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TmYAP基本参数
  • 品牌
  • 上海蓝晶/四海常晶
  • 型号
  • /
  • 加工定制
  • 特性
  • 固体激光晶体
  • 功能
  • 固体激光
  • 微观结构
  • 单晶
TmYAP企业商机

1.1 Tm:YAP晶体的光谱性能1.1.1 Tm:YAP晶体的吸收谱实验中我们测试了常温下Tm:YAP晶体的不同浓度(1at%,3at%,4at%,5at%)不同方向非偏振吸收谱及4at%浓度下的不同方向偏振吸收谱,并且对4at%的b向样品进行了非偏振的变温吸收测试。

1at%,3at%,4at%,5at%Tm:YAP晶体c方向非偏振吸收谱。在418nm之后有5个吸收峰分别对应基态3H6到激发态3F4、3H5、3H4、3F2,3、1G4的跃迁,强度随浓度增大而增大,418nm之前包含两个峰,对应3H6到1D2 和1G5/2的跃迁,但其中3at%浓度样品吸收系数明显大于其它样品,这与3at%晶体颜色较深相一致,具体原因将在后面进行详细说明。 Tm:YAP晶体吸收及发射截面计算方式?福建超薄片TmYAP

1. 采用TPM法计算了Tm:YAP晶体JO参数:Ω2=0.8×10-19cm2,Ω4=1.6×10-19 cm2,Ω6=1.1×10-19 cm2,拟合得到的JO参数与文献报道的非常接近;由JO参数计算得3F4能级辐射寿命为4.8ms。

2. 计算了Tm:YAP中能量交叉弛豫参数CD-A=1.53×10-40cm6/s,能量交叉弛豫半径为6.2Å,施主与施主离子能量转移参数CD-D=2.48×10-39cm6/s;对不同浓度能量传递速率WEE进行计算,并结合速率方程求解,得出泵浦效率h随浓度增加而增加。

3. 3at%、4at%及5at%浓度Tm:YAP晶体进行了激光性能的测试。其中4at%Tm:YAP c向晶体在泵浦功率为24W时,实现最大功率8.1W的1.935mm激光输出,比较大斜效率达42%,为目前我们实验中Tm:YAP晶体比较好激光输出结果;此外对H2退火前后3at%Tm:YAP晶体激光性能进行了比较,晶体经过氢气退火处理,斜率效率较未经退火的提高40%。 超薄片TmYAP供应Tm:YAP与纯YAP晶体具有相似的结构?

Tm:YAP晶体结构及分凝系数如前所述,YAP晶体属正交晶系畸变钙钛矿结构,空间群为D162h (Pnma),其结构示意图如图4-2所示,其中Al3+的配位数为6,处于氧八面体的中心,而Y3+的配位数是12,处于氧配位多面体的中心。Y-O键间距离2.62Å,使稀土离子很容易取代Y3+进入晶格1。

我们通过XRD测试对所生长Tm:YAP晶体结构进行分析。不同浓度Tm:YAP与纯YAP的XRD谱比较,其中掺Tm3+YAP晶体与纯YAP晶体的衍射图谱完全一致,没有出现杂峰,说明Tm:YAP晶体结晶完整,呈完好的YAP相。


不同浓度Tm:YAP与纯YAP的XRD谱

根据衍射数据算得不同浓度Tm:YAP晶体的晶胞参数示,其晶格常数a、b、c及晶胞体积分别略小于纯YAP相应值,并且基本上随Tm3+掺杂浓度增大而进一步减小,但总得说来,基质晶体结构的畸变较小。这主要是因为Tm3+与Y3+同属于镧系的三价稀土离子,Tm3+的半径0.88 Å略小于Y3+的半径(0.9 Å),因此Tm3+的掺入使晶胞参数略微减小而不会改变YAP基质晶体的结构。

4.5Tm:YAP晶体激光实验研究


在哈尔滨工业大学可调谐激光实验室测试了浓度分别为3at%、4at%和5at%的Tm:YAP晶体的激光性能。相干场匹配功率计用于测量激光功率,探头为PM-30。激光波长由波长为30cm、光栅常数为300巴/毫米、闪耀波长为2m的WDG30光栅单色仪测量。


3at%Tm:YAP激光实验在18水冷温度下进行,样品沿b方向垂直切割,尺寸为448mm3。当注入功率为22W时,获得波长为1.94m的5W激光输出,光-光转换效率为23%。当输出镜的传输耦合比为5%且8mm长晶体一起使用时,谐振器的传输损耗降低,输出增益较低的1.98~1.99m波长振荡。比较了3at%Tm:YAP晶体在H2退火前后的激光性能。H2退火后3at% tm3360yap晶体的斜率效率比未退火时高40%。如图4-23所示,可以看出H2退火减少了杂质离子(Fe3等。)和晶体中的缺陷,提高晶体的激光性能。具体原因需要进一步分析。


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收尾工艺晶体生长到一定长度后进入收尾阶段,由于YAP晶体热膨胀系数各向异性,直接把晶体提脱液面会造成温场波动足以使晶体开裂,所以我们要升温将晶体尾部逐渐融化至直径缩小到10mm,升温速率要大于放肩时的降温速率,然后再以很大速率冷却至室温,生长结束。在提拉法中,**常用的加热方法是电阻加热和射频感应加热。坩锅材料的熔点必须比工作温度高出200℃左右。常用的坩锅材料为铂、铱、钼、二氧化硅或其他高熔点氧化物。粗略地说,铂、铱和钼主要用于生长氧化物或碱金属、碱土金属的卤化物晶体,而石墨、二氧化硅或其他高熔点氧化物主要用于生长半导体晶体或金属晶体。石墨和钼不能在氧化气氛下使用,铱可在弱氧化气氛下使用,其他材料则不受气氛的限制。单晶生长的驱动力来自于固液界面处形成的温度梯度(即过冷度),这主要是靠调节加热功率、保温装置以及循环水冷却系统等来实现的 有Tm:YAP晶体吸收及发射截面计算公式吗?陕西TmYAP哪家好

Tm:YAP晶体的激光实验研究。福建超薄片TmYAP

汽车电子、互联网应用产品、移动通信、智慧家庭、5G、消费电子产品等领域成为中国电子元器件市场发展的源源不断的动力,带动了电子元器件的市场需求,也加快电子元器件更迭换代的速度,从下游需求层面来看,电子元器件市场的发展前景极为可观。回顾过去一年国内激光晶体,闪烁晶体,光学晶体,光学元件及生产加工产业运行情况,上半年市场低迷、部分外资企业产线转移、中小企业经营困难,开工不足等都是显而易见的消极影响。但随着激光晶体,闪烁晶体,光学晶体,光学元件及生产加工产业受到相关部门高度重视、下游企业与元器件产业的黏性增强、下游 5G 产业发展前景明朗等利好因素的驱使下,我国电子元器件行业下半年形势逐渐好转。根据近几年的数据显示,中国已然成为世界极大的电子元器件市场,每年的进口额高达2300多亿美元,超过石油进口金额。但是**根本的痛点仍然没有得到解决——众多的有限责任公司(自然)企业,资历不深缺少金钱,缺乏人才,渠道和供应链也是缺少,而其中困恼还是忠实用户的数量。电子元器件加工是联结上下游供求必不可少的纽带,目前电子元器件企业商已承担了终端应用中的大量技术服务需求,保证了原厂产品在终端的应用,提高了产业链的整体效率和价值。电子元器件行业规模不断增长,国内市场表现优于国际市场,多个下**业的应用前景明朗,电子元器件行业具备广阔的发展空间和增长潜力。福建超薄片TmYAP

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