企业商机
纳米银膏基本参数
  • 品牌
  • 南京芯兴电子科技
  • 型号
  • 纳米银膏
纳米银膏企业商机

我们公司的产品是纳米银膏,其中的银颗粒具有较大的表面能,可以在较低温度下实现烧结。它表现出优异的导热导电性能、机械可靠性和耐高温性能,同时具有高抗氧化性的优势。因此,纳米银膏在各个领域都有广泛的应用,并且比传统的钎料具有更多的产品优势。在电子行业方面,纳米银烧结技术可以提供高性能的连接解决方案,满足对导电、导热和可靠性的高要求。它在半导体封装、LED照明、功率器件等方面有着广泛的应用。在新能源领域,纳米银烧结技术可以实现高效的热管理和电气连接,提高太阳能光伏、燃料电池等领域的能源转换效率。随着电动汽车和混合动力汽车的普及,对高性能电池连接技术的需求不断增长。纳米银烧结技术在电池模组、电池管理系统等方面发挥着重要作用。在航空航天领域,纳米银烧结技术具有优异的抗疲劳性能和稳定性,能够满足卫星、火箭等高精尖领域的极端环境下的高性能要求。我们的产品优势包括低温烧结和高温服役能力。它可以在200-250℃的温度下烧结,并且可以在高于500度的温度下正常工作。纳米银膏焊料的低电阻率,有助于降低半导体激光器在工作时的能耗。功率器件封装用纳米银膏现货

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纳米银膏在SIC/GaN功率器件上的应用背景是由于功率器件的快速发展和广泛应用。这些器件的设计和制造趋向于高频开关速率、高功率密度和高结温等方向发展。尤其是第三代半导体材料SiC/GaN的出现,相对于传统的Si基材料,具有高结温、低导通电阻、高临界击穿场强和高开关频率等性能优势。在常规封装的功率开关器件中,芯片底部的互连通常采用钎焊工艺。然而,考虑到无铅化的要求,所选择的焊料熔点都低于250℃,例如常用的SnAgCu系和SnSb系焊料。因此,这些焊料无法充分发挥SiC/GaN芯片的高耐温性能。此外,焊料在界面处容易产生脆硬的金属间化合物,给产品的可靠性带来了新的挑战。目前,纳米银烧结技术是一种有效的解决方案。银具有高熔点(961℃),将其作为连接材料可以极大提高器件封装结构的温度耐受性。而纳米银的烧结温度却低于250℃,使用远低于熔点的烧结温度就能得到较为致密的组织结构。烧结后的银层具有高耐热温度和连接强度,同时具有良好的导热和导电性能。浙江低电阻纳米银膏封装材料纳米银膏的应用有助于减少功率半导体封装中的焊接缺陷,提高了封装质量。

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碳化硅具有高温、高频、高压等优点,因此在电力电子和通信等领域得到广泛应用。在碳化硅器件中,纳米银膏主要用作封装散热材料,以提高器件的导热导电性能和可靠性。相对于传统的锡基焊料,纳米银膏具有更低的电阻率和更高的附着力,能够有效降低器件的导通损耗和开关损耗,提高器件的效率和寿命。此外,纳米银膏还具有良好的导热性和稳定性,能够有效地散热和保护器件。总的来说,纳米银膏的应用可以提升碳化硅器件的性能和可靠性,为其发展带来新的可能性。

随着电子科学技术的迅猛发展,电子元器件正朝着高功率和小型化的方向发展。在封装领域,随着功率半导体的兴起,特别是第三代半导体材料如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的出现,功率器件具备了高击穿电压、高饱和载流子迁移率、高热稳定性、高热导率和适应高温环境的特点。因此,对封装材料提出了低温连接、高温工作、优异的热疲劳抗性以及高导电和导热性的要求。纳米银膏是一种创新的封装材料,它采用了纳米级银颗粒或混合了纳米级和微米级银颗粒,同时添加了有机成分。纳米银膏内部的银颗粒粒径较小,使得烧结过程不需要经过液相线,烧结温度较低(约240℃),同时具有高导热率(大于220W)和高粘接强度(大于70MPa)。纳米银膏适用于SiC、GaN等第三代半导体功率器件、大功率激光器、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、电网逆变转换器、新能源汽车电源模块、半导体集成电路、光电器件以及其他需要高导热和高导电性能的领域。纳米银膏的出现将为行业带来革新,推动电子封装技术的发展。纳米银膏是一款耐高温焊料。

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苏州芯兴材料科技有限公司纳米银膏在半导体激光器封装领域有广泛的应用优势。首先,纳米银膏具有低温烧结的特点,相较于传统软钎焊料,较低的烧结温度能够保护芯片和器件在固化时免受高温的损害,从而更好地保护芯片和器件的完整性。其次,纳米银膏具有良好的导热性能(导热率为200W),能够快速将激光器产生的热量传导出去,避免温度过高对激光器性能的影响。因此,纳米银膏能够确保激光器在长期使用过程中的稳定性、可靠性和寿命。纳米银膏在高密度多芯片模块中的应用提高了集成度。功率器件封装用纳米银膏哪家好

纳米银膏焊料的高导热性有助于大功率LED在工作时快速散热,提高器件稳定性。功率器件封装用纳米银膏现货

纳米银膏在封装行业有广泛的应用,特别是在功率半导体器件的封装中。它可以与锡膏的点胶和印刷工艺兼容,并且工艺温度较低,连接强度较高。经过烧结后,纳米银膏的成分为100%纯银,理论熔点高达961℃。因此,它可以替代现有的高铅焊料应用,并且具有出色的导热性能,适用于SIC、IGBT、LED、射频等功率元器件的封装。在功率半导体器件封装中,纳米银膏的低温烧结、高温使用、高导热性、导电性、高粘接强度和高可靠性等优势,使其在功率电子器件封装领域具有广阔的应用前景。功率器件封装用纳米银膏现货

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