当pn结反向偏置时,耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此,由于量子隧穿效应,电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。当pn反向偏置时,少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速,获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离,成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞,产生更多的电子-空穴对,导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。ESD保护二极管具有快速响应能力,能够在极短的时间内导通并释放静电能量。深圳标准ESD保护二极管SR18D3BL型号怎么样
汽车电子系统:随着汽车电子化程度的提高,汽车内部集成了越来越多的电子控制单元(ECU)和传感器。这些元件在车辆运行中暴露于各种环境条件下,容易受到静电放电的影响。使用ESD保护二极管可以保护车载通信接口、传感器输入端和电源线路,确保车辆电子系统的可靠性和安全性。工业控制系统:PLC、传感器和通信模块等设备常常处于复杂的电磁环境中,容易受到静电放电的影响。使用ESD保护二极管可以保护这些关键设备,防止静电放电引起的电路故障,提高系统的可靠性和稳定性。深圳定制ESD保护二极管SR12D3BL型号怎么样尽量减少ESD保护二极管和受保护线路以及GND之间的串联走线电感。
电容大的二极管插入损耗高(如图所示,特性曲线负值变化较大),从而限制了可使用的频率范围。例如,在Thunderbolt(带宽为10Gbps,相当于5GHz的频率)的情况下,电容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保护二极管插入损耗小,几乎不会影响二极管传输的信号,而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大,通过二极管的信号明显衰减。反向偏置时,二极管因pn结(p:p型半导体,n:n型半导体)形成耗尽层产生电容。与电容相反,耗尽层起阻挡层的作用,只有少数载流子通过。降低半导体区掺杂浓度会增加耗尽层宽度。因此,为了减小二极管的电容,有必要减小pn结面积或提高反向击穿电压(VBR),但任何一种方式都会导致ESD抗扰度下降。当两个二极管串联时,它们的组合电容减小。此外,二极管反向ESD能量耐受性比正向差。东芝低电容(Ct)ESD保护二极管采用ESD二极管阵列工艺(EAP)制造,多个二极管组合在一起减小电容,不影响ESD抗扰度。
ESD保护二极管的客户群体非常广,主要包括电子设备制造商、电子元器件代理商、电子维修服务商等。这些客户对ESD保护二极管的要求非常高,需要具有响应速度快、ESD保护效果好、可靠性高等特点,以确保电子设备的正常运行和稳定性。二、市场环境随着电子设备的普及和应用范围的不断扩大,ESD保护二极管的市场需求也在不断增加。尤其是在高科技领域,如通信、计算机、汽车电子等领域,对ESD保护二极管的需求更加迫切。同时,随着电子设备的不断升级和更新,对ESD保护二极管的要求也在不断提高,需要具有更高的性能和可靠性。PESD12VL1BA:具有低钳位电压和快速响应的特点,适用于保护敏感的集成电路。
IPP是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的峰值脉冲电流。电压低于工作峰值反向电压时,ESD保护二极管阻抗非常高。(即使施加工作峰值反向电压,也只有小于规定漏电流的电流流过。)设计师可以用这个参数作为指导,确保其高于被保护信号线的最大工作电压。CT是在指定反向电压和频率下施加小信号时,二极管端子上的等效电容。总电容是二极管的结电容与其封装的寄生电容之和。结电容随反向电压的增加而减少。动态电阻是指ESD保护二极管随着反向电压的增加反向击穿时,VBR与VC之间VF–IF 曲线的电流斜率。下面描述的动态电阻和钳位电压表示ESD保护二极管的ESD性能。采用高压抑制器件,可以很好地抑制静电放电的高压脉冲。广州标准ESD保护二极管SR12D3BL型号怎么样
电子设备的电源电压出现异常升高或受到外部浪涌电压的冲击,ESD 保护二极管可以在一定程度上限制电压上升。深圳标准ESD保护二极管SR18D3BL型号怎么样
ESD保护二极管吸收不同极性ESD脉冲工作原理:单向和双向ESD保护二极管可吸收正负ESD脉冲。TVS二极管(ESD保护二极管)的选型指南,选择正确的ESD保护二极管,请注意第3节介绍的主要电气特性。保持被保护信号的质量 。信号线电压 根据被保护信号线的最大电压,选择具有相应反向击穿电压(V(BR))或工作峰值反向电压(V(RWM))的ESD保护二极管。信号极性:跨GND电平信号(如模拟信号),使用双向ESD保护二极管。信号速度根据被保护信号线的比较大频率,选择总电容(C(T))合适的的ESD保护二极管。 深圳标准ESD保护二极管SR18D3BL型号怎么样