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在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。烧结金胶低温的，降低能耗，无卤素配方。萃取烧结金胶欢迎选购

传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率LED技术能够在更广泛的应用领域得到推广。在特殊环境LED照明应用中，AuRoFUSE™技术展现出了优异的适应性。开发出的LED模组可适应过度的温度高低变化，因此可用于预计今后进出口时需求渐增的冷冻仓库用照明。此外，小型模组还可应用于车用照明的制造，以提升车辆的设计性等，甚至能够解决过去成本高昂、开发困难的各种问题。天某种烧结金胶常见问题低温的烧结金胶，在功率器件中使用，无压可烧结。

在高功率 LED 模组应用中，AuRoFUSE™展现出了独特的技术优势。田中贵金属工业与 S.E.I 公司合作开发的高功率 LED 模组采用了以 "AuRoFUSE™" 为接合材料的面朝下接合结构，能够直接和金属基板接合。这一技术突是决了传统 LED 封装中的两个关键问题：散热性和热膨胀匹配。传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用 AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率 LED 技术能够在更广泛的应用领域得到推广。

传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率LED技术能够在更广泛的应用领域得到推广。在特殊环境LED照明应用中，AuRoFUSE™技术展现出了优异的适应性。开发出的LED模组可适应过度的温度高低变化，因此可用于预计今后进出口时需求渐增的冷冻仓库用照明。此外，小型模组还可应用于车用照明的制造，以提升车辆的设计性等，甚至能够解决过去成本高昂、开发困难的各种问题。微联烧结金胶独特的，确保稳定性，无卤素配方。

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