ESD保护二极管是一种齐纳二极管。当二极管反向偏置时,有很少的电流从阴极流向阳极。然而,当反向偏压超过某一点(称为反向击穿电压)时,反向电流突然增加。随着反向偏压增加,无论二极管流过的电流大小,二极管都会形成恒定电压区域。利用齐纳二极管击穿电压(齐纳电压)特性可以构成恒压稳压器,抑制浪涌电压。齐纳稳压二极管用于保持恒定电压,而ESD保护二极管用于吸收ESD能量,保护电路。 反向击穿电压反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。根据客户的需求和设备的特点,可以设计合适的ESD静电保护二极管的应用方案。广东新型ESD保护二极管SR24D3BL型号近期价格
TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性:正常工作状态(无ESD事件)的主要特性由于ESD保护二极管反向连接,正常工作时,其两端电压低于反向击穿电压(V(BR))。因此,ESD保护二极管正常工作时不导通。此时,pn结形成耗尽层,二极管起电容器作用。选择ESD保护二极管时,以下三个注意事项适用于正常工作状态:正常工作状态(无ESD事件)的主要特性。ESD保护二极管反向击穿电压(V(BR))是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压),ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压(V(BR))时,漏电流增加。电压接近V(BR)时,漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流(I(R))随反向电压(V(R))成指数增长。选择V(RWM)高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。深圳新型ESD保护二极管SR15D3BL型号近期价格DW05DLC-B-S:东沃品牌的型号,工作电压为 5V,保护线路数为单路。
反向击穿电压是ESD保护二极管在规定条件下(通常定义为1mA,尽管因器件而异)开始传导规定量电流时的电压。VBR**初是为齐纳二极管定义的参数。VBR定义为ESD保护二极管导通电压。反向电流是ESD保护二极管在规定电压下反向偏置时,反向流动的漏电流。对于ESD保护二极管,IR按工作峰值反向电压(VRWM)定义。钳位电压是ESD保护二极管指定峰值脉冲电流条件下比较大钳制电压。VC通常在多个峰值脉冲电流点测量。如第6节(图6.1)所示,峰值脉冲电流使用8/20μs波形。动态电阻和钳位电压**ESD保护二极管的ESD性能。
信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位)考虑到要保护的信号线的极性,有必要选择单向或双向ESD保护二极管。不同类型的二极管用于*正向摆动的未调制数字信号(例如,0V(逻辑低电平)与5V(逻辑高电平)之间),以及电压可正可负的无偏压模拟信号。双向ESD保护二极管可用于高于和低于GND范围的信号,如下图所示。(单向和双向二极管均可用于电压*为正或*为负的信号。)当静电放电(ESD)进入系统时,ESD保护二极管要么导通,要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿,负ESD电击时导通吸收ESD能量。防止ESD脉冲损坏被保护器件(DUP)PESD12VL1BA:具有低钳位电压和快速响应的特点,适用于保护敏感的集成电路。
随着电子技术的不断发展,对ESD保护二极管的要求也越来越高。未来的ESD保护二极管将朝着更高性能、更小体积、更低寄生电容的方向发展。同时,随着新材料和新工艺的应用,ESD保护二极管的性能将得到进一步提升,为电子设备的安全运行提供更加可靠的保障。ESD保护二极管在以下情况下使用比较合适:数据传输接口:如USB、HDMI、Ethernet和Serial等接口,常暴露在外部环境中,易受到静电放电的影响。ESD保护二极管可以有效保护这些接口,防止静电放电造成的电压瞬变对内部电路的破坏。SR15D3BL和SR18D3BL是常见的ESD保护二极管,具有响应速度快低电容和低电感良好的ESD保护效果。深圳ESD保护二极管SR12D3BL型号售价
瞬态电压抑制二极管(TVS):能够在极短的时间内导通,吸收高能量的静电脉冲。广东新型ESD保护二极管SR24D3BL型号近期价格
ESD保护二极管数据表含有动态电阻(RDYN)。RDYN是反向导通模式下VF–IF曲线的斜率。如果发生ESD冲击,给定电压下,低动态电阻ESD保护二极管可以传输更大电流。从连接器端看,ESD保护二极管和受保护器件的阻抗可视为并联阻抗。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流,减少流入受保护器件的电流,从而降低损坏的可能性。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流到地(GND),从而减少流入受保护器件的电流。因此,ESD保护二极管有助于防止手保护啊器件因ESD冲击而损坏。传输线脉冲(TLP)测试用于纳秒级宽度短脉冲,根据随时间变化的电流-电压关系可研究二极管的电流-电压(I-V)特性。下图中,TLP I和TLP V分别电流和电压。广东新型ESD保护二极管SR24D3BL型号近期价格