高击穿电压二极管掺杂浓度低，因此形成宽耗尽层（禁带）。相反，低击穿电压二极管掺杂浓度高，所以它们形成窄耗尽层（禁带）。二极管耗尽层宽时，不太可能发生电子隧穿（齐纳击穿），主要为雪崩击穿。...

ESD保护二极管是一种齐纳二极管。当二极管反向偏置时，有很少的电流从阴极流向阳极。然而，当反向偏压超过某一点（称为反向击穿电压）时，反向电流突然增加。随着反向偏压增加，无论二极管流过的电流...

ESD保护二极管是一种齐纳二极管。当二极管反向偏置时，有很少的电流从阴极流向阳极。然而，当反向偏压超过某一点（称为反向击穿电压）时，反向电流突然增加。随着反向偏压增加，无论二极管流过的电...

ESD保护二极管是一种基于PN结的半导体器件，其工作原理是在正常工作条件下呈现高阻抗状态，而在静电放电事件中，能够迅速导通并将电荷释放到地线，从而保护电子设备免受静电放电的损害。当外部接口...