萃取烧结金胶常用知识

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过300℃的情形。如果使用金-锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用"AuRoFUSE™"接合，即使在300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得AuRoFUSE™成为SiC和GaN功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。。。高纯度的烧结金胶，提升导电性，用于 MEMS 气密封装。萃取烧结金胶常用知识

在高功率LED模组应用中，AuRoFUSE™展现出了独特的技术优势。田中贵金属工业与S.E.I公司合作开发的高功率LED模组采用了以"AuRoFUSE™"为接合材料的面朝下接合结构，能够直接和金属基板接合。这一技术突破是了传统LED封装中的两个关键问题：散热性和热膨胀匹配。传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率LED技术能够在更广泛的应用领域得到推广。，，如何分类烧结金胶哪里有卖的创新的烧结金胶，适用于传感器封装，具备高纯度金。

如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。产品在传统功率器件应用中也表现出色。田中贵金属提供的产品组合中包括应对用于功率器件的 Si、下一代半导体 SiC、GaN 的固晶用导电胶。这种大方面的产品布局使得客户能够在不同技术路线的功率器件中都能找到合适的封装解决方案。。。。

TANAKA 烧结金胶在关键性能参数方面大方面优势，这些优异的性能参数直接决定了产品在各种应用场景中的表现。在电学性能方面，产品具有极低的电阻率，标准膏材的电阻率为 5.4μΩ・cm，预制件的电阻率更是低至 4.5μΩ・cm。这种低电阻率特性确保了优异的导电性能，减少了电能损耗。在热学性能方面，产品表现尤为突出。标准膏材的热导率大于 150W/m・K，预制件的热导率更是高达 200W/m・K。这种优异的热导率特性使得 AuRoFUSE™在需要高效散热的功率器件和 LED 应用中具有不可替代的优势。烧结金胶可靠的，增强耐腐蚀性，有双重烧结模式。

2013年12月起，田中贵金属工业开始提供使用次微米级金粒子膏材"AuRoFUSE™"，通过高精密网版印刷法在基板上一次印刷即可形成微细复合图案的技术。这一技术使得复杂的MEMS结构能够通过简单的印刷工艺实现，很好降低了制造成本和工艺复杂度。在MEMS代工制造领域，AuRoFUSE™技术也发挥着重要作用。田中贵金属工业与MEMSCORE公司签订共同研发协议，针对次微米大小金粒子MEMS装置的图案形成技术展开技术合作，建立了从MEMS零件的试作到安装的代工制造厂能力。这种合作模式为MEMS厂商提供了从材料研发到设备组装的一站式解决方案。。。烧结金胶独特的，粒径分布均匀，用于电子封装。如何分类烧结金胶批量定制

烧结金胶高纯度的，应用于 LED 封装，操作简便。萃取烧结金胶常用知识

在粒径控制方面，产品采用亚微米级（次微米）金粒子，通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性，还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了 TANAKA 在纳米材料科学领域的技术深度。当 AuRoFUSE™被加热至 200℃时，溶剂会先蒸发，即便不施压，Au 粒子也可实现烧结结合，获得约 30MPa 的充分接合强度。这种无压烧结特性不仅简化了工艺要求，还降低了对设备的要求。更重要的是，产品具有优异的高温稳定性，可在 1064℃的高温下保持稳定性能。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合在高温环境下工作的功率器件和传感器应用。。。萃取烧结金胶常用知识