高活性的氧自由基、氢自由基等中性粒子输送到晶圆表面,能够在不施加物理轰击的情况下,高效去除光刻胶残留、有机污染物和金属氧化物。这种温和的非接触式处理方式,能将对脆弱的FinFET结构或栅极氧化层的损伤降至比较低,确保了器件的电学性能和良率。因此,在先进制程的预扩散清洗、预栅极清洗以及刻蚀后残留物去除等关键步骤中,RPS远程等离子源应用领域已成为不可或缺的工艺选择,为摩尔定律的持续推进提供了可靠的表面处理保障。山东晟鼎RPS厂家

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