3)共掺Tm3和Ho3固态激光器。Ho3的5I7能级与Tm3的3F4能级相匹配，很容易实现它们之间的有效能量传递。利用ho3 敏化，高能脉冲激光可以实现2m焦耳以上的输出。但是，Tm3和Ho3之间容易发生上转换发光和反向能量转移，影响上能级粒子的聚集，降低激光效率。例如，HO:LULIF4激光器的比较高单脉冲能量可达1J，而其比较高斜率效率*为16.5%[21]。因此，开发Tm3和Ho3共掺固体激光器的关键是找到合适的激光基质来提高Tm3和Ho3之间的能量转移效率，从而提高激光输出效率。
综上所述，掺Tm3 /Ho3的LD泵(包括单掺Tm3和Ho3；双掺杂Tm3和Ho3)晶体具有结构紧凑、光束质量好、能满足雷达发射源线宽度和脉冲宽度等傅里叶变化极限要求等特点。它是实现高效率2m波段连续和调q脉冲激光输出的***方法之一，是目前中红外固体激光器研究领域的一个热点。 Tm:YAP晶体能量转移参数计算方法是？湖北TmYAP材料区别
Tm:YAP晶体的激光实验研究我们采用实验装置，对3at%、4at%及5at%浓度Tm:YAP晶体在哈尔滨工业大学可调谐激光实验室进行了激光性能的测试。激光功率的测量采用Coherent Fieldmate功率计，探头为PM-30。激光波长的测量采用WDG30光栅单色仪，焦距30cm，光栅常数300条/mm，闪耀波长2mm。
3at%Tm:YAP激光实验在水冷温度18℃下进行，样品垂直b向切割，尺寸为4×4×8mm3，当注入功率22W时，获得5W 波长为1.94mm激光输出，光光转换效率23%。输出镜透射耦合率5%和8mm长晶体配合使用时，由于谐振腔透射损耗减小，增益较低的1.98~1.99mm波长振荡输出。对H2退火前后晶体激光性能进行了比较，3at%Tm:YAP晶体经过氢气退火处理，斜率效率较未经退火的提高40%，可见H2退火使晶体中杂质离子（Fe3+等）及缺陷减少，提高了晶体的激光性能，具体原因还有待于进一步分析。 内蒙古加工TmYAPTm:YAP晶体荧光谱及荧光寿命的温度依赖特性多少？
为了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶体中吸收跃迁特性以及其温度依赖特性，我们测试了4at%Tm:YAP晶体b向样品的变温吸收谱。图4-7为3H6→3H4跃迁对应的变温吸收谱。低温下Tm3+吸收为尖锐谱线，随温度升高，吸收峰变宽，吸收强度减弱，这是由于温度升高，晶格热振动增强，吸收过程将伴随更多的声子发射，使跃迁几率减小，强度减弱，谱峰变宽。红外侧805nm之后存在两个较弱的吸收峰，随温度升**度增强，我们认为这两个小峰对应基态中较高的Stark能级吸收跃迁。随温度升高，基态中较高的Stark能级热布局增大，因而跃迁强度增大。整个吸收光谱随温度升高重心红移。
Tm:YAG是**早研究的2m激光晶体之一，是一种重要的红外可调谐激光晶体(调谐范围1.87 ~ 2.16m)。和YAG一样，Tm:YAG属于立方系，石榴石结构，O-Ia3d空间群，各向同性。Tm:YAG激光能级分裂765cm-1，单次斯塔克能级跃迁线宽约10nm，允许斯塔克能级跃迁数为117。3H63H4对应的吸收峰在785nm左右，吸收截面为5.410-21cm2。785nm Ti:蓝宝石激光激发时，荧光范围为1.6 ~ 2.3 m，峰值波长为2.05m。Tm:YAG具有大的荧光寿命和发射截面。以5.9%Tm:YAG为例，3F4能级的荧光寿命为8.5ms，激光波长(2.015m)处的发射截面为2.210-21cm2。1997年，Eric C. Honea等人采用2% TM3360 YAG和纯YAG的复合晶体，由6个InAlGaAs二极管阵列(460W)在805nm泵浦，采用了特殊的光腔设计。在90%水和10%乙醇(3)的冷却条件下，获得了2m115W的连续激光输出，这是目前掺Tm激光晶体的最大输出功率文献也报道了在150nm可调谐范围1.87 ~ 2.16 m的连续激光输出，斜率效率大于30%，**大值为59%。在连续调TM : YAG激光器的研究中，李成等人报道了单脉冲输出能量为1.2mJ，半峰全宽为380毫微秒。在提供高质量Tm:YAG激光器的研究中，Galzerans G在2001年报道了Tm(9.3%):YAG是用光纤耦合GaAlAs激光二极管作为泵浦源(3W)泵浦的，单纵模输出为70mW Tm:YAP晶体的吸收谱图。
1. 随温度升高，Tm:YAP晶体吸收和发射峰逐渐展宽形成谱带；在吸收谱上峰位重心红移，而发射谱则重心蓝移，这是由离子能级热布居改变引起的；此外随温度升高3F4能级寿命先增大后减小。
2. 非偏振吸收谱a、c向样品在795nm处具有较大吸收截面，约为5.0×10-21cm2，在800nm处b向样品具有约3.6×10-21cm2吸收截面。
3. 5at%Tm:YAP各偏振方向发射截面中E//a方向在1934nm具有比较大发射截面4.5×10-21cm2，对该偏振方向增益截面进行了计算，结果显示，Tm:YAP晶体E//a方向具有宽且平缓的发射峰，以β=0.5为例，从1756nm至2150nm范围内增益截面均为正值，这说明Tm:YAP在2mm波段将具有宽调谐特性。增益截面峰值为1934nm，当β=0.5时，该峰值达到2.08×10-21cm2。 提拉法生长Tm:YAP晶体的吗？加工TmYAP现货
Tm:YAP晶体光谱参数及能量转移参数计算方法？湖北TmYAP材料区别
电子元器件应用领域十分宽泛，几乎涉及到国民经济各个工业部门和社会生活各个方面，既包括电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等传统工业，也涵盖航天、激光、通信、高速轨道交通、机器人、电动汽车、新能源等战略性新兴产业。对于下一步发展计划，不少行家和企业表示，后续将继续完善电子信息全产业链的交易服务平台，深耕拓展光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，销售光电设备及配件、金属材料、五金交电，商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求，定制晶体浓度)，也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工线下授权分销及上下游相关行业，完善产业布局，通过发挥华强半导体集团的大平台优势，整合优化光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，销售光电设备及配件、金属材料、五金交电，商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求，定制晶体浓度)，也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工线下授权分销业务内外部资源。近年来，随着国内消费电子产品的生产型发展，电子元器件行业也突飞猛进。从产业历史沿革来看，2000年、2007年、2011年、2015年堪称是行业的几个高峰。从2016年至今，电子元器件产业更是陆续迎来了涨价潮。目前国内外面临较为复杂的经济环境,传统电子制造企业提升自身技术能力是破局转型的关键。通过推动和支持传统电子企业制造升级和自主创新,可以增强企业在产业链中的重点竞争能力。同时我国层面通过财税政策的持续推进,从实质上给予激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工创新型企业以支持,亦将对产业进步产生更深远的影响。湖北TmYAP材料区别
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