武汉高速PCB设计加工

通过规范PCBLayout服务操作要求，提升PCBLayout服务质量和保证交期的目的。适用范围适用于我司PCBLayout业务。文件维护部门设计部。定义与缩略语（1）PCBLayout：利用EDA软件将逻辑原理图设计为印制电路板图的全过程。（2）PCB:印刷电路板。（3）理图：一般由原理图设计工具绘制，表达硬件电路中各种器件之间的连接关系的图。（4）网表：一般由原理图设计工具自动生成的，表达元器件电气连接关系的文本文件，一般包含元器件封装，网络列表和属性定义等部分。（5）布局：PCB设计过程中，按照设计要求、结构图和原理图，把元器件放置到板上的过程。（6）布线：PCB设计过程中，按照设计要求对信号进行走线和铜皮处理的过程。LDO外围电路布局要求是什么？武汉高速PCB设计加工

DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号，如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构，分支端靠近信号的接收端，串联电阻靠近驱动端放置（5mm以内），并联电阻靠近接收端放置（5mm以内），布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线（远端分支结构）的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构，布局时串联电阻靠近驱动端放置，并联电阻靠近接收端放置，布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V，对于控制芯片及DDR芯片，为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置，在允许的情况下多扇出几个孔，同时芯片配备大的储能大电容；对于1.25VVTT电源，该电源的质量要求非常高，不允许出现较大纹波，1.25V电源输出要经过充分的滤波，整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性，每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。荆门如何PCB设计销售电话SDRAM 的PCB布局布线要求是什么？

工艺方面注意事项（1）质量较大、体积较大的SMD器件不要两面放置；（2）质量较大的元器件放在板的中心；（3）可调元器件的布局要方便调试（如跳线、可变电容、电位器等）；（4）电解电容、钽电容极性方向不超过2个；（5）SMD器件原点应在器件中心，布局过程中如发现异常，通知客户或封装工程师更新PCB封装。布局子流程为：模块布局→整体布局→层叠方案→规则设置→整板扇出。模块布局模块布局子流程：模块划分→主芯片放置并扇出→RLC电路放置→时钟电路放置。常见模块布局参考5典型电路设计指导。

整板扇出（1）对板上已处理的表层线和过孔按照规则进行相应的调整。（2）格点优先选用25Mil的，其次采用5Mil格点，过孔扇出在格点上，相同器件过孔走线采用复制方式，保证过孔上下左右对齐、常见分立器件的扇出形式（3）8MIL过孔中心间距35MIL以上，10MIL过孔中心间距40MIL以上，以免将平面层隔断；差分过孔间距一般为30Mil（或过孔边缘距为8Mil）。（4）芯片电源管脚先过电容再打过孔（5）所有电源/地管脚就近打孔，高速差分过孔附近30-50Mil内加回流地孔，模块内通过表层线直连，无法连接的打过孔处理。（6）电源输出过孔打在输出滤波电容之后，电源输入过孔扇出在输入滤波电容之前，过孔数目满足电源载流要求，过孔通流能力参照，地孔数不少于电源过孔数。PCB设计中如何评估平面层数？

ADC/DAC电路：（4）隔离处理：隔离腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳，在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏蔽，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。，在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳，隔离腔体内的器件与屏蔽壳的间距＞0.5mm。如图6-1-2-4所示。腔体的周边为密封的，接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。（5）布线原则1、首先参考射频信号的处理原则。2、严格按照原理图的顺序进行ADC和DAC前端电路布线。3、空间允许的情况下，模拟信号采用包地处理，包地要间隔≥200Mil打地过孔4、ADC和DAC电源管脚比较好经过电容再到电源管脚，线宽≥20Mil，对于管脚比较细的器件，出线宽度与管脚宽度一致。5、模拟信号优先采用器件面直接走线，线宽≥10Mil，对50欧姆单端线、100欧姆差分信号要采用隔层参考，在保证阻抗的同时，以降低模拟输入信号的衰减损耗，6、不同ADC/DAC器件的采样时钟彼此之间需要做等长处理。7、当信号线必须要跨分割时，跨接点选择在跨接磁珠（或者0欧姆电阻）处。ADC和DAC前端电路布线规则。湖北高效PCB设计销售电话

在布线过程中如何添加 ICT测试点？武汉高速PCB设计加工

 DDR模块，DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”，是在SDRAM的基础上改进而来，人们习惯称为DDR，DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率，它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。（1）DDRSDRAM管脚功能说明：图6-1-5-1为512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟，DDR的所有命令信号，地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号，与SDRAM不同的是，在进行读写操作时CKE要保持为高电平，当CKE由高电平变为低电平时，器件进入断电模式（所有BANK都没有时）或自刷新模式（部分BANK时），当CKE由低电平变为高电平时，器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号，低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。武汉高速PCB设计加工

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