在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发(或溅射)，使其沉积在被涂覆的物体(称基片、基板或基体)上的方法称为真空镀膜法。真空蒸镀简称蒸镀，是在真空条件下，用一定的方法加热锻膜材料(简称膜料)使之气化，并沉积在工件表面形成固态薄膜。以动量传递的方法，用荷能粒子轰击材料表面，使其表面原子获得足够的能量而飞逸出来的过程称为溅射。离子镀膜技术简称离子镀，离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物质或其反应产物沉积在基片上。电阻加热蒸镀是用丝状或片状的钨、钼、钽高熔点金属做成适当形状的蒸发源，将膜料放在其中，接通电源，电阻直接加热膜料而使其蒸发。反应气体过量就会导致靶中毒。UV光固化真空镀膜设备
热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。直流（DC）磁控溅射与气压的关系-在一定范围内提高离化率（尽量小的压强下维持高的离化率）、提高均匀性要增加压强和保证薄膜纯度、提高薄膜附着力要减小压强的矛盾，产生一个平衡。提供一个额外的电子源，而不是从靶阴极获得电子。实现低压溅射（压强小于0.1帕）。射频（RF）磁控溅射特点-射频方法可以被用来产生溅射效应的原因是它可以在靶材上产生自偏压效应。在射频溅射装置中，击穿电压和放电电压明显降低。不必再要求靶材一定要是导电体。真空镀膜厂家镀膜层能有效隔绝环境中的有害物质。
电子束真空镀膜的物理过程：物理的气相沉积技术的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）电子束激发镀膜材料金属颗粒的气化：即镀膜材料的蒸发、升华从而形成气化源，（2）镀膜材料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子（原子团、分子团或离子团）经过碰撞，产生多种反应。（3）镀膜材料粒子在基片表面的沉积。LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。
LPCVD设备中的薄膜材料的质量和性能可以通过多种方法进行表征和评价。常见的表征和评价方法有以下几种：（1）厚度测量法，是指通过光学或电子手段来测量薄膜的厚度，如椭圆偏振仪、纳米压痕仪、电子显微镜等；（2）成分分析法，是指通过光谱或质谱手段来分析薄膜的化学成分，如X射线光电子能谱（XPS）、二次离子质谱（SIMS）、原子发射光谱（AES）等；（3）结构表征法，是指通过衍射或散射手段来表征薄膜的晶体结构，如X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、透射电子显微镜（TEM）等；（4）性能测试法，是指通过电学或力学手段来测试薄膜的物理性能，如电阻率、介电常数、硬度、应力等。真空镀膜技术普遍应用于工业制造。
LPCVD设备的工艺参数主要包括以下几个方面：（1）气体前驱体的种类和比例，影响了薄膜的组成和性能；（2）气体前驱体的流量和压力，影响了薄膜的沉积速率和均匀性；（3）反应温度和时间，影响了薄膜的结构和质量；（4）衬底材料和表面处理，影响了薄膜的附着力和界面特性。不同类型的薄膜材料需要使用不同的工艺参数。例如，多晶硅的沉积需要使用硅烷作为气体前驱体，流量为50-200sccm，压力为0.1-1Torr，温度为525-650℃，时间为10-60min；氮化硅的沉积需要使用硅烷和氨作为气体前驱体，比例为1:3-1:10，流量为100-500sccm，压力为0.2-0.8Torr，温度为700-900℃，时间为10-30min。真空镀膜技术在汽车行业中应用普遍。潮州小家电真空镀膜
真空镀膜在电子产品中不可或缺。UV光固化真空镀膜设备
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。UV光固化真空镀膜设备
