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    用于实现将所述玻璃加工治具从所述转换区经所述冲洗区向所述蚀刻区的减薄前移动，以及从所述蚀刻区经所述冲洗区向所述转换区的减薄后移动；所述冲洗区设置于所述转换区和所述蚀刻区之间。较佳的，所述蚀刻区包括腔室、主厚度测量仪、喷淋组件和控制器；所述主厚度测量仪、所述喷淋组件设置于所述腔室上，所述喷淋组件在所述腔室中对设置于所述玻璃加工治具上的玻璃施加减薄处理，所述主厚度测量仪实时测量在所述腔室内经历减薄处理的玻璃厚度；所述控制器与所述喷淋组件、所述主厚度测量仪、所述传输组件连接。较佳的，所述喷淋组件包括设置于所述腔室顶部的喷淋头、设置于所述腔室底部的收集槽、以及与所述喷淋头、所述收集槽均连通的外部喷淋液管路，通过所述喷淋头对所述玻璃加工治具上的玻璃喷淋喷淋液从而实现玻璃的减薄处理，所述收集槽收集减薄处理后的喷淋液并传输至所述喷淋液管路从所述腔室内排出。较佳的，所述主厚度测量仪包括用于发射激光束的发射器、用于接收被玻璃反射光束的接收器以及用于分析所述接收器中接收光束并且计算玻璃厚度的分析器。较佳的，所述主厚度测量仪还包括空气喷射器，用于将空气喷射到玻璃表面，将被检测部位暴露于所述发射器对应位置。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。性价比高的减薄用清洗剂的公司。广州哪里减薄用清洗剂什么价格

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