陕西MEMS封装方式

SiP 与先进封装也有区别：SiP 的关注点在于系统在封装内的实现，所以系统是其重点关注的对象，和 SiP 系统级封装对应的为单芯片封装；先进封装的关注点在于：封装技术和工艺的先进性，所以先进性的是其重点关注的对象，和先进封装对应的是传统封装。SiP 封装并无一定形态，就芯片的排列方式而言，SiP 可为多芯片模块（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封装，也可再利用 3D 封装的结构，以有效缩减封装面积；而其内部接合技术可以是单纯地打线接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。SiP封装方法的应用领域逐渐扩展到工业控制、智能汽车、云计算、医疗电子等许多新兴领域。陕西MEMS封装方式

SiP 封装种类，SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术、超薄晶圆键合技术、硅通孔（TSV）技术以及芯片倒装（Flip Chip）技术等。 封装结构复杂形式多样。SiP几种分类形式，从上面也可以看到SiP是先进的封装技术和表面组装技术的融合。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。由于2D封装无法满足系统的复杂性，必须充分利用垂直方向来进一步扩展系统集成度，故3D成为实现小尺寸高集成度封装的主流技术。吉林SIP封装市价固晶贴片机（Die bonder），是封装过程中的芯片贴装（Die attach）的主要设备。

SiP还具有以下更多优势：可靠性 – 由于SiP与使用分立元件（如IC或无源器件）的PCB系统非常相似，因此它们至少具有相同的预期故障概率。额外的可靠性来自所涉及的封装，这可以增强系统并为设备提供更长的使用寿命。一个例子是使用模塑来封装系统，从而保护焊点免受物理应力的影响。天线集成 – 在许多无线应用（蓝牙、WiFi）中，都需要天线。在系统级封装解决方案中，天线可以集成到封装中，与RF IC的距离非常短，从而确保无线解决方案的更高性能。但是，对于完整的视图，我们必须承认SiP也可能有一些缺点。

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式，芯片一般用MicroBump与中介层连接，硅基板做中介层使用Bump与基板连接，硅基板的表面采用RDL接线，TSV是硅基板上、下表面的电连接通道，该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合，当引脚密度较大时，通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示，有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上，该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大，可以安装多个较小的裸芯片，但是小芯片无法直接连接到基板，所以需要插入一块中介层，若干裸芯片安装于中介层之上，中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号，再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV，只需在interposer的上层布线来实现电气互连，interposer采用Bond Wire和封装基板连接。SiP封装基板半导体芯片封装基板是封装测试环境的关键载体。

系统级封装（SiP）是将多个集成电路（IC）和无源元件捆绑到单个封装中，在单个封装下它们协同工作的方法。这与片上系统（SoC）形成鲜明对比，功能则集成到同一个芯片中。将基于各种工艺节点（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同电路的硅芯片可以垂直或并排堆叠在衬底上。该封装由内部接线进行连接，将所有芯片连接在一起形成一个功能系统。系统级封装类似于片上系统(SOC)，但它的集成度较低，并且使用的不是单一半导体制造工艺。常见的SiP解决方案可以利用多种封装技术，例如倒装芯片、引线键合、晶圆级封装等。封装在系统中的集成电路和其他组件的数量可变，理论上是无限的，因此，工程师基本上可以将整个系统集成到单个封装中。Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。陕西MEMS封装方式

随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。陕西MEMS封装方式

包装，主要目的是保证运输过程中的产品安全，及长期存放时的产品可靠性。对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。主要材料有Tray盘，抗静电袋，干燥剂、湿度卡，纸箱等。包装完毕后，直接入库或按照要求装箱后直接发货给客户。倒装焊封装工艺工序介绍，焊盘再分布，为了增加引线间距并满足倒装焊工艺的要求，需要对芯片的引线进行再分布。制作凸点，焊盘再分布完成之后，需要在芯片上的焊盘添加凸点，焊料凸点制作技术可采用电镀法、化学镀法、蒸发法、置球法和焊膏印尽4法。目前仍以电镀法较为普遍，其次是焊膏印刷法。陕西MEMS封装方式