中文资料WILLSEMI韦尔WCL058N10DN

    WS3222是一款具有可调OVLO（过压锁定）阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时，该设备将关闭内部MOSFET，断开输入到输出的连接，以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整，OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度，以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点：

· 输入电压：29V

· 导通电阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP响应时间：450ns（典型值）

· 可调OVLO

· 阈值电压：4V~15V

应用：

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT（机顶盒、互联网电视）

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值，为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用，符合环保标准。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WL2836D28-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔WCL058N10DN

ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。

     ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

      其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。

     应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。

     ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56151W04WAS4735Q-16/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN1826-16L(1.8x2.6)。

  BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。

  以下是BL1551B的主要特性和优势：

高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。

低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。

高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。

宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。

  此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。

ESD56151Wxx：电源保护新选择

     ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准，为电路提供强大的浪涌保护，同时遵循IEC61000-4-2标准，提供±30kV的ESD保护。 

     ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计，能迅速将电压限制在安全范围内，减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性，确保在长期使用中仍能保持优异的性能。 

     这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景，如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口，提高设备稳定性和可靠性，延长使用寿命，降低维修和更换成本。 

     安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 ESD73131CZ-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DWN0603-2L。

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 ESD54191CZ-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DWN0603-2L。规格书WILLSEMI韦尔ESD5425E

ESD5451NL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WCL058N10DN

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WCL058N10DN