在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发(或溅射)，使其沉积在被涂覆的物体(称基片、基板或基体)上的方法称为真空镀膜法。真空蒸镀简称蒸镀，是在真空条件下，用一定的方法加热锻膜材料(简称膜料)使之气化，并沉积在工件表面形成固态薄膜。以动量传递的方法，用荷能粒子轰击材料表面，使其表面原子获得足够的能量而飞逸出来的过程称为溅射。离子镀膜技术简称离子镀，离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物质或其反应产物沉积在基片上。电阻加热蒸镀是用丝状或片状的钨、钼、钽高熔点金属做成适当形状的蒸发源，将膜料放在其中，接通电源，电阻直接加热膜料而使其蒸发。真空镀膜过程中需防止尘埃污染。PVD真空镀膜技术
通常在真空镀膜中制备的薄膜与衬底的粘附主要与一下几个因素有关：1.衬底表面的清洁度；2.制备时腔体的本底真空度；3.衬底表面的预处理。衬底的清洁度会严重影响薄膜的粘附力，也可能导致制备的薄膜在脏污处出现应力集中甚至导致开裂；设备的本底真空也是影响粘附力的重要5因素，对于磁控溅射来说，通常要保证设备的本底真空尽量低于5E-6Torr；对于某些衬底表面，通常可以使用等离子体对其进行预处理，也能很大程度增加薄膜的粘附力。镇江真空镀膜工艺流程镀膜层能明显提升产品的耐磨性。
电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中一种常用的方法，是在高真空条件下利用电子束激发进行直接加热蒸发材料，是使蒸发材料由固体转变为气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于底部有循环水冷的坩埚当中，可避免电子束击穿坩埚导致仪器损坏，而且可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。在微电子与光电子集成中，薄膜的形成方法主要有两大类，及沉积和外延生长。沉积技术分为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法；化学气相沉积是典型的化学方法；等离子体增强化学气相沉积是物理与化学方法相结合的混合方法。薄膜沉积过程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉积部位和晶态结构都是随机的，而没有固定的晶态结构。
电子束真空镀膜的物理过程：物理的气相沉积技术的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）电子束激发镀膜材料金属颗粒的气化：即镀膜材料的蒸发、升华从而形成气化源，（2）镀膜材料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子（原子团、分子团或离子团）经过碰撞，产生多种反应。（3）镀膜材料粒子在基片表面的沉积。LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。真空镀膜技术为产品带来独特的功能性。
加热：通过外部加热源（如电阻丝、电磁感应等）对反应器进行加热，将反应器内的温度升高到所需的工作温度，一般在3001200摄氏度之间。加热的目的是促进气相前驱体与衬底表面发生化学反应，形成固相薄膜。送气：通过气路系统向反应器内送入气相前驱体和稀释气体，如SiH4、NH3、N2、O2等。送气的流量、比例和时间需要根据不同的沉积材料和厚度进行调节。送气的目的是提供沉积所需的原料和控制沉积反应的动力学。沉积：在给定的压力、温度和气体条件下，气相前驱体与衬底表面发生化学反应，形成固相薄膜，并释放出副产物。沉积过程中需要监测和控制反应器内的压力、温度和气体组成，以保证沉积质量和性能。卸载：在沉积完成后，停止送气并降低温度，将反应器内的压力恢复到大气压，并将沉积好的衬底从反应器中取出。卸载时需要注意避免温度冲击和污染物接触，以防止薄膜损伤或变质。真空镀膜设备需精确控制温度和压力。江门真空镀膜设备
镀膜层能明显提升产品的抗辐射能力。PVD真空镀膜技术
衡量沉积质量的主要指标有以下几项：指标就是均匀度。顾名思义，该指标就是衡量沉积薄膜厚度均匀与否的参数。薄膜沉积和刻蚀工艺一样，需将整张晶圆放入沉积设备中。因此，晶圆表面不同角落的沉积涂层有可能厚度不一。高均匀度表明晶圆各区域形成的薄膜厚度非常均匀。第二个指标为台阶覆盖率（StepCoverage）。如果晶圆表面有断层或凹凸不平的地方，就不可能形成厚度均匀的薄膜。台阶覆盖率是考量膜层跨台阶时，在台阶处厚度损失的一个指标，即跨台阶处的膜层厚度与平坦处膜层厚度的比值。PVD真空镀膜技术
