规格书WILLSEMI韦尔ESD56181W20

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2801E33-5/TR 线件稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。规格书WILLSEMI韦尔ESD56181W20

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WL2864CESDA6V8AV6-6/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-563。

    ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。

技术特性：

· 反向截止电压：7.5V~15V

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs

· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs

· 低钳位电压

· 固态硅技术

应用领域：

· 电源保护

· 电源管理

    ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压，为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护，其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。

主要特性：

截止电压：5V

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.25pF（典型值）

极低漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流，保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口，确保数据传输的稳定性。紧凑、环保，广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息，请查阅手册或联系我们。 WNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。

  BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。

  以下是BL1551B的主要特性和优势：

高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。

低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。

高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。

宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。

  此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 SPD9811B-2/TR 半导体放电管（TSS）封装：SMB。规格书WILLSEMI韦尔ESD54105E

ESD5305F-6/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-23-6。规格书WILLSEMI韦尔ESD56181W20

ESD5451N：双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电，以及峰值脉冲电流达8A（8/20μs），为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装，具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax，电容典型值为17.5pF，漏电流极低，典型值小于1nA。此外，其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景，包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性，为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56181W20