天津专业特种封装流程

IC设计趋势大致朝着高集成化、快速化、多功能化、低耗能化及高频化发展，对应的半导体封装基板呈现出“四高一低”的发展趋势，即高密度布线、高速化和高频化、高导通性、高绝缘可靠性、低成本性。在近年的电子线路互连结构制造领域，相比于蚀刻铜箔技术（减成法），半加成法主要采用精确度更高、绿色的电沉积铜技术制作电子电路互连结构。近十几年来，在封装基板或者说整个集成电路行业，互连结构主要是通过电沉积铜技术实现的，其原因在于金属铜的高性能和低价格，避免了蚀刻铜流程对互连结构侧面蚀刻，铜的消耗量减少，互连结构的精细度和完整性更好，故电沉积铜技术是封装基板制作过程中极其重要的环节。云茂电子可为客户定制化开发芯片特种封装外形的产品。天津专业特种封装流程

芯片封装类型有很多种，常见的几种包括：1. DIP封装（Dual Inline Package）：这是较早的一种芯片封装类型，主要用于排列直插式的引脚。DIP封装通常有直插式（Through-Hole）和表面贴装式（Surface Mount）两种形式。2. SOP封装（Small Outline Package）：SOP是一种紧凑型封装形式，引脚以细长的小脚排列在芯片两侧，并采用表面贴装技术进行焊接。3. QFP封装（Quad Flat Package）：QFP封装是一种扁平封装形式，引脚排列在四个侧边，并且每个侧边有多个引脚。QFP封装常见的有QFP44、QFP64、QFP100等规格。天津专业特种封装流程DIP封装（Dual Inline Package）：这是较早的一种芯片封装类型，主要用于排列直插式的引脚。

无源晶振封装，常见的无源晶振封装有HC-49U（简称49U）、HC-49S（简称49S）、UM系列等，如图8所示。49U、49S、UM系列是现在石英晶振使用较普遍的几个产品，因其成本较低、精度、稳定度等符合民用电子设备，所以受到工厂的青睐。以HC-49S为例进行介绍，49S又称为HC-49US封装。HC-49S属于直插式石英晶振封装，直插2脚，高壳体积为10.5×4.5×3.5MM，矮壳体积10.5×5.0×2.5MM，属国际通用标准，普通参数标准负载电容为20PF（12PF 16PF 30PF等） 精度为±20PPM ±50ppm等，电阻120Ω，参数标准方面跟HC-49U、HC-49SMD无差别。49S相对49U体积较小，不会因体积大造成电路板空间的浪费，进而不会增加电路板的造价成本，已逐步替代49U。

根据封装材料的不同，半导体封装可分为塑料封装、金属封装、陶瓷封装和玻璃封装。塑料 封装是通过使用特制的模具，在一定的压力和温度条件下，用环氧树脂等模塑料将键合后的半成 品封装保护起来，是目前使用较多的封装形式。金属封装以金属作为集成电路外壳，可在高温、 低温、高湿、强冲击等恶劣环境下使用，较多用于jun事和高可靠民用电子领域。陶瓷封装以陶瓷 为外壳，多用于有高可靠性需求和有空封结构要求的产品，如声表面波器件、带空气桥的 GaAs 器件、MEMS 器件等。玻璃封装以玻璃为外壳，普遍用于二极管、存储器、LED、MEMS 传感 器、太阳能电池等产品。其中金属封装、陶瓷封装和玻璃封装属于气密性封装，能够防止水汽和 其他污染物侵入，是高可靠性封装；塑料封装是非气密性封装。晶体管外形封装，TO252和TO263就是表面贴装封装。

封装基板的结构，封装基板的主要功能是实现集成电路芯片外部电路、电子元器件之间的电气互连。有核封装基板可以分为芯板和外层线路，而有核封装基板的互连结构主要包括埋孔、盲孔、通孔和线路。无核封装基板的互连结构则主要包括铜柱和线路。无核封装基板制作的技术特征主要是通过自下而上铜电沉积技术制作封装基板中互连结构—铜柱、线路。相比于埋孔和盲孔，铜柱为实心铜金属圆柱体结构，在电气传输方面性能更加优良，铜柱的尺寸也远低于盲孔的尺寸，直接在40μm左右。在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。安徽专业特种封装定制

BGA封装是一种引脚以焊球形式存在于底部的封装形式。天津专业特种封装流程

芯片封装类型有哪些？芯片封装就是把集成裸片集成到一块基板上面，再把用户需要的引脚全部引出来，做成成品芯片，芯片封装是芯片制造的重要工序。芯片封装的类型有多种，其中常见的主要有以下几种：DIP直插式封装，DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，这种芯片封装已经有很多年的历史，如51单片机、AC-DC控制器、光耦运放等都在使用这种封装类型。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，可以通过专门使用底座进行使用，当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接，对于插在底座上使用，可以易于更换，焊接难度也很低，只需要电烙铁便可以进行焊接装配。天津专业特种封装流程