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近场辐射基本参数
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近场辐射企业商机

辐射近场测量的基本理论虽然已经成熟,且在实用中也取得了较多的研究成果,但对以下问题还应进行进一步的探讨研究:在前述的理论中,所有的理论公式都是在忽略多次散射耦合条件下而得出的,这些公式对常规天线的测量有一定的精度,但对低副瓣或很低副瓣天线测量就必需考虑这些因素,因此,需要建立严格的耦合方程。球面辐射近场测量能够计算除球心以外天线任意面上任意点的辐射场,但测量及计算时间都较长。柱面辐射近场测量能够计算天线全部面的辐射方向图,但在θ=-90°或90°时,柱面波展开式中汉克尔函数已无意义,所以,柱面辐射近场测量适用于天线方向图为扇形波束天线的测量。天线旁边的磁场呈球形或弧形,特别是距离天线近的磁场。重庆可视化近场辐射检测

在实际使用中,感兴趣的是辐射远场区。通常的应用中,我们应该避免收、发天线处在近场区范围,因为此时不但天线的方向图没有形成,而且在近场范围内的任何导电体甚至介质物体都被看成是天线电磁边界条件的一部分,它影响了原来的天线,和原来的天线一起共同修正和改变了远场的方向图辐射特性,从而影响了实际使用效果。某些特殊应用场合,天线和其它物体靠得很近,从而使天线的辐射特性变得极其复杂,比如手机天线置于人体附近的情况,这需要专门予以讨论。西安家电灯具近场辐射仪器从物理概念上讲,无功近场区是一个储能场。

众所周知,在离开被测目标3λ~5λ(λ为工作波长)距离上测量该区域电磁场的技术称为 技术。如果被测目标是 器,则称为辐射近场测量;若被测目标是 体,则称为散射近场测量;对测得散射体的散射近场信息进行反演或逆推就能得到目标的像函数,这就是目标近场成像。但是,截止目前为止,关于辐射、散射近场测量以及 溶为一体的综述性文章还未见到公开的报导,这对从事这方面研究的学者无疑是一种遗憾。为使同行们能全部地了解该技术的发展动态,该文概述了近几十年来关于辐射、散射近场测量及近场成像技术前人所做的工作及其新进展,并指出了未来研究的主要方向。

从90年代末至今,近场微波成像已经引起了学者们的浓厚兴趣,但由于常规目标散射近场的复杂性,致使近场微波成像远远滞后于远场成像。近场微波成像中,着眼于潜在的应用,目标函数既可以是理想导体目标的轮廓函数,也可以是目标介电常数的分布函数。从照射天线与成像目标的相对运动方式来看,近场微波成像有两种模式:即直线扫描模式和转台模式,研究方法可分为电磁逆散射法和球背向投影法(Spherical Back Projection,简写为SBP)。其中电磁逆散射法散射机理清晰,但数学公式复杂且有很大的局限性,因而,实际中使用较少;而球背向投影法在实际中使用较多。利用球背向投影法在直线扫描模式和转台模式情况下的目标函数解析公式已经给出。转发后的信号被调制为正弦波,电压呈极性变化。

测量方法的优点是通过一次测量可获得较多的信息量,利用这些信息可计算出金属导体目标散射的平面和空间的散射方向图以及它的散射极化特性;也可计算出该导体目标RCS的一定值,但在实际测量系统中,发射探头(提供照射源的探头)和接收探头是安装在同一个道轨上,因此,按照散射近场平面波扫描理论,发射探头扫描在一个位置时,接收探头需要在一维方向做一次扫描;发射探头扫描在另一个位置时,接收探头仍要在一维方向做一次扫描,发射探头位置不断向一个方向扫描,接收探头的扫描范围就会越来越小,因此,有一半的测量数据是得不到的,解决这一问题的方法是利用互易定理。和近场类似,远场的起始也没有统一的定义。西安家电灯具近场辐射仪器

在数学上的电场强度,可以被看作是两个部分的总和。重庆可视化近场辐射检测

辐射近场测量的研究起始于50年代,70年代中期处于推广应用阶段(商品化阶段)。目前,分布在世界各地的近场测量系统已有100多套。该技术的基本理论已基本成熟,这种测量方法的电参数测量精度比常规远场测量方法的测量精度要高得多,而且可全天候工作,并具有较高的保密性,因此,在民用中都显示出了它独特的优越性。辐射近场测量研究的主要成果,几十年来,辐射近场测量的研究在以下4个方面取得了突破性的进展:常规天线电参数的测量,天线近场测量可以给出天线各个截面的方向图以及立体方向图,可以分析出方向图上的所有电参数(波束宽度、副瓣电平、零值深度、零深位置等)和天线的极化参数(轴比、倾角和旋向)以及天线的增益。重庆可视化近场辐射检测

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