企业商机
ESD保护二极管基本参数
  • 品牌
  • 星河微/SReleics
  • 型号
  • SR05D3BL
  • 半导体材料
  • 芯片类型
  • 双极型
  • 封装形式
  • 贴片型
  • 封装方式
  • 塑料封装
  • 外形尺寸
  • SOD-323
  • 加工定制
  • 功耗
  • 350W
  • 产地
  • CHINA
  • 厂家
  • SReleics
ESD保护二极管企业商机

        ESD保护二极管在移动通信设备、Wi-Fi模块和蓝牙设备中,通信端口的保护至关重要。这些设备的天线接口和信号传输路径很容易受到静电放电的干扰,使用ESD保护二极管能在极短时间内响应静电放电事件,防止过高的电压进入电路,从而保护射频前端和基带处理器等关键组件。电源线路也是静电放电容易侵入的路径之一。ESD保护二极管可用于保护直流电源线和交流电源线,避免静电放电对电源管理IC和其他关键电源电路的影响。在这种应用中,ESD保护二极管被放置在电源输入端,当静电放电发生时,二极管会迅速分流静电电荷,防止电源电压剧烈波动。星河微ESD静电保护二极管可以在各种环境下工作,包括高温、低温、高湿度、低湿度等条件下。广州定制ESD保护二极管SR15D3BL近期价格

       钳位电压是ESD保护二极管的一个重要参数,它表示在承受ESD冲击时,系统将会受到的冲击电压值。在选择ESD保护二极管时,需要关注其钳位电压的大小,以确保在ESD冲击发生时,系统能够承受住相应的电压冲击。虽然ESD保护二极管在保护电路方面起到了重要作用,但其寄生电容也可能对信号完整性造成干扰。寄生电容的存在会增加信号的上升和下降时间,导致信号失真。因此,在选择ESD保护二极管时,需要关注其寄生电容的大小,以确保不会对信号完整性造成过大的影响。ESD保护二极管SR12D3BL型号多少钱ESD3.3V02D-SLC:属于 3V 系列的低电容 ESD 静电保护二极管阵列。

       汽车电子系统:随着汽车电子化程度的提高,汽车内部集成了越来越多的电子控制单元(ECU)和传感器。这些元件在车辆运行中暴露于各种环境条件下,容易受到静电放电的影响。使用ESD保护二极管可以保护车载通信接口、传感器输入端和电源线路,确保车辆电子系统的可靠性和安全性。工业控制系统:PLC、传感器和通信模块等设备常常处于复杂的电磁环境中,容易受到静电放电的影响。使用ESD保护二极管可以保护这些关键设备,防止静电放电引起的电路故障,提高系统的可靠性和稳定性。

     SR18D3BL型号是一种18V的ESD保护二极管,其峰值脉冲电流为5A,反向漏电流为0.1μA。该型号采用SOD-323封装,体积小、重量轻,适合用于小型电子设备中。SR18D3BL型号的主要特点如下:工作电压范围广,可适用于多种电路,高峰值脉冲电流,能有效保护电路免受静电放电的影响,低反向漏电流,不会对电路产生过大的影响。SR18D3BL型号适用于需要保护的电路电压在18V以下的场景,如手机、数码相机、MP3等小型电子设备。SR24D3BL型号是一种24V的ESD保护二极管,其峰值脉冲电流为5A,反向漏电流为0.1μA。ESD静电保护二极管已应用于多个客户的电子设备中,如手机、电视、电脑、数码相机、汽车电子、医疗设备等。

       ESD保护二极管数据表含有动态电阻(RDYN)。RDYN是反向导通模式下VF–IF曲线的斜率。如果发生ESD冲击,给定电压下,低动态电阻ESD保护二极管可以传输更大电流。从连接器端看,ESD保护二极管和受保护器件的阻抗可视为并联阻抗。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流,减少流入受保护器件的电流,从而降低损坏的可能性。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流到地(GND),从而减少流入受保护器件的电流。因此,ESD保护二极管有助于防止手保护啊器件因ESD冲击而损坏。传输线脉冲(TLP)测试用于纳秒级宽度短脉冲,根据随时间变化的电流-电压关系可研究二极管的电流-电压(I-V)特性。下图中,TLP I和TLP V分别电流和电压。齐纳二极管在超过其齐纳电压时导通,用于限制电压峰值。广东定制ESD保护二极管SR15D3BL型号近期价格

寿命测试:确保二极管在长期使用中保持稳定的性能。广州定制ESD保护二极管SR15D3BL近期价格

        电容大的二极管插入损耗高(如图所示,特性曲线负值变化较大),从而限制了可使用的频率范围。例如,在Thunderbolt(带宽为10Gbps,相当于5GHz的频率)的情况下,电容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保护二极管插入损耗小,几乎不会影响二极管传输的信号,而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大,通过二极管的信号明显衰减。反向偏置时,二极管因pn结(p:p型半导体,n:n型半导体)形成耗尽层产生电容。与电容相反,耗尽层起阻挡层的作用,只有少数载流子通过。降低半导体区掺杂浓度会增加耗尽层宽度。因此,为了减小二极管的电容,有必要减小pn结面积或提高反向击穿电压(VBR),但任何一种方式都会导致ESD抗扰度下降。当两个二极管串联时,它们的组合电容减小。此外,二极管反向ESD能量耐受性比正向差。东芝低电容(Ct)ESD保护二极管采用ESD二极管阵列工艺(EAP)制造,多个二极管组合在一起减小电容,不影响ESD抗扰度。广州定制ESD保护二极管SR15D3BL近期价格

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