武汉PCB设计怎么样

电气方面注意事项（1）TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置；（2）热敏器件远离大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分区布局；（4）数字、模拟器件分区布局；（5）电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料；（6）串联电阻靠近源端放置；串联电容靠近末端放置；并联电阻靠近末端放置；（7）退藕电容靠近芯片的电源管脚；（8）接口电路靠近接口；（9）充分考虑收发芯片距离，以便走线长度满足要求；（10）器件按原理图摆一起；（11）二极管、LED等极性与原理图应保持一致。PCB设计的基础流程是什么？武汉PCB设计怎么样

结构绘制结构绘制子流程如下：绘制单板板框→绘制结构特殊区域及拼板→放置固定结构件。1.1.1绘制单板板框（1）将结构图直接导入PCB文件且测量尺寸，确认结构图形中结构尺寸单位为mm，显示比例为1：1等大。（2）设计文件中，单位为mm，则精度为小数点后4位；单位为Mil，则精度为小数点后2位，两种单位之间转换至多一次，特殊要求记录到《项目设计沟通记录》中。（3）导入结构图形并命名。（4）导入的结构图形层命名方式为DXF_日期+版本，举例：DXF_1031A1，线宽为0Mil。（5）结构图形导入后应在EDA设计软件视界正中，若偏移在一角，应整体移动结构图形，使之位于正中。（6）根据结构图形，绘制外形板框，板框与结构文件完全一致且重合，并体现在EDA设计软件显示层。（7）确定坐标原点，坐标原点默认为单板左边与下边延长线的交点，坐标原点有特殊要求的记录到《项目设计沟通记录》中。（8）对板边的直角进行倒角处理，倒角形状、大小依据结构图绘制，如无特殊要求，默认倒圆角半径为1.5mm，工艺边外沿默认倒圆角，半径为1.5mm并记录到《项目设计沟通记录》邮件通知客户确认。（9）板框绘制完毕，赋予其不可移动，不可编辑属性。什么是PCB设计销售ADC和DAC前端电路布线规则。

整板布线，1）所有焊盘必须从中心出线,线路连接良好，（2）矩形焊盘出线与焊盘长边成180度角或0度角出线，焊盘内部走线宽度必须小于焊盘宽度，BGA焊盘走线线宽不大于焊盘的1/2，走线方式，（3）所有拐角处45度走线，禁止出现锐角和直角走线，（4）走线到板边的距离≥20Mil，距离参考平面的边沿满足3H原则，（5）电感、晶体、晶振所在器件面区域内不能有非地网络外的走线和过孔。（6）光耦、变压器、共模电感、继电器等隔离器件本体投影区所有层禁止布线和铺铜。（7）金属壳体正下方器件面禁止有非地网络过孔存在，非地网络过孔距离壳体1mm以上。（8）不同地间或高低压间需进行隔离。（9）差分线需严格按照工艺计算的差分线宽和线距布线；（10）相邻信号层推荐正交布线方式，无法正交时，相互错开布线，（11）PCB LAYOUT中的拓扑结构指的是芯片与芯片之间的连接方式，不同的总线特点不一样，所采用的拓扑结构也不一样，多拓扑的互连。

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。屏蔽腔的设计具体步骤流程。

放置固定结构件（1）各固定器件坐标、方向、1脚位置、顶底层放置与结构图固定件完全一致，并将器件按照结构图形对应放置。（2）当有如下列情形时，需将问题描述清楚并记录到《项目设计沟通记录》中，同时邮件通知客户修改确认。结构图形与部分管脚不能完全重合；结构图形1脚标识与封装1脚焊盘指示不符；结构图形指示孔径与封装孔径不符；文字描述、标注尺寸等和结构图实际不一致；其他有疑问的地方。（3）安装孔坐标、孔径、顶底层与结构图完全一致。（4）安装孔、定位孔为NPTH且保留焊环时，焊环离孔距离8Mil以上，焊盘单边比孔大33mil（5）固定结构件放置完毕后，对器件赋予不可移动属性。（6）在孔符层进行尺寸标注，标注单位为公制（mm），精度小数点后2位，尺寸公差根据客户结构图要求。（7）工艺边或者拼版如使用V-CUT，需进行标注。（8）如设计过程中更改结构，按照结构重新绘制板框、绘制结构特殊区域和放置固定构件。客户无具体的结构要求时，应根据情况记录到《项目设计沟通记录》中。（9）子卡、母卡对插/扣设计PCB设计布局中光口的要求有哪些？湖北什么是PCB设计报价

整板布线的工艺技巧和规则。武汉PCB设计怎么样

 DDR模块，DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”，是在SDRAM的基础上改进而来，人们习惯称为DDR，DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率，它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。（1）DDRSDRAM管脚功能说明：图6-1-5-1为512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟，DDR的所有命令信号，地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号，与SDRAM不同的是，在进行读写操作时CKE要保持为高电平，当CKE由高电平变为低电平时，器件进入断电模式（所有BANK都没有时）或自刷新模式（部分BANK时），当CKE由低电平变为高电平时，器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号，低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。武汉PCB设计怎么样

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