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    若干所述侧支撑件44固定设置在所述固定板423的端面上；所述固定板423两端均设置有至少两个固定卡块427，所述固定卡块427一般设置为矩形横截面结构，便于所述固定板423端面的朝向定位；对应的，所述调节槽内设置有固定槽426，当所述固定板423两端各自的两所述固定卡块427分别设置于对应的所述固定槽426内时，设置有所述侧支撑件44的端面对应所述竖直平板421上的所述侧支撑件44，且设置所述侧支撑件44的所述竖直平板421和所述固定板423设置在所述底支撑件43的两侧，从而实现对所述盛放部内玻璃的支撑限位。其中，如图3所示，所述侧板422上所述调节槽的一种实施方式为，所述调节槽包括若干水平槽424和与所述水平槽424均竖直贯通连接的竖直槽425，所述固定槽426设置于所述水平槽424的下边缘，所述固定槽426对应所述固定卡块427设置为u型槽，从而便于固定所述固定卡块427的摆放位置。所述水平槽424和所述竖直槽425的尺寸均对应所述固定卡块427的尺寸设置，使所述固定卡块427可在所述水平槽424和所述竖直槽425内自由移动。在本实施方式中，两所述竖直平板421中一所述竖直平板421上设置有所述侧支撑件44，同一所述水平槽424多只设置一个所述固定卡块427。哪家减薄用清洗剂的质量比较高？半导体减薄用清洗剂商家

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    故所述控制器在从所述辅助厚度测量仪接收的玻璃厚度超出目标厚度的公差范围时，可再次控制所述玻璃加工治具4回到所述蚀刻区3，并且控制玻璃在所述蚀刻区3中再次经历减薄处理，以将玻璃处理为目标厚度。同时通过所述辅助厚度测量仪提前测量待经历减薄处理的玻璃厚度，可与所述主厚度测量仪32检测的初始厚度作对比，可判断所述主厚度测量仪32是否失灵，从而在后期根据所述辅助厚度测量仪的检测数据判断是否需再次进入所述腔室31。具体的，当所述辅助厚度测量仪检测厚度与所述主厚度测量仪32检测的初始检测厚度不在公差范围之内，可判断所述主厚度测量仪32失灵；在当后期减薄后所述辅助厚度测量仪的检测厚度不符合目标厚度时，可判断所述主厚度测量仪32非暂时失灵，所述控制器警报提醒并不再将所述玻璃加工治具4回撤至所述腔室31内，而将所述玻璃加工治具4从所述刻蚀区撤出，并等待所述主厚度测量仪32的维修完成。实施例七采用本发明所述玻璃减薄生产线的具体工艺流程为：s1，将竖直容纳玻璃的所述玻璃加工治具4放置在所述转换区1内，经所述冲洗区2减薄前清洗后转移至所述蚀刻区3，所述玻璃加工治具4在所述蚀刻区3中经历减薄处理；具体的，在所述蚀刻区3中进行减薄处理期间。选择减薄用清洗剂，为您的加工过程保驾护航。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。半导体减薄用清洗剂商家