传统无机闪烁晶体的局限性
出现于20世纪40年代末的NaI:Tl闪烁晶体[1]，可以说是第1代无机闪烁晶体材料的代替。它是一种无机闪烁晶体，具有比较高的光输出(约48000 pH/MeV)，因此被广泛应用于高能物理、核物理、核医学等闪烁探测器领域[[6]。即使到现在，NaI:Tl闪烁晶体仍有大量的应用。但NaI:Tl闪烁晶体存在密度低(=3.67 g/cm3)、光衰减时间长(=230 ns)、计数率低、探测效率低、易潮解等缺点，严重限制了其应用。特别是在高能物理实验中，NaI:Tl闪烁晶体已经逐渐被BGO(Bi4Ge3O12)闪烁晶体[[27]所取代。BGO闪烁晶体是20世纪70年代发现的一种无机闪烁材料，因其具有有效原子序数大(zeff=74)和重密度(=7.13 g/cm3)等优异的闪烁性能，被广泛应用于核医学(XCT，PET)、高能物理和核物理实验等领域[3]、[4]和[27]。因此，BGO晶体被称为第二代无机闪烁晶体。但BGO晶体的缺点是光输出低(约为NaI:Tl的7-10%)，光衰减慢(=300 ns)，计数率低，限制了它的广泛应用。 苏州有生产Ce:YAG的厂家吗？黑龙江111方向CeYAG晶体
有效原子序数和密度(Zeff)
闪烁晶体的有效原子序数(Zeff)和密度直接或间接决定了辐射与物质的相互作用机制和辐射的阻挡能力。在X射线或低能射线探测领域，为了增加射线的光电效应截面，往往需要闪烁晶体具有较大的有效原子序数Zeff，而在高能射线应用领域，则需要有较高的密度来提高晶体的截止能量
物质的有效原子序数可由公式计算：
式中，Wi为构成晶体的原子I的重量百分比，Zi为构成晶体的原子I的有效原子数。从公式中可以看出，大的有效原子序数往往与重密度不一致。此外，在许多场合下，经常使用吸收系数()、辐射长度(X0)和摩尔半径(RM)来代替晶体的有效原子序数或密度来表征无机闪烁晶体的性能。这些性能参数与晶体的密度()和有效原子序数(z)之间的关系如下[14][24]。
，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)
(ne是晶体中的电子密度和吸收截面，a是原子量) 吉林抛光CeYAG晶体订做价格Ce：YAG晶体的硬度能达到多少？
快衰落闪烁机制
在几乎所有的闪烁计数领域，都要求无机闪烁晶体具有快速的时间衰减常数。光衰减时间小于50ns的闪烁体通常称为快闪烁体，光衰减时间小于3n的闪烁体称为超快闪烁体。文献[21]总结了三种主要的快速光衰减机制，即：
(1)中心价跃迁。对应于这种跃迁的闪烁荧光也称为交叉荧光或俄自由荧光，简称CVL。这种发光机制的光衰减通常只有0.6-3 ns超快荧光，没有温度猝灭效应[21]。这种荧光0早发现于BaF2晶体(=220 nm，0.8ns)，是由外中心带(5pBa)的空穴和价带(2pF)的电子复合而发出的超快荧光[14]
深度剖析Ce:YAG晶体。Ce:YAG晶体属于无机闪烁晶体。发光中心的激发与发射之无机闪烁晶体中的发光中心，可分为本征发光中心和非本征发光中心。本征中心包括：，自陷激子(STE)、基质的组成原子，或原子团以及晶格中的杂质，或其他点缺陷。非本征发光中心，主要包括人工诱导的激发中心。发光中心主要通过依次捕获电子和空穴，或者依次捕获空穴和电子来激发。终，被激发的发光中心发出紫外或可见光子，即闪烁光的发射。
C ＋ h → A+ C+ ＋ e → (C)* (C)* → hν
上式表示了发光中心激发与发射过程：上式中发光中心C表示，空穴、电子：h、e表示，(C)*表示处于激发态的发光中心。 Ce:YAG是提拉法生长的吗？
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同时，关于新型闪烁晶体及其应用的国际学术交流极其频繁和活跃。例如，关于新闪烁晶体及其应用的第1次国际会议“水晶2000”于1992年在法国夏蒙尼举行，由“水晶透明协作”小组主办。随后，研究合作小组分别于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美国，荷兰，中国和俄罗斯举行了两年一次的新型闪烁材料学术研讨会[39]。这些研讨会极大地促进了具有高光输出和快速衰减的无机闪烁晶体的研究和发展。特别是铈离子掺杂的无机闪烁晶体，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了极大的关注，被认为是新一代高光输出、快衰减的无机闪烁晶体材料[9][12][40][39]。黑龙江111方向CeYAG晶体
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