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电子元器件回收基本参数
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7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度:铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值:推荐10、22、47系列;25V以下禁选224、105、475之类容值型号(用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代)。10)极性:对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌:普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”(三和),铝电解电容选用NCC(黑金刚)或其他日本明星铝电解电容,或者中国台湾利隆。12)封装:优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点:在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显;Ø缺点:工作电压较低。选型规则:1)漏电流要求较高的场合,不选钽电解电容,需选用薄膜电容。2)耐压:降额选用,禁止选用耐压超过35V以上的,、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐,4V、、50V为禁用(用铝电解电容替代),电源输入级或低阻抗环境使用,推荐降额到,电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装:插脚式钽电解电容禁选。5)品牌:选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则:低ESR和高的谐振频率,ESR越小越好。2)Q值:高Q值陶瓷电容慎选;只用在射频电路上。3)封装:0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。


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常见的A/D、D/A器件有8位,10位,12位,14位,16位等。2)速度:应根据输入信号的高频率来确定,保证转换器的转换速率要高于系统要求的采样频率,满足Nyquist采样定理。3)通道:确认A/D转换需要的通道数量,多路采样的模式,并行还是串行。4)数字接口方式:接口有并行/串行之分,串行又有SPI、I2C、SM等多种不同标准。数值编码通常是二进制,也有BCD(二~十进制)、双极性的补码、偏移码等,推荐SPI和I2C接口。5)模拟信号类型:通常AD器件的模拟输入信号都是电压信号,而D/A器件输出的模拟信号有电压和电流两种。6)极性:根据信号是否过零,还分成单极性(Unipolar)和双极性(Bipolar),优先选择单极性芯片。7)电源电压:有单电源,双电源和不同电压范围之分,早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V,如果选用单+5V电源的芯片则可以使用单片机系统电源,推荐5V供电电压。8)量程确认输入信号在A/D芯片的量程范围内,并能充分利用的量程。9)基准电压:有内、外基准和单、双基准之分,优先有内部基准的芯片。10)功耗:一般CMOS工艺的芯片功耗较低,对于电池供电的手持系统对功耗要求比较高的场合一定要注意功耗指标。11)封装:禁止选用DIP封装,只使用贴片封装。12)/保持。扬州批量电子元器件回收市场上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司,有想法可以来我司咨询!

焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。E)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。3、VMOS场效应管VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不*继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(μA左右),还具有耐压高(比较高1200V)、工作电流大(~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

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MSD主要指非气密性(Non-Hermetic)SMD器件,包括塑料封装器件、其他透水性聚合物封装(环氧、有机硅树脂等)器件。一般IC、芯片、电解电容、LED等都属于非气密性SMD器件。J-STD-020给出了元器件潮湿敏感等级(MoistureSensitivityLevel,MSL)划分,IPC-M190J-STD-033则针对潮湿敏感元器件(MSD)问题提出了传输、包装、运送及应用方面的建议和要求。元器件湿度敏感等级如表11所示。表11元器件湿度敏感等级表11中部分名词含义:①MBB:MoistureBarrierBag,即防潮真空包装袋,该袋同时要考虑ESD保护。②HIC:HumidityIndicatorCard,即湿度显示卡,显示包装袋内的潮湿程度,一般有若干圆圈,分别相对湿度10%、20%、30%等,各圆圈内原色为蓝色,当某圆圈内由蓝色变为紫红色时,则表明袋内已达到该圆圈对应的相对湿度;当某圆圈内再由紫红色完全变为淡红色时,则表明袋内已超过该圆圈对应的相对湿度。若湿度显示超过30%,即30%的圆圈内HIC卡颜色完全变成了淡红色,表明生产前需要进行烘烤。③警告标签:WarningLabel,即防潮包装袋外的含MSIL(MoistureSensitiveIdentificationLabel)符号、芯片的潮湿敏感等级。电子元器件回收,请选择上海海谷电子有限公司。淮安废弃电子元器件回收

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一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。③以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。B)检测比较高工作频率fM晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1K的多为高频管。C)检测比较高反向击穿电压VRM对于交流电来说,因为不断变化,因此比较高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,比较高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比比较高反向工作电压高得多(约高一倍)。2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5K~10K,反向电阻值为无穷大。3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为45K左右,反向电阻为无穷大。南通电子元器件回收网

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