规格书WILLSEMI韦尔ESD5311N

ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器

产品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。

规格特性：

· 工作峰值反向电压：5V

· 低漏电流：<1uA@3V

· 高ESD保护水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性：

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面，易于焊接

应用领域：

· 手机和配件

· 个人数字助理（PDA）

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN-10(1.8x1.4)。规格书WILLSEMI韦尔ESD5311N

    ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术，结合极低电容转向二极管和TVS二极管，提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口，是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保，易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7037AT7-4/TRWPM2031-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-723。

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器

产品描述：

      ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。

      包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

      采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

 1、截止电压：5V

 2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低电容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏电流：IR<1nAtyp.

 7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固态硅技术

应用领域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便携式电子产品和笔记本电脑

安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压降的CMOS线性稳压器，具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素，符合环保要求。

特点与优势：

· 输出电流折返

· 宽输入电压范围：2V至5.5V

· 可调输出电压：0.8V至5V

· 输出电流：300mA

· 低功耗：静态电流典型值为75μA，关机电流小于1μA

· 低压降：在输出电流为0.3A时，压降为141mV。

· 电源抑制比：在1kHz、输出电压为3V时，PSRR高达70dB

· 低输出电压噪声：典型值为12μVRMS

· 输出电压容差：±2%

· 推荐电容器：建议使用1μF的电容器以优化性能

· 封装与环保：SOT-23-5L

应用领域：

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性，成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接，它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS4612EDA-5/TR 功率电子开关 封装：SOT-23-5L。

      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR（电源抑制比）以及高速CMOSLDO（低压差线性稳压器）。其高精度与出色的性能，使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色，为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路，能够同时作为短路保护和输出电流限制器，而且采用标准的SOT-23-5L封装，确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围（2.7V~5.5V）、灵活的输出电压范围（1.2V~3.3V）、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色，确保了电源噪声的有效抑制。此外，其低dropout电压（170mV@IOUT=200mA）和极低静态电流（70μA）使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广，包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师，还是对于寻求成本效益的生产商，WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销，并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技，您将获得优异的产品和服务。 ESD54031Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM1488

ESD73011N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006。规格书WILLSEMI韦尔ESD5311N

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5311N