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近场辐射基本参数
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  • 齐全
近场辐射企业商机

目标成像的研究已有几十年的历史了,其研究成果早已用于医学的X光诊断及雷达的目标识别。用近场研究目标的像是80年代末才开始的,它是在已知目标散射近场和入射场情况下,利用微波分集技术,逆推或反演表征目标几何特征的目标函数,由目标函数给出目标的几何形状,这一过程称为目标的近场成像。这种测量方法的另一致命弱点是测量时间很长,测量时间与取样点数几乎成四次方的关系,实用目标的测量时间达到了不可容忍的程度。测量环境对散射近场测量散射体电特性也有很大的影响,除了在测量区域附加吸收材料外,还需要用到“背景对消技术”,其基本原理为:在无散射体的情况下,先用收、发探头对测量区域空间扫描一次,并记录采样数据;在有散射体的情况下,记录这时扫描测量的采样数据,在保证一维扫描器(取样架)定位精度的条件下,利用计算机软件对两次对应位置的测量数据逐点进行矢量相减(复数相减),这样就消除了环境对测量数据的影响。从物理概念上讲,无功近场区是一个储能场。武汉干扰源近场辐射扫描仪

辐射近场测量方法都需要测量出近场的相位和幅度,才能利用近场理论计算出天线的远场电特性,为了简化计算公式和测量系统以及降低测量时间与测量的相位误差(在频率f很高的情况下,即f>80 GHz,相位的测量误差是很大的),于是,有学者提出只用近场测量值的幅度来重建天线远场的方法。该方法的基本思想为[10]:测出S1,S2两个面的幅度值(A1,A2),人为选定S1面测量值的相位(φ1),先由S1面的幅度、相位值(A1,φ1)计算出S2面的幅度、相位值(a2,φ2),用A2代替a2,再由A2,φ2求出S1面的a1,φ1,用A1代替a1,重新由A1,φ1求出S2面新的a2,φ2,如此迭代下去,直至A1-a1≤ε,A2-a2≤ε(ε为测量精度),便可得到S1或S2面的相位分布,这时,可由S1或S2实测的幅度和迭代过程所得到的相位求得天线的远场电特性。由于迭代收敛等原因,这方面的研究还未付诸实施。深圳多媒体近场辐射解决方案电场要比磁场强得多,对于电压低电流大的场源(如某些感应加热设备的模具),磁场要比电场大得多。

电磁波辐射基础知识:电磁辐射常见的产生方式是导体中电流的突变或者电压的骤升,辐射的路径通过PCB走线,器件的引脚,连接器或者是其它的金属介质,包括机箱,机架或者是产品的外壳。这个电磁辐射实际上是指电场和磁场的相互作用,相互影响。它被这样描述:正交时变的电场和磁场的传播。尽管电场和磁场是由同一现象产生的,但是他们对环境的影响是完全不同的。磁场只由移动的电荷(即电流)产生。在大多数电路中,电流通过 PCB走线、 器件引脚进行传导。因此,磁场在走线中产生的电磁场中倾向占主要地位,从而传导信号和能量到电路中不同的部分。

展示了典型的半波偶极子天线是如何产生电场和磁场的。转发后的信号被调制为正弦波,电压呈极性变化,因此在天线的各元件间生成了电场,极性每半个周期变换一次。天线元件的电流产生磁场,方向每半个周期变换一次。电磁场互为直角正交。围绕着半波偶极子的电磁场包括一个电场和一个磁场,电磁场均为球形且互成直角。天线旁边的磁场呈球形或弧形,特别是距离天线近的磁场。这些电磁场从天线向外发出,越向外越不明显,特性也逐渐趋向平面。接收天线通常接收平面波。天线元件的电流产生磁场,方向每半个周期变换一次。

相比而言,要在第三方测试箱中测试新设计,就要求工程师前往场外测试场所,并会耗费大半天的时间。使用测试箱往往需要提前几周安排,这会给开发过程带来极大的延误。极近场扫描解决方案不会替代在测试箱中测试设计的需求。不过,这种仪器可以在简便的桌面系统中实现快速的前后一致性测试功能。与在测试箱中进行的远场测量相比,极近场EMI特性可以提供实时反馈。此外,这些测量结果与在测试箱中测得的远场测量结果具有很高的相关性。因此,诸如EMxpert等极近场仪器可以减少在测试箱中进行类似测试的数量。总之,这可以帮助设计团队加快测试进程,更快地得到测试箱测试的一致性测试结果。近场成分指的立方衰减分量强度随距离(观测点的天线的距离)。深圳多媒体近场辐射解决方案

远场开始于距离为2λ的地方。辐射出的正弦波和近场、远场。武汉干扰源近场辐射扫描仪

和磁场不一样,电场是因为移动或者静电荷产生的。通过这种方式,当感受到散热片或者金属外壳上的电磁波的时候,电场会影响并改变磁场。这种电场效应也会倾向于改变离源头更远的地方(即远场)。因为环境因素例如无线电台,wifi或者是人为的干扰射频信号,远场测量更容易出现错误。远场测量,比如说某个兼容测试的信号发射部分的表现测量,会比近场测量需要更复杂的设备和更丰富的知识。通过测量由导体产生的电磁场的相位和频率,我们可以找出导致EMI问题的高电势点。武汉干扰源近场辐射扫描仪

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