4at%Tm:YAP激光实验在同样条件下进行，输出耦合镜的透射率为10%，样品尺寸为3×3×5mm3，垂直c向切割。达到阈值所需要的泵浦功率约4.4W，当泵浦功率为24W时，实现最大功率8.1W的激光输出，波长1.935mm，斜效率达42%，如图4-24。
5at%Tm:YAP晶体在同样的泵浦功率密度下，晶体端面发生脆裂，这可能与5at%Tm:YAP晶体局部吸收功率过高以及热力学性能较差有关。 Tm:YAP晶体能量转移参数计算方法是？黑龙江TmYAP注意事项
由以上激光实验结果来看，4at% Tm:YAP晶体激光性能比较好，因此我们认为在我们所生长的Tm:YAP晶体中，4at%为比较好化的掺杂浓度。1.1.1 Tm:YAP晶体能级结构通过低温吸收谱和荧光谱，可以比较准确的确定Tm:YAP晶体的能级结构。如图4-17，由吸收谱和发射谱交叠，可确定3F4能级零声子线位置EZL=5621cm-1，然后根据发射谱确定基态13个stark能级，再根据吸收谱确定激发态能级，在这里我们给出了包含3H4、3H5、3F4以及基态3H6的能级图结构1.1.1 Tm:YAP晶体光谱参数及能量转移参数计算光谱参数诸如吸收发射截面、J-O参数、跃迁几率等以及能量转移参数如能量交叉弛豫几率等是评估晶体激光性能、设计激光器结构所需要的重要参数，下面以Tm:YAP吸收和发射光谱为基础，对这些参数进行了计算。贵州专业加工TmYAPTm:YAP晶体能量转移参数计算实验？
tm: yap晶体的生长、光谱和激光性能研究。
用直拉法成功地生长了浓度分别为1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶体，这些晶体均具有较高的光学质量，无宏观缺陷。用XRD和ICP分析了晶体结构和偏析特征，用激光脉冲法测试了TM3360YAP晶体的热导率。结果表明，随着掺杂浓度的增加，TM3360YAP晶体的热导率***降低。
测试和分析了不同浓度的Tm:YAP晶体的吸收和荧光特性及其温度依赖性。高浓度掺杂晶体表现出荧光猝灭现象。不同浓度的偏振荧光光谱显示，在1934 nm，浓度为5%时，在E//a方向的比较大发射截面为4.510-21cm2，发射峰宽而平。
由于Tm:YAP的各向异性特性，我们采用TPM法计算了其JO参数。对三个方向的非偏振吸收谱，选取3H6→3F4、3H5、3H4、3F2、3及1G4吸收峰进行积分，利用公式3-1计算得实验谱线强度（折射率n取1.93），并利用公式3-2拟合得JO参数：
Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2
均方根偏差1.51×10-22 cm2，说明拟合结果较好。拟合得到的JO参数与文献[71]报道的比较接近（Ω2＝0.67×10-19cm2，Ω4＝2.3×10-19 cm2，Ω6＝0.74×10-19 cm2）。
通过JO参数可以对Tm3+荧光性质进行预测，这里我们计算了3F4、3H4能级到低能级跃迁谱线强度S、辐射跃迁几率A、荧光分支比β及辐射寿命τ Tm:YAP晶体能量转移参数计算。
1. 采用TPM法计算了Tm:YAP晶体JO参数：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2，拟合得到的JO参数与文献报道的非常接近；由JO参数计算得3F4能级辐射寿命为4.8ms。
2. 计算了Tm:YAP中能量交叉弛豫参数CD-A=1.53×10-40cm6/s，能量交叉弛豫半径为6.2Å，施主与施主离子能量转移参数CD-D=2.48×10-39cm6/s；对不同浓度能量传递速率WEE进行计算，并结合速率方程求解，得出泵浦效率h随浓度增加而增加。
3. 3at%、4at%及5at%浓度Tm:YAP晶体进行了激光性能的测试。其中4at%Tm:YAP c向晶体在泵浦功率为24W时，实现最大功率8.1W的1.935mm激光输出，比较大斜效率达42%，为目前我们实验中Tm:YAP晶体比较好激光输出结果；此外对H2退火前后3at%Tm:YAP晶体激光性能进行了比较，晶体经过氢气退火处理，斜率效率较未经退火的提高40%。 Tm:YAP晶体的常温荧光谱及荧光寿命实验。江西常规尺寸TmYAP
YAP晶体属于什么结构？黑龙江TmYAP注意事项
新型显示、智能终端、人工智能、汽车电子、互联网应用产品、移动通信、智慧家庭、5G等领域成为中国电子元器件市场发展的源源不断的动力，带动了电子元器件的市场需求，也加快电子元器件更迭换代的速度，从下游需求层面来看，电子元器件市场的发展前景极为可观。在市场竞争力、市场影响力、企业管理能力以及企业经营规模实力等方面，继续做大做强，不断强化公司在国内光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，销售光电设备及配件、金属材料、五金交电，商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求，定制晶体浓度)，也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工授权分销行业的优先地位。因为行业产值的天花板仍很高，在这个领域内继续整合的空间还很大。在一些客观因素如生产型的推动下，部分老旧、落后的产能先后退出市场，非重点品种的短缺已经非常明显。在这样的市场背景下，电子元器件产业有望迎来高速增长周期，如何填补这一片市场空白，需要理财者把握时势，精确入局。目前国内外面临较为复杂的经济环境,传统电子制造企业提升自身技术能力是破局转型的关键。通过推动和支持传统电子企业制造升级和自主创新,可以增强企业在产业链中的重点竞争能力。同时我国层面通过财税政策的持续推进,从实质上给予激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工创新型企业以支持,亦将对产业进步产生更深远的影响。黑龙江TmYAP注意事项
