企业商机
纳米银膏基本参数
  • 品牌
  • 南京芯兴电子科技
  • 型号
  • 纳米银膏
纳米银膏企业商机

纳米银膏烧结中贴片工艺对烧结质量的影响 在40~175 ℃、500 h的热循环试验中测试了不同芯片贴装速度和深度银烧结接头的高温可靠性。当芯片贴装速度较慢时,经过热循环后芯片边缘区域出现裂纹扩展,导致剪切强度迅速下降。当芯片贴装速度较快时,烧结接头表现出良好的高温可靠性。 由此可得,尽管不同样品的烧结工艺相同,但芯片贴装条件不同,烧结接头可靠性存在差异,选取合适工艺条件与参数是实现高质量银烧结接头的关键,所以在使用纳米银膏时应严格按照产品工艺规格书上的贴片工艺参数设置好贴片机的参数,已获得良好的烧结效果纳米银膏因其低温烧结,高导热导电特性,可应用在半导体激光器封装。福建纳米银膏源头工厂

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碳化硅具有高温、高频、高压等优点,比较广应用于电力电子、通信等领域。纳米银膏在碳化硅器件中的应用主要是作为封装散热材料,用于提高器件的导热导电性能和可靠性。 相比于传统的锡基焊料,纳米银膏具有更低的电阻率和更高的附着力,能够有效降低器件的导通损耗和开关损耗,提高器件的效率和寿命。此外,纳米银膏还具有良好的导热性和稳定性,能够有效地散热和保护器件。 总之,纳米银膏在碳化硅器件中的应用可以提高器件的性能和可靠性,为碳化硅器件的发展提供了新的可能性。福建低温烧结纳米银膏哪家好纳米银膏是一款低温烧结焊料。

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纳米银膏——创新科技带领行业革新 随着电子科学技术的迅速发展,电子元器件向高功率、小型化发展. 在封装领域,随着功率半导体的兴起,尤其是第三代半导体材料如 SiC和 GaN出现,功率器件具有高击穿电压、高饱和载流子迁移率、高热稳定性、高热导率和高温服役场合等特点;因此对封装材料提出了低温连接、高温服役、优良的热疲劳抗性、高导电导热性的要求; 纳米银膏采用纳米级银颗粒或纳米级与微米级银颗粒混合形式,同时添加有机成分组成。其内部的银颗粒粒径较小使得烧结过程不经过液相线,烧结温度<250℃远低于金属银的熔点(Tm=961℃ ) ,可以实现其低温连接、高温服役,因此得到了国内外比较广关注; 南京芯兴电子科技有限公司专注于半导体先进封装材料研发生产,并成功推出纳米银膏产品,具有低温烧结(200℃-250℃),高温服役(>500℃),高导热率(>220W);高粘接强度(>70MPa),SiC、GaN 三代半导体功率器件,大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件,电网的逆变转换器,新能源汽车电源模块,半导体集成电路,光电器件以及其它需要高导热、高导电的领域

纳米银膏:缩短生产工艺流程,提高生产效率 纳米银膏材料不仅因其优异的导热导电性能,在半导体领域拥有比较广的应用,而且无压纳米银膏可以适配现有的生产工艺和设备;纳米银膏工艺流程如下:点胶(点胶机)/印刷(丝网印刷机),贴片(贴片机),烘烤(烘箱/真空烧结炉),只需三步即可完成,无需添加新设备或者导入新工艺即可立即投入生产;纳米银膏不含助焊剂,所以固化后无需清洗,缩短工艺流程的同时避免二次污染,从而提高企业的生产效率,实现提效、降本、增产,提升企业产品的竞争力。纳米银膏通过先进的纳米技术和烧结固化过程实现了超高的粘接强度,提升了电子器件的性能和可靠性。

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纳米银膏相较于传统焊料在大功率LED贴片封装中的优势分析 大功率LED照明,通常采用高电流密度发光二极管芯片来制作大功率发光二极管。然而,大功率LED芯片在运行过程中不可避免地产生大量热量,使发光效率降低,发射波长偏移,从而导致可靠性降低。例如在高电流密度下,LED芯片结温可达300 ℃,严重降低LED性能。因此,热稳定性和散热性不佳是提升大功率LED性能的较大障碍;导电胶中大量聚合物使其导热性急剧降低,不适用于大功率LED封装,共晶钎料又会有焊接温度较高,易损伤LED芯片,电迁移问题,同时不耐高温,而纳米银膏,基材是金属银本身具有优异的导电导热性能,同时该纳米银膏可实现无压低温烧结,既保护芯片又可高温服役,可以改善大功率LED的散热效果,提高光学性能及器件可靠性,是大功率LED贴片和模块封装的理想材料纳米银膏因其低温烧结,高导热导电特性,可应用在大功率LED封装。安徽无压纳米银膏源头工厂

相较于传统软钎焊料、金锡焊料,纳米银膏的烧结温度更低,可减少封装过程中对芯片和器件的热损伤。福建纳米银膏源头工厂

在当前的功率半导体封装行业中,纳米银膏的应用已经成为了一种趋势。那么,纳米银膏在半导体封装上的优势究竟有多大呢?让我们通过数据来揭示这个问题。 首先,我们来看一下纳米银膏的导热性能。根据实验数据显示,纳米银膏的热导率(>200W)是传统银胶的10倍以上,这意味着使用纳米银膏的半导体器件在工作时,能够更有效地将热量传导出去,从而降低了器件的工作温度,提高了其稳定性和寿命。 其次,纳米银膏的导电性能也非常出色。实验数据显示,纳米银膏的电阻率(5E-6)是传统银胶的5倍以上。这意味着使用纳米银膏的半导体器件在工作时,能够实现更高效的电能传输,从而提高了器件的工作效率。 再者,纳米银膏还具有高可靠性。实验数据显示,纳米银膏其性能衰减速度远低于传统银胶。这意味着使用纳米银膏的半导体器件在长期服役时,能够保持更好的性能,从而提高了器件的使用寿命。 综上所述,纳米银膏在半导体封装上的优势是显而易见的。它的导热性能、导电性能、高可靠性远超过传统银胶。因此,从提高器件的性能和可靠性,纳米银膏都是理想的选择福建纳米银膏源头工厂

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