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TmYAP基本参数
  • 品牌
  • 上海蓝晶/四海常晶
  • 型号
  • /
  • 加工定制
  • 特性
  • 固体激光晶体
  • 功能
  • 固体激光
  • 微观结构
  • 单晶
TmYAP企业商机

X射线粉末不衍射


本研究采用x光粉末衍射仪分析晶体相和晶胞参数。X射线粉末衍射仪一般由X射线发生器、衍射仪测角台和探测器组成[62]。在传统的x光衍射过程中,安装在测角仪上的样品通常旋转一个角度,探测器旋转两个角度。-2扫描主要用于物质相的x光粉末衍射测定。根据扫描衍射图,结晶度、晶面取向度、晶格畸变、应力等。并且可以初步判断晶体中是否存在第二相物质。


实验中使用的衍射仪为XDC-1000型金尼尔-哈格相机,铜靶K1辐射,波长=1.540598,-2扫描模式,管电压和管电流分别为40kV和100毫安,扫描速度为4 /min。为了分析晶体的相组成、结晶度和杂质相,必须将晶体在玛瑙研钵中研磨成粉末样品,然后进行精细的x光粉末衍射扫描。得到的衍射数据可以用Rietveld全谱峰形拟合,**终计算出晶胞参数。

电感耦合等离子体原子发射光谱技术 Tm:YAP晶体提拉法生长的吗?湖北TmYAP材料区别

室温下晶体的吸收光谱是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光谱仪上测定的。测试范围一般为190~2500nm,从190~350nm范围,光源为氘灯(deuterium lamp),从340~2500nm范围用卤灯(halogen lamp)。在我们的实验中,测试范围一般为190-2100,光谱分辨率为2nm。测试的原理是根据光的吸收定律(Lambert’s law):

      I/I0=e-αL                                   (2-4)

其中I0为入射光强度,I为透过样品厚度为L的介质后的光强度,α为吸收系数。测试得到的吸收光谱数据为各波长下的光密度D,即lg(I/I0)。光密度D、吸收截面积σabs和吸收系数α具有如下的关系:

     α=                                 (2-5)

σabs=                                  (2-6)

式中N为离子的掺杂浓度。

晶体变温吸收谱采用液氦冷却,MiniStat控温装置来实现,红外吸收谱光源为白光,光谱仪为Nicolet Nexus 470/670/870傅立叶红外光谱仪,分辨率为0.2nm。 广西TmYAP批发价Tm:YAP晶体生长、光谱和激光性能研究。.


用直拉法成功地生长了浓度分别为1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶体,这些晶体均具有较高的光学质量,无宏观缺陷。用XRD和ICP分析了晶体结构和偏析特征,用激光脉冲法测试了TM3360YAP晶体的热导率。结果表明,随着掺杂浓度的增加,TM3360YAP晶体的热导率***降低。


测试和分析了不同浓度的Tm:YAP晶体的吸收和荧光特性及其温度依赖性。高浓度掺杂晶体表现出荧光猝灭现象。不同浓度的偏振荧光光谱显示,在1934 nm,浓度为5%时,在E//a方向的比较大发射截面为4.510-21cm2,发射峰宽而平。

根据吸收光谱计算出Tm:YAP晶体的JO参数为: 2=0.8 10-19cm2, 4=1.6 10-19cm2, 6=1.1 10-19cm2,均方根偏差为1.5110-22 cm2。根据吸收和发射的重叠积分,计算了tm3360 yap中的能量交叉


测试了浓度为3at%、4at%和5at%的Tm:YAP晶体的激光性能。当泵浦功率为24W,最大功率为8.1W,比较大斜率效率为42%,激光输出波长为1.935米时,4at  % Tm:YAP  c向样品获得比较好激光输出。


1.1 Tm:YAP晶体的光谱性能1.1.1 Tm:YAP晶体的吸收谱实验中我们测试了常温下Tm:YAP晶体的不同浓度(1at%,3at%,4at%,5at%)不同方向非偏振吸收谱及4at%浓度下的不同方向偏振吸收谱,并且对4at%的b向样品进行了非偏振的变温吸收测试。

1at%,3at%,4at%,5at%Tm:YAP晶体c方向非偏振吸收谱。在418nm之后有5个吸收峰分别对应基态3H6到激发态3F4、3H5、3H4、3F2,3、1G4的跃迁,强度随浓度增大而增大,418nm之前包含两个峰,对应3H6到1D2 和1G5/2的跃迁,但其中3at%浓度样品吸收系数明显大于其它样品,这与3at%晶体颜色较深相一致,具体原因将在后面进行详细说明。 Tm:YAP晶体的激光实验效果?

为了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶体中吸收跃迁特性以及其温度依赖特性,我们测试了4at%Tm:YAP晶体b向样品的变温吸收谱。图4-7为3H6→3H4跃迁对应的变温吸收谱。低温下Tm3+吸收为尖锐谱线,随温度升高,吸收峰变宽,吸收强度减弱,这是由于温度升高,晶格热振动增强,吸收过程将伴随更多的声子发射,使跃迁几率减小,强度减弱,谱峰变宽。红外侧805nm之后存在两个较弱的吸收峰,随温度升**度增强,我们认为这两个小峰对应基态中较高的Stark能级吸收跃迁。随温度升高,基态中较高的Stark能级热布局增大,因而跃迁强度增大。整个吸收光谱随温度升高重心红移。1.进一步优化光腔参数,设计合适的光腔结构,提高Tm:YAP晶体的激光输出效率及输出能量。抛光TmYAP方法

Tm:YAP晶体能级结构图有吗?湖北TmYAP材料区别

电子元器件产业作为电子信息制造业的基础产业,其自身市场的开放及格局形成与国内电子信息产业的高速发展有着密切关联,目前在不断增长的新电子产品市场需求、全球电子产品制造业向中国转移、中美贸易战加速国产品牌替代等内外多重作用下,国内电子元器件分销行业会长期处在活跃期,与此同时,在市场已出现的境内外电子分销商共存竞争格局中,也诞生了一批具有新商业模式的电子元器件分销企业,并受到了资本市场青睐。回顾过去一年国内激光晶体,闪烁晶体,光学晶体,光学元件及生产加工产业运行情况,上半年市场低迷、部分外资企业产线转移、中小企业经营困难,开工不足等都是显而易见的消极影响。但随着激光晶体,闪烁晶体,光学晶体,光学元件及生产加工产业受到相关部门高度重视、下游企业与元器件产业的黏性增强、下游 5G 产业发展前景明朗等利好因素的驱使下,我国电子元器件行业下半年形势逐渐好转。随着我们过经济的飞速发展,脱贫致富,实现小康之路触手可及。值得注意的是有限责任公司(自然)企业的发展,特别是近几年,我国的电子企业实现了质的飞跃。从电子元器件的外国采购在出售。电子元器件几乎覆盖了我们生活的各个方面,既包括电力、机械、交通、化工等传统工业,也涵盖航天、激光、通信、机器人、新能源等新兴产业。据统计,目前,我国电子元器件加工产业总产值已占电子信息行业的五分之一,是我国电子信息行业发展的根本。湖北TmYAP材料区别

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