常规ESD保护二极管

       指接触放电ESD容限，即通过与受保护器件直接接触放电。ESD容限是根据国际电工委员会（IEC）IEC 61000-4-2标准规定的方法和ESD波形测量的。规定的VESD值是测试波形的峰值。指空气放电ESD容限，即被测器件（EUT）与放电枪之间通过空气层放电。IEC 61000-4-2规定了试验方法和ESD波形。PPK是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的比较大浪涌功率。图6.1显示使用8／20μs脉冲波形测量的峰值脉冲功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，从100%下降到50%需要20μs。)ESD保护二极管”用于便携式电子设备：如智能手机、平板电脑等，在生产和使用过程中容易受到静电的影响。常规ESD保护二极管

      ESD保护二极管总电容（C(T)）相对于受保护信号线的频率是否足够低：图3.3显示ESD保护二极管的等效电路。二极管在正常工作期间不导通。此时，pn结交界面形成耗尽层，如图3.3所示。耗尽层在电气上起电容的作用。因此，除非在考虑被保护信号线频率的基础上，正确选择ESD保护二极管，否则信号质量会下降。图3.4显示了总电容（C(T)）分别为5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保护二极管插入损耗特性。电容大的二极管插入损耗高（如图所示，特性曲线负值变化较大），从而限制了可使用的频率范围。例如，在Thunderbolt（带宽为10Gbps，相当于5GHz的频率）的情况下，电容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保护二极管插入损耗小，几乎不会影响二极管传输的信号，而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大，通过二极管的信号明显衰减。新型ESD保护二极管SR08D3BL型号售价PESD12VL1BA：具有低钳位电压和快速响应的特点，适用于保护敏感的集成电路。

       EAP配置中低电容ESD保护二极管：它由三个二极管组成：低电容二极管1和二极管2（电容分别为C(1)和C(2)）和高电容二极管3（电容为C(3)）。二极管1和二极管2的pn结面积小，反向击穿电压（V(BR)）高，而二极管3的pn结面积大，并且有足够大的反向击穿电压（V(BR)）。加到阳极的ESD电流沿正向流过二极管1，加到阴极的ESD电流沿正向流过二极管2，然后反向流过二极管3，因为二极管3的V(BR)低于二极管1。通常，二极管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二极管1和二极管2的pn结面积较小，因此它们的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保护二极管配置如图3.5（a）所示时，ESD电流不会反向流过二极管1和二极管2。因此，这个电路整体上提高了ESD抗扰度。图3.5（b）显示这个ESD保护二极管的等效电容电路。低电容二极管2和高电容二极管3串联，可以减小组合电容。此外，由于该电路V(BR)由二极管3的V(BR)决定，因此可以根据被保护的信号线调整二极管3的V(BR)，从而提高ESD抗扰度。

       由于ESD保护二极管反向连接，正常工作时，其两端电压低于反向击穿电压（VBR）。因此，ESD保护二极管正常工作时不导通。此时，pn结形成耗尽层，二极管起电容器作用。选择ESD保护二极管时，以下三个注意事项适用于正常工作状态：ESD保护二极管反向击穿电压（VBR）是否充分高于被保护信号线的振幅（最大电压）ESD保护二极管总电容（CT）相对于受保护信号线的频率是否足低，信号极性（即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位），当静电放电（ESD）进入系统时，ESD保护二极管要么导通，要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿，负ESD电击时导通吸收ESD能量。高阻抗：在正常工作条件下，ESD保护二极管呈现高阻抗状态，对电路的影响微乎其微。

      SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三个型号的区别主要在于电压等级的不同。同时，它们都具有低电容和快速响应速度的特点，能够有效保护电子设备免受ESD损害。因此，在选择ESD保护二极管时，需要根据具体应用场景来选择合适的型号，以达到保护效果。在使用ESD保护二极管时，还需要注意以下几点：正确安装：ESD保护二极管应正确安装在需要保护的信号线上，以确保其能够有效地工作。合理布局：在电路设计中，应合理布局ESD保护二极管，以避免信号线之间的干扰。ESD二极管可以有效保护USB、HDMI、Ethernet接口，防止静电放电造成的电压瞬变对内部电路的破坏。广东新型ESD保护二极管SR15D3BL型号价格

采用低电容二极管，可以很好地降低静电放电的电压峰值。常规ESD保护二极管

       ESD保护二极管是一种齐纳二极管。当二极管反向偏置时，有很少的电流从阴极流向阳极。然而，当反向偏压超过某一点（称为反向击穿电压）时，反向电流突然增加。随着反向偏压增加，无论二极管流过的电流大小，二极管都会形成恒定电压区域。利用齐纳二极管击穿电压（齐纳电压）特性可以构成恒压稳压器，抑制浪涌电压。齐纳稳压二极管用于保持恒定电压，而ESD保护二极管用于吸收ESD能量，保护电路。反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。常规ESD保护二极管