随着科技的进步,以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料具有高 击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密 度、高迁移率、可承受大功率等特点,非常适合 制作应用于高频、高压、高温等应用场合的功率模 块,且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升。功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的 及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。作为界面散热的关键通道,功率模块封装结构中连 接层的高温可靠性和散热能力尤为重要,纳米银膏逐渐展现出其的优势。 纳米银烧结技术是一种利用纳米银膏在较低的温度下,加压或不加压实现的耐高温封装连接技术,烧结温度远低于块状银的熔点。纳米银膏中 有机成分在烧结过程中分解挥发,形成银连接层。纳米银烧结接头可以满足第三代半导体功率模块封装互连低温连接、高温服役的要求,在功率器件制造过程中已有大量应用 总的来说,纳米银膏作为一种创新的电子互连材料,在导热导电性能、高可靠性等方面都有优势。这些优势使得纳米银膏成为未来电子产业发展的重要趋势,推动功率器件向更高功率、更高性能、更高可靠性方向发展。纳米银膏使用范围包括芯片和基板,芯片和热沉,以及基板/热沉和散热器的焊接。安徽高性价比纳米银膏厂家直销
纳米银膏—大功率LED封装的未来 随着对照明亮度和光通量要求的不断提升,LED逐渐朝着高输入功率密度和多芯片集成方向发展,以实现高亮度光输出,但常用的 LED芯片存在电光转换损耗,导致部分输入电功率转换为热功率,且多芯片集成时 LED 产生的热量更多、更聚集,导致 LED结温迅速升高,严重影响 LED 器件的发光性能与长期可靠性。 因此,散热问题成为大功率 LED 封装的关键技术瓶颈;纳米银膏以纳米级的银颗粒为基本成分,相比于传统的封装材料,纳米银膏具有更强导热导电性能,能够有效地提高LED器件的性能和可靠性,作为先进电子封装材料,正在发挥着越来越重要的作用山东高性价比纳米银膏费用纳米银膏可通过点胶或印刷的方式涂敷在基板上。
纳米银膏烧结中工艺条件对烧结质量的影响 影响纳米银膏烧结的工艺参数主要包括烧结压力、烧结温度、烧结时间、升温速率和烧结气氛;烧结压力可以为烧结提供驱动力,促进银颗粒间的机械接触、颈生长和银浆料与金属层间的相互 扩散反应,有助于消耗有机物排出气体,使互连层孔隙更少,从而形成稳定致密的银烧结接头,适当提高烧结温度、高温下的保温时间和升温速率可以获得更度的烧结接头;纳米银颗粒的烧结是由焊膏中有机物的蒸发控制的,更高的温度、保温时间和升温速率可以让有机物蒸发更快, 获得更好的烧结接头。但过高的温度、升温速率和过长的保温时间会导致晶粒粗化,过大的升温速率 会导致焊膏中有机物迅速蒸发,从而产生空洞和裂纹等缺陷,影响连接强度和服役可靠性;纳米银焊膏常用的烧结气氛为空气、氮气,Cu基板表面易生成氧化物,烧结时需在氮气氛围保护下进行烧结,避免氧化物的产生,从而影响烧结质量
纳米银膏:推动半导体产业创新,共创未来 在当今快速发展的半导体领域,新材料的应用与开发显得尤为重要。纳米银膏作为一种前沿新材料,以其独特的性能和比较广的应用领域,正逐渐成为市场的新宠。作为纳米银膏领域的行家,我们深入了解其发展趋势和应用前景,致力于为客户提供品质高、高性能的纳米银膏材料。纳米银膏是由纳米银颗粒和有机溶剂制备而成的膏状材料。它具有优异的导热、导电等性能,被比较广应用于电子、医疗、航空航天、新能源等领域。在半导体产业中,纳米银膏主要用于制造高性能的电子器件和解决高精度的制造工艺问题。其比较好的导热导电性能可以提升器件的性能和可靠性,同时延长使用寿命,为半导体产业的发展带来新的突破。 作为一家专注于纳米银膏研发与推广的企业,我们始终坚持以客户为中心,以创新为动力。我们拥有一支经验丰富、技术精湛的研发团队,不断进行技术创新和工艺改进,以提高产品的性能和一致性。 纳米银膏材料的生命周期和发展规划将始终以客户需求为导向,以技术创新为驱动。我们坚信,通过我们的努力和专业知识的不断积累,纳米银膏将在半导体产业中发挥更大的作用,为客户创造更多的价值。纳米银膏材料可以提高功率器件的稳定性和可靠性,满足电动汽车对电力电子器件的严苛要求。
纳米银膏:带领未来材料趋势,开启创新应用新时代 纳米银膏是由纳米银颗粒和有机溶剂制备而成的膏状材料。它具有优异的导电、导热、等性能,被比较广应用于功率半导体、、新能源等领域。随着科技的不断发展,纳米银膏的应用前景将更加广阔。 在半导体领域,纳米银膏因其优异的导热导电性能而备受关注;它可以替代传统的软钎焊料,提高器件的散热性能和使用寿命,是功率半导体封装用的理想材料。 此外,纳米银膏在、新能源等领域也有着不可替代的作用。纳米银膏因高粘接强度,高导热率,高可靠性且相对于金锡焊料更低的成本,比较广应用于陶瓷管壳封装;在新能源汽车,纳米银膏比较广应用于电驱电控中碳化硅模块(Typk形式等)和水冷散热基板的焊接,大幅提高散热性能,从而提高产品性能。 作为纳米银膏领域的行家,我们紧跟市场趋势,为客户提供定制化的解决方案。我们不断优化产品配方与制备工艺,以提高产品的性能与可靠性。 展望未来,随着第三代半导体碳化硅、氮化镓的兴起,纳米银膏将会应用更加比较广。作为行业,我们将继续加大研发投入,为客户提供更品质高、更具竞争力的产品与服务。纳米银膏具有良好润湿性,能够有效地提高焊接质量。重庆高稳定性纳米银膏源头工厂
纳米银膏不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有极高的可靠性。安徽高性价比纳米银膏厂家直销
纳米银膏在SIC/GaN功率器件上应用背景 功率器件发展迅速并被比较广运用,其设计与制造朝着高频开关速率、高功率密度、高结温等方向发展,尤其是第三代半导体SiC/GaN材料的出现,相对于传统的Si基材料,第三代半导体有着高结温 、低导通电阻、高临界击穿场强、高开关频率等性能优势。在常规封装的功率开关器件中,芯片底部的互连一般采用钎焊工艺,考虑到无铅化的要求,所选择的焊料熔点都低于250 ℃,如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等,因此不能充分发挥SiC/GaN芯片的高耐温性能。此外,焊料在界面处极易产生脆硬的金属间化合物,给产品的可靠性带来了新的挑战。目前,纳米银烧结技术是一种有效解决方案,银因其熔点高达961 ℃,将其作为连接材料能极大提高器件封装结构的温度耐受性,且纳米银的烧结温度却低于250℃,使用远低于熔点的烧结温度就能得到较为致密的组织结构,烧结后的银层耐热温度高,连接强度高,导热、导电性能良好安徽高性价比纳米银膏厂家直销
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