企业商机
ESD保护二极管基本参数
  • 品牌
  • 星河微/SReleics
  • 型号
  • SR05D3BL
  • 半导体材料
  • 芯片类型
  • 双极型
  • 封装形式
  • 贴片型
  • 封装方式
  • 塑料封装
  • 外形尺寸
  • SOD-323
  • 加工定制
  • 功耗
  • 350W
  • 产地
  • CHINA
  • 厂家
  • SReleics
ESD保护二极管企业商机

  SR24D3BL型号的主要特点有以下几点:工作电压范围广,可适用于多种电路;高峰值脉冲电流,能有效保护电路免受静电放电的影响,低反向漏电流,不会对电路产生过大的影响。SR24D3BL型号适用于需要保护的电路电压在24V以下的场景,如电视机、电脑、路由器等小型电子设备。SR12D3BL型号是一种12V的ESD保护二极管,其的峰值脉冲电流为5A,反向漏电流为0.1μA。该型号采用SOD-323封装,体积小、重量轻,适合用于小型电子设备中。工作电压范围广,可适用于多种电路。采用多级保护电路,可以有效地提高保护效果。汕头常规ESD保护二极管SR05D3BL

       指接触放电ESD容限,即通过与受保护器件直接接触放电。ESD容限是根据国际电工委员会(IEC)IEC 61000-4-2标准规定的方法和ESD波形测量的。规定的VESD值是测试波形的峰值。指空气放电ESD容限,即被测器件(EUT)与放电枪之间通过空气层放电。IEC 61000-4-2规定了试验方法和ESD波形。PPK是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的比较大浪涌功率。图6.1显示使用8/20μs脉冲波形测量的峰值脉冲功率。(8/20μs表示波形上升到100%需要8μs,从100%下降到50%需要20μs。)合肥单向ESD保护二极管电源端口:电源端口是静电放电的常见入口,ESD保护二极管在这里发挥着重要作用。

       选择保证ESD性能高于系统ESD抗扰度要求的ESD保护二极管。但请注意,ESD保护二极管的ESD性能通常与其总电容成正比。选择电气额定值高于峰值脉冲功率和峰值脉冲电流要求的ESD保护二极管。ESD保护二极管靠近ESD进入点。ESD保护二极管靠近ESD进入点。不要将任何电路板走线与可能引入ESD脉冲的信号走线并行。特别是,避免ESD抗扰度低的器件电路板走线与可能受ESD事件影响的电路板走线并行。ESD保护二极管比较大额定值指最大允许电流、电压、功耗和其他电气特性。电路设计中,为了获得ESD保护二极管比较好性能并且保持器件目标工作寿命周期的可靠性,了解比较大额定值至关重要。为保证ESD保护二极管使用寿命和可靠性,不得超过比较大额定值。ESD保护二极管根据***比较大额定值机制定义比较大额定值。

       在电子设备中,ESD保护二极管通常被放置在容易受到静电放电冲击的部位,如集成电路的接口处。当带有电荷的物体(如人类)靠近或接触这些接口时,ESD电流会释放在PCB上,对电路造成损害。而ESD保护二极管则能将这部分电流引向地面,从而保护系统免受损害。ESD保护二极管分为双向和单向两种类型。双向二极管具有正负对称的I-V曲线和工作电压、击穿电压,可以支持正负信号。而单向二极管则只能支持正向信号,不过相比双向而言,单向二极管对于负压的保护更好。在选择ESD保护二极管时,需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的类型。在PCB布局时,应将ESD保护二极管靠近ESD进入点放置,如靠近连接器。

       关于ESD(Electrostatic Discharge,即静电放电)保护二极管SR05D3BL,虽然无法找到与这一完整编号直接对应的产品信息(因为产品编号可能因厂商、系列或特定版本而有所差异),但我可以基于ESD保护二极管的一般特性和类似编号的产品信息来提供一个概括性的介绍。ESD保护二极管是一种专门设计用于保护电子设备免受静电放电影响的半导体器件。它能够在静电放电事件发生时迅速响应,将静电能量引导至地,从而保护电子电路、器件和设备免受静电损伤。星河微ESD静电保护二极管具有高性价比,可以帮助用户降低运营成本,提升设备的可靠性延长设备的使用寿命。上海双向ESD保护二极管SR08D3BL型号报价

星河微ESD静电保护二极管可以在各种环境下工作,包括高温、低温、高湿度、低湿度等条件下。汕头常规ESD保护二极管SR05D3BL

        电容大的二极管插入损耗高(如图所示,特性曲线负值变化较大),从而限制了可使用的频率范围。例如,在Thunderbolt(带宽为10Gbps,相当于5GHz的频率)的情况下,电容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保护二极管插入损耗小,几乎不会影响二极管传输的信号,而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大,通过二极管的信号明显衰减。反向偏置时,二极管因pn结(p:p型半导体,n:n型半导体)形成耗尽层产生电容。与电容相反,耗尽层起阻挡层的作用,只有少数载流子通过。降低半导体区掺杂浓度会增加耗尽层宽度。因此,为了减小二极管的电容,有必要减小pn结面积或提高反向击穿电压(VBR),但任何一种方式都会导致ESD抗扰度下降。当两个二极管串联时,它们的组合电容减小。此外,二极管反向ESD能量耐受性比正向差。东芝低电容(Ct)ESD保护二极管采用ESD二极管阵列工艺(EAP)制造,多个二极管组合在一起减小电容,不影响ESD抗扰度。汕头常规ESD保护二极管SR05D3BL

ESD保护二极管产品展示
  • 汕头常规ESD保护二极管SR05D3BL,ESD保护二极管
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