辐射近场测量的研究与误差分析的探讨是同时进行的，研究结果表明：辐射近场测量的主要误差源为18项，大致分为4个方面，即探头误差、机械扫描定位误差、测量系统误差以及测量环境误差。对于平面辐射近场测量的误差分析已经完成，计算机模拟及各项误差的上界也已给出；柱面、球面辐射近场测量的误差分析尚未完成。对于平面辐射近场测量而言，由基本理论可知，在θ=-90°或90°（θ为场点偏离天线口面法线方向的方向角）时，这种方法的精度明显变差，因此平面辐射近场测量适用于天线方向图为单向笔形波束天线的测量，可信域（-θ，θ）中的θ值与近场扫描面和取样间距有如下关系（一维情况）：θ=arctg［（L-X）/2d］，式中L为扫描面的尺寸；X为天线口径面的尺寸；d为扫描面到天线口径面的距离。天线旁边的磁场呈球形或弧形，特别是距离天线近的磁场。长沙手机近场辐射解决方案
在近场工作区内针对主反射墙的吸波材料进行特定频段吸收特性的测试。测试近场工作区反射电平时，发射天线先置于暗室中心轴线上，接收天线置于正对被测墙壁的一个合理位置，并沿两天线轴线移动一段距离进行反射电平的测试。测试步骤：连接好测试系统，按置发射天线及接收天线于测试位置Ⅰ；设置信号源频率为1GHz，输出功率调至合适大小使发射天线辐射信号，接收天线在正对发射天线方向，沿待测行程线移动，并记录接收信号曲线，测试曲线作为这条行程线的参考电平线；将接收天线方向朝向被测墙壁吸波材料方向，接收天线沿这条测量行程线移动，并记录空间驻波曲线。武汉蓝牙耳机近场辐射系统价格近场的设计决定了放射性核素释放的速率。
天线周围的空间电磁场根据特性的不同又可划分为三个不同的区域：(a)感应近场，(b)辐射近场，(c)辐射远场，它们的区分依靠离开天线的不同距离来限定。在这些场区交界的距离处电磁场的结构并无突变发生，但总体上来看，三个区域的电磁场特性是互不相同的。尽管有各种准则来区分三者的边界，但这些准则并不是单独的，我们需要了解的是相互之间的本质区别：感应近场区指靠近天线的区域。在此区域内，由于感应场分量占主导地位，其电场和磁场的时间相位差为90度，电磁场的能量是震荡的，不产生辐射。
天线口径场分布诊断是通过测量天线近区场的分布逆推出天线口径场分布，从而判断出口径场畸变处所对应的辐射单元，这就是天线口径分布诊断的基本原理。该方法对具有一维圆对称天线口径分布的分析是可靠的，尤其对相控阵天线的分析与测量已有了充分的可信度。天线方向图副瓣电平在-28～-35 dB之间的天线称为低副瓣天线；副瓣电平小于-40 dB的天线称为很低副瓣天线。对它们的测量要用到“零探头”技术，据文献报导，副瓣电平在-40 dB以上时，测量精度为±3 dB，副瓣电平为-55 dB时，测量精度为±5 dB。过渡区是指近场和远场之间的部分(有些模型没有定义过渡区)。
从90年代末至今，近场微波成像已经引起了学者们的浓厚兴趣，但由于常规目标散射近场的复杂性，致使近场微波成像远远滞后于远场成像。近场微波成像中，着眼于潜在的应用，目标函数既可以是理想导体目标的轮廓函数，也可以是目标介电常数的分布函数。从照射天线与成像目标的相对运动方式来看，近场微波成像有两种模式：即直线扫描模式和转台模式，研究方法可分为电磁逆散射法和球背向投影法（Spherical Back Projection，简写为SBP）。其中电磁逆散射法散射机理清晰，但数学公式复杂且有很大的局限性，因而，实际中使用较少；而球背向投影法在实际中使用较多。利用球背向投影法在直线扫描模式和转台模式情况下的目标函数解析公式已经给出。远场分量的强度距离衰减二次组件。浙江手机近场辐射扫描仪
近场成分指的立方衰减分量强度随距离（观测点的天线的距离）。长沙手机近场辐射解决方案
辐射区内，电磁场开始辐射，标志着远场的开始。场的强度和天线的距离成反比(1/ r3)。辐射出的正弦波和近场、远场。近场通常分为两个区域，反应区和辐射区。在反应区里，电场和磁场是很强的，并且可以单独测量。根据天线的种类，某一种场会成为主导。例如环形天线主要是磁场，环形天线就如同变压器的初级，因为它产生的磁场很大。近场和远场的边界、运行频段的波长。天线应位于正弦波左侧起始的位置。和近场类似，远场的起始也没有统一的定义。有认为是2 λ，有坚持说是距离天线3 λ或10 λ以外。还有一种说法是5λ/2π，另有人认为应该根据天线的很大尺寸D，距离为 50D2/λ。长沙手机近场辐射解决方案
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