WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。此外,其低dropout电压(170mV@IOUT=200mA)和极低静态电流(70μA)使得它在低功耗应用中表现突出。
这款产品的应用领域较广,包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师,还是对于寻求成本效益的生产商,WL2801E都是理想的选择。
安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销,并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技,您将获得优异的产品和服务。 ESD5311N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:X1-DFN1006-2。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2855K
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WAS4783CESD54151N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006。
ES9DN12BA瞬态电压抑制器
ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性:
· 截止电压:±12V。
· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)
· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)
· 典型电容:CJ=27pF
· 极低泄漏电流:IR=0.1nA
· 低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。
· 固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。
应用:
· 计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。
· 手机
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7037AT2-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。
ESD5311N:单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:截止电压:5V,根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电),根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs),低电容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏电流:IR < 1nA(典型值),低箝位电压:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固态硅技。
应用领域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便携式电子设备,笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 ESD9N5B-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5B5VL
WL2815D18-4/TR 线性稳压器韦尔 封装:X2-DFN1010-4-EP。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2855K
WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WL2855K